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朝日 重雄大学院工学研究科 電気電子工学専攻准教授
研究者基本情報
■ 学位■ 研究ニュース
- 2022年03月22日, 朝日 重雄(ASAHI Shigeo)――高効率の太陽電池開発し、環境問題解決に貢献
- 2017年04月07日, 変換効率50%を超えることができる新型太陽電池構造を提案―発電コストの大幅引き下げに期待―
■ 研究分野
■ 委員歴
- 2024年04月 - 2024年11月, 第37回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議(MNC2024), 論文委員セクションヘッド
- 2022年03月 - 2024年02月, 電子材料シンポジウム(EMS), 実行委員会 企画展示委員
- 2023年04月 - 2023年11月, 第36回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議(MNC2023), 論文委員
- 2022年04月 - 2022年11月, 第35回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議(MNC2022), 論文委員
- 2021年04月 - 2022年11月, 第33回太陽光発電国際会議, プログラム委員会委員
- 2020年04月 - 2022年02月, 電子材料シンポジウム(EMS), 実行委員(会場委員)
- 2021年04月 - 2021年11月, 34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2021), 論文委員
- 2020年04月 - 2020年11月, 33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2020), 論文委員
- 2019年04月 - 2019年11月, 32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2019), 論文委員
- 2017年04月 - 2019年09月, 7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano2019), 現地実行委員
研究活動情報
■ 受賞- 2022年09月 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-XI), Young Researcher Award, Photoluminescence Characteristics of InAs Quantum Dots in the Doubled-heterointerface of AlGaAs/GaAs-based Two-step Photon Up-conversion Solar Cells
- 2020年06月 47th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC47), PVSC 47 Best Student Paper Award, Up-converted photocurrent enhancement in modulation-doped two-step photon up-conversion
- 2015年12月 第26回光物性研究会, 奨励賞
- 2014年08月 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会, 平成26年度第1回研究会学生優秀講演賞
- Abstract While a significant part of the solar energy lies in the infrared range, common semiconductors cannot absorb this part of the solar irradiance by direct band-to-band transitions, because the corresponding photon energies are below the bandgap energy. Two-step photon up-conversion (TPU) is one of the processes that allows us to harvest energy in the region below the bandgap, and one possible approach to realize a TPU-based solar cell is to use an AlGaAs/GaAs heterointerface with quantum dots in order to induce additional intraband transitions. On the other hand, here we report on the TPU phenomenon at a methylammonium lead bromide/gallium arsenide (MAPbBr3/GaAs) heterointerface without quantum dots. For this heterojunction, we observed high-energy photoemission by low-energy photoinjection, demonstrating the TPU. By using photoluminescence (PL) and time-resolved PL measurement techniques, we elucidate the mechanism of the PL emission from MAPbBr3 observed from MAPbBr3/GaAs samples. Through the comparisons of the experimental PL and TRPL results between the MAPbBr3/GaAs and MAPbBr3/Glass-substrate samples, we successfully distinguish the TPU phenomenon from the ordinal two-photon absorption of MAPbBr3. Our findings in the TPU at the MAPbBr3/GaAs heterointerface may help to realize quantum-dot-free photon up-conversion solar cells.Springer Science and Business Media LLC, 2025年01月, Journal of Optics[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- Abstract We studied the photovoltaic properties of a conventional silicon photodiode under monochromatic illumination conditions to clarify the loss mechanisms that are important for application as a laser power converter. While the short-circuit current increases linearly with the excitation power, the power dependence of the open-circuit voltage consists of two regions with different slopes as a result of the Joule heating. At higher excitation power densities, thermal effects play a key role in the current–voltage characteristics, and therefore the maximum conversion efficiency is achieved at a certain excitation-power density. Furthermore, the optimum excitation wavelength shifts towards longer wavelengths as the excitation power density increases, because the optimum value is determined by a trade-off between the optical absorption strength and the excitation power density.IOP Publishing, 2025年01月, Japanese Journal of Applied Physics, 64(1) (1), 014001 - 014001[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- American Chemical Society (ACS), 2024年12月, ACS Photonics, 12(1) (1), 447 - 456[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- Abstract Two-step photon upconversion solar cells (TPU-SCs) based on III–V semiconductors can achieve enhanced sub-bandgap photon absorption because of intraband transitions at the heterointerface. From a technological aspect, the question arose whether similar intraband transitions can be realized by using perovskite/III–V semiconductor heterointerfaces. In this article, we demonstrate a TPU-SC based on a CsPbBr3/GaAs heterointerface. Such a solar cell can ideally achieve an energy conversion efficiency of 48.5% under 1-sun illumination. This is 2.1% higher than the theoretical efficiency of an Al0.3Ga0.7As/GaAs-based TPU-SC. Experimental results of the CsPbBr3/GaAs-based TPU-SC show that both the short-circuit current JSC and the open-circuit voltage VOC increase with additional illumination of sub-bandgap photons. We analyze the excitation power dependence of JSC for different excitation conditions to discuss the mechanisms behind the enhancement. In addition, the observed voltage-boost clarifies that the JSC enhancement is caused by an adiabatic optical process at the CsPbBr3/GaAs heterointerface, where sub-bandgap photons efficiently pump the electrons accumulated at the heterointerface to the conduction band of CsPbBr3. Besides the exceptional optoelectronic properties of CsPbBr3 and GaAs, the availability of a CsPbBr3/GaAs heterointerface for two-step photon upconversion paves the way for the development of high-efficiency perovskite/III–V semiconductor-based single-junction solar cells.Springer Science and Business Media LLC, 2024年11月, Scientific Reports, 14(1) (1)[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- Society of Materials Science, Japan, 2024年02月, Journal of the Society of Materials Science, Japan, 73(2) (2), 178 - 182研究論文(学術雑誌)
- 公益社団法人応用物理学会, 2023年09月, 応用物理, 92(9) (9), 550 - 554, 日本語[査読有り]
- Photon upconversion (PU) is a process where an electron is excited from the valence band to the conduction band of a wide-gap semiconductor by the sequential absorption of two or more photons via real states. For example, two-step PU can generate additional photocurrent in the so-called intermediate-band solar cells. In this work, we consider two- and three-step processes; we study multi-step PU in a quantum dot (QD)-based single-junction solar cell with a double-heterointerface structure. The solar cell consists of three different absorber layers: Al0.7Ga0.3As, Al0.3Ga0.7As, and GaAs, which form two heterointerfaces. Just beneath each heterointerface, an InAs/GaAs QD layer was inserted. After band-to-band excitation, electrons accumulate at each heterointerface, and then, below-bandgap photons excite a certain fraction of these electrons above the barrier energy. The photoluminescence spectra of the InAs QDs reveal slightly different QD size distributions at the two heterointerfaces. We show that the external quantum efficiency is improved by additional irradiation with below-bandgap infrared photons, which suggests a multi-step PU process that involves the two heterointerfaces. The dependence of the photocurrent on the infrared excitation power density only shows a superlinear behavior when the GaAs layer is excited but the Al0.3Ga0.7As layer is not. These data demonstrate a multi-step PU process that consists of one intraband transition at each of the two heterointerfaces and one interband transition in GaAs.AIP Publishing, 2023年03月, Journal of Applied Physics, 133(12) (12), 124503 - 124503[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- Abstract We elucidate a photocarrier collection mechanism in intermediate band solar cells (IBSCs) with InAs-quantum dots (QDs)-in-an-Al0.3Ga0.7As/GaAs-quantum well structures. When the Al0.3Ga0.7As barrier is excited, the device electrical output can be varied by additional infrared light for the electron intraband optical transition in QDs. The photocurrent in IBSC with a single QDs-in-a-well structure shows a monotonic increase with the intraband-excitation density. Conversely, IBSC with a multilayered QDs-in-a-well structure exhibits a photocurrent reduction when electrons in QDs are optically pumped out. The simultaneously measured photoluminescence spectra proved that the polarity of QD states changes depending on the intraband-excitation density. We discuss the drift and diffusion current components and point out that the hole diffusion current is significantly influenced by carriers inside the confinement structure. Under strong intraband excitations, we consider an increased hole diffusion current occurs by blocking hole-capture in the quantum structures. This causes unexpected photocurrent reduction in the multilayered device.IOP Publishing, 2022年07月, Japanese Journal of Applied Physics, 61(7) (7), 074002 - 074002, 英語[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- American Institute of Physics Inc., 2021年11月, Journal of Applied Physics, 130(17) (17), 英語研究論文(学術雑誌)
- AIP Publishing, 2021年09月, Journal of Applied Physics, 130(12) (12), 124505 - 124505, 英語[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- AIP Publishing, 2021年08月, Journal of Applied Physics, 130(8) (8), 085701 - 085701, 英語[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2021年06月, Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 1786 - 1788, 英語研究論文(国際会議プロシーディングス)
- AIP Publishing, 2021年02月, Journal of Applied Physics, 129(7) (7), 074503 - 074503, 英語[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- Springer Science and Business Media LLC, 2020年12月, Scientific Reports, 10(1) (1)[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- American Physical Society (APS), 2020年07月, Physical Review Applied, 14(1) (1), 英語[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2020年06月, Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2020-, 0146 - 0148, 英語研究論文(国際会議プロシーディングス)
- Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2020年06月, Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2020-, 0902 - 0904, 英語研究論文(国際会議プロシーディングス)
- IOP Publishing, 2019年12月, Applied Physics Express, 12(12) (12), 125008 - 125008[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- IOP Publishing, 2019年09月, Semiconductor Science and Technology, 34(9) (9), 094003 - 094003研究論文(学術雑誌)
- Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2019年06月, Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2623 - 2626, 英語研究論文(国際会議プロシーディングス)
- Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2019年06月, Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2597 - 2599, 英語研究論文(国際会議プロシーディングス)
- Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2019年06月, Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 3004 - 3006, 英語研究論文(国際会議プロシーディングス)
- We studied the dynamics of electrons generated by two-step photoexcitation in an intermediate-band solar cell (IBSC) comprising InAs/GaAs/Al0.3Ga0.7As dot-in-well (DWELL) structure using time-resolved photocurrent (TRPC) measurement. The examined IBSC exhibited considerably slower photocurrent decay than a conventional InAs/GaAs quantum dot IBSC, which is due to the extraordinaNature Publishing Group, 2019年05月, Scientific Reports, 9, 7859 - 1-8, 英語[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- 2019年03月, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 英語[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- Nature Publishing Group, 2019年02月, Nature Communications, 10, 956 - 1-3, 英語[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- Springer Verlag, 2019年, Green Energy and Technology, 55 - 79, 英語論文集(書籍)内論文
- Springer Verlag, 2019年, Green Energy and Technology, 81 - 137, 英語論文集(書籍)内論文
- Springer Verlag, 2019年, Green Energy and Technology, 15 - 24, 英語論文集(書籍)内論文
- Springer Verlag, 2019年, Green Energy and Technology, 157 - 202, 英語論文集(書籍)内論文
- Springer Verlag, 2019年, Green Energy and Technology, 139 - 156, 英語論文集(書籍)内論文
- Springer Verlag, 2019年, Green Energy and Technology, 25 - 42, 英語論文集(書籍)内論文
- Springer Verlag, 2019年, Green Energy and Technology, 43 - 54, 英語論文集(書籍)内論文
- Springer Verlag, 2019年, Green Energy and Technology, 1 - 13, 英語論文集(書籍)内論文
- Springer Singapore, 2019年, Green Energy and Technology[査読有り]
- Nature Publishing Group, 2018年12月, Scientific Reports, 8(1) (1), pp. 872 - 1-8, 英語[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2018年11月, 2018 IEEE 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, WCPEC 2018 - A Joint Conference of 45th IEEE PVSC, 28th PVSEC and 34th EU PVSEC, 3447 - 3450, 英語研究論文(国際会議プロシーディングス)
- 2018年11月, Proceedings of the 35th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 126 - 128, 英語研究論文(国際会議プロシーディングス)
- 2018年07月, Applied Physics Express, Vol. 11(No. 1) (No. 1), pp.082303 - 1-4, 英語Hot-Carrier Generation in a Solar Cell Containing InAs/GaAs Quantum-Dot Superlattices as a Light Absorber[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- SPIE, 2018年, Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 10527, 英語[招待有り]研究論文(国際会議プロシーディングス)
- 2018年01月, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 11(1) (1), pp. 012301 - 1-4, 英語[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- 2017年07月, SCIENTIFIC REPORTS, 7, pp. 5865 - 1-10, 英語[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- 2017年05月, APPLIED PHYSICS LETTERS, 110(19) (19), pp. 193104 - 1-5, 英語[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- 2017年04月, NATURE COMMUNICATIONS, 8, pp. 14962 - 1-9, 英語[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- 2017年03月, 材料 別冊, 66(3) (3), pp. 244~249, 日本語半導体材料・デバイスの最新の進展 3. 太陽電池の変換効率限界を引き上げる半導体材料設計[査読有り][招待有り]研究論文(学術雑誌)
- 2016年11月, PHYSICAL REVIEW B, 94(19) (19), pp. 195313 - 1 -9, 英語[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- Society of Materials Science Japan, 2016年09月, Zairyo/Journal of the Society of Materials Science, Japan, 65(9) (9), 647 - 651, 日本語[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- 日本材料学会, 2016年09月, 日本材料学会会誌「材料」, 65(9) (9), pp. 647 - 651, 日本語量子ドット超格子太陽電池における2段階光励起電流生成ダイナミクスの電界依存特性[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- 2016年03月, IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS, 6(2) (2), 465 - 472, 英語[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- Institute of Electrical and Electronics Engineers ({IEEE}), 2015年11月, IEEE Journal of Photovoltaics, 5(6) (6), 1613 - 1620, 英語[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- The Society of Materials Science, Japan, 2015年09月, 材料, 64(9) (9), 690 - 695, 日本語[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- In this study, we propose a carrier time-of-flight technique to evaluate the carrier transport time across a quantum structure in an active region of solar cells. By observing the time-resolved photoluminescence signal with a quantum-well probe inserted under the quantum structure at forward bias, the carrier transport time can be efficiently determined at room temperature. The{AIP} Publishing, 2015年07月, Applied Physics Letters, 107(4) (4), 043901 - 043901, 英語[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- 2015年05月, PHYSICAL REVIEW B, 91(20) (20), pp. 201303 - 1-6, 英語[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- 2015年, 2015 IEEE 42ND PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC), 英語Ultrafast Photocarrier Transport Dynamics in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Solar Cell[査読有り]研究論文(国際会議プロシーディングス)
- 2015年, 2015 IEEE 42ND PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC), 英語Saturable Two-step Photo current Generation in Intermediate-band Solar Cells Including InAs Quantum Dots Embedded in Al0.3Ga0.7As/GaAs Quantum Wells[査読有り]研究論文(国際会議プロシーディングス)
- 2015年, 2015 IEEE 42ND PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC), 英語Comparison of Electron and Hole Mobilities in Multiple Quantum Well Solar Cells Using a Time-of-Flight Technique[査読有り]研究論文(国際会議プロシーディングス)
- 2015年, 2015 IEEE 42ND PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC), 英語[査読有り]研究論文(国際会議プロシーディングス)
- 2015年, PHYSICS SIMULATION AND PHOTONIC ENGINEERING OF PHOTOVOLTAIC DEVICES IV, 9358, 英語研究論文(国際会議プロシーディングス)
- Institute of Electrical and Electronics Engineers ({IEEE}), 2014年11月, IEEE Journal of Photovoltaics, 4(6) (6), 1518 - 1525, 英語[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- 2014年08月, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 116(6) (6), pp. 063510 - 1-5, 英語[査読有り]研究論文(学術雑誌)
- Society of Materials Science Japan, 2017年03月01日, Zairyo/Journal of the Society of Materials Science, Japan, 66(3) (3), 244 - 249, 日本語書評論文,書評,文献紹介等
- 2014年09月01日, 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 75th, ROMBUNNO.17P-A28-1, 日本語キャリア走行時間測定法による量子構造太陽電池内のダイナミクスの直接観測
- 2014年03月03日, 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 61st, ROMBUNNO.19P-D7-11, 日本語プローブ構造を用いた量子構造太陽電池におけるキャリア走行時間の測定
■ 講演・口頭発表等
- 第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月, 日本語Siレーザーパワーコンバーターの分光評価口頭発表(一般)
- 第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月, 英語全無機CsPbBr3–xClxペロブスカイトナノ結晶, 両面2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池のための半導体の可能性口頭発表(一般)
- 第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月, 日本語ダブルトンネル接合を利用したアップコンバージョン太陽電池の効率的バンド内遷移口頭発表(一般)
- 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月, 日本語2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池におけるバンド内赤外光学遷移の量子ドットによる増強特性口頭発表(一般)
- 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月, 日本語MAPbI₃/Siヘテロ構造を利用した二段階フォトンアップコンバージョン太陽電池
- 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月, 英語Intraband Transitions Induced by Below-Bandgap Photoexcitation at CsPbBr₃/GaAs Heterointerface
- 52nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC52), 2024年06月, 英語Voltage Boost Effects in Solar Cells Utilizing Adiabatic Photon Up-Conversion with a Double Tunnel Junctionポスター発表
- 52nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC52), 2024年06月, 英語Two-Step Photon Upconversion Solar Cells Based on CsPbBr3/GaAs Heterointerfaceポスター発表
- 第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月, 日本語極性制御した2段階アップコンバージョン太陽電池におけるアップコンバージョン特性の変化口頭発表(一般)
- 第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月, 英語Optimization of the Morphological Structure of Spin-Coated MAPbBr₃ on p-GaAs Substrates for Perovskite/GaAs-based Photon Up-conversion Solar Cells口頭発表(一般)
- 日本材料学会2022年度半導体エレクトロニクス部門委員会第3回研究会, 2023年01月, 日本語ドープされたInAs/GaAs量子ドットにおける局在表面プラズモン共鳴による電場増強効果口頭発表(一般)
- 日本材料学会2022年度半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会, 2022年11月, 日本語量子ドットを内包する半導体ヘテロナノ構造を利用した量子型赤外光検出素子の暗電流制御口頭発表(一般)
- 33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33), 英語Broadband Enhancement of Intraband Transition in Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells with a Doubled-Heterointerface Strucure口頭発表(一般)
- 第41回電子材料シンポジウム(EMS41), 2022年10月Intraband Transition in Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells
- 第41回電子材料シンポジウム(EMS41), 2022年10月, 日本語Thermal Activation Process at the Heterointerface in Photon Up-Conversion Solar Cells Using hole Up-Conversion口頭発表(一般)
- 8th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-8), 英語High Absorptivity of Intraband Transition Occurring at Heterointerface in Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cellsポスター発表
- 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月, 英語Electrical Properties of AlGaAs/GaAs-Based Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells with Doubled Heterointerfaces口頭発表(一般)
- 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces(ISCSI-IX), 英語Photoluminescence Characteristics of InAs Quantum Dots in the Doubled-heterointerface of AlGaAs/GaAs-based Two-step Photon Up-conversion Solar Cells口頭発表(一般)
- International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2022), 英語Intraband Absorptivity in Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells口頭発表(一般)
- 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月, 日本語2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池における ヘテロ界面のバンド内遷移の光吸収率口頭発表(一般)
- 第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月, 日本語正孔フォトンアップコンバージョン太陽電池の赤外光照射による光電流制御口頭発表(一般)
- The 6th International Conference on New Energy Future Energy Systems (NEFES 2021), 2021年11月, 英語Route to High Conversion Efficiency Solar Cell[招待有り]口頭発表(招待・特別)
- 第40回電子材料シンポジウム, 2021年10月, 日本語2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池における 断熱的バンド内光励起による擬フェルミ準位分裂ポスター発表
- 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月, 英語On the Simulation of Two-Step Photocurrent Generation in an InAs Quantum Dot -in-Well Intermediate Band Solar Cell口頭発表(一般)
- 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月, 日本語正孔のアップコンバージョンを利用した2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池のバンド内遷移過程口頭発表(一般)
- 8th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano2021), 2021年09月, 英語Two-step photon up-conversion solar cells: recent progress and future directions[招待有り]口頭発表(招待・特別)
- 第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月, 英語Efficiency Compensation from Intraband Transitions of Opposite Carrier in a Quantum Dot-in-Well Intermediate Band Solar Cell口頭発表(一般)
- 第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月, 日本語変調ドープした二段階フォトンアップコンバージョン太陽電池における電圧上昇効果口頭発表(一般)
- 第4回フロンティア太陽電池セミナー, 2019年11月, 日本語高効率2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池の基礎動作検証[招待有り]口頭発表(招待・特別)
- 46th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2019年07月, 英語, Chicago, 国際会議Strong Voltage-Boost Effect in Two-Step Photon-Up Conversion Solar Cells口頭発表(一般)
- 46th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2019年07月, 英語, Chicago, 国際会議Hot-Carrier Extraction in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Solar Cells口頭発表(一般)
- 46th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2019年06月, 英語, Chicago, 国際会議Reciprocal Relationship Between Photoluminescence and Photocurrent in Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cell口頭発表(一般)
- Optics&Photonics International Congress 2019, 2019年04月, 英語, Yokohama, 国際会議Efficient Hot-Carrier Generation in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices口頭発表(一般)
- 第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月, 日本語, 国内会議InAs/GaAs量子ドット超格子を用いたホットキャリア型太陽電池における開放電圧の向上口頭発表(一般)
- 第37回電子材料シンポジウム, 2018年10月, 日本語, 国内会議Voltage boost effect in two-step photon up-conversion solar cell with partial absorptivityポスター発表
- 35th European PV Solar Energy Conference and Exhibition, 2018年09月, 英語, Belgium, 国際会議Optimal Band Gap Energies for Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells with Partial Absorptivity口頭発表(一般)
- 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月, 日本語, 国内会議InAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池におけるホットキャリア電流取り出し特性口頭発表(一般)
- 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月, 日本語, 国内会議2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池における理論変換効率の入射光スペクトル形状依存性口頭発表(一般)
- 2018 年度 応用物理学会中国四国支部・若手半導体研究会, 2018年08月, 日本語超高効率フォトンアップコンバージョン太陽電池の提案と基礎検証[招待有り]口頭発表(招待・特別)
- The 7th edition of the World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 2018年06月, 英語, Hawaii, 国際会議Carrier Collection Efficiency of Intraband-Excited Carriers in Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells口頭発表(一般)
- 応用物理学会関西支部平成30年度第1回講演会, 2018年05月, 日本語, 神戸大学, 国内会議入射光スペクトル形状を考慮した2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池の理論変換効率ポスター発表
- International Conference on Nanophotonics and Nano-optoelectronics 2018, 2018年04月, 英語, Yokohama, 国際会議Polarization Dependent Photocurrent in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Solar Cells口頭発表(一般)
- International Conference on Nanophotonics and Nano-optoelectronics 2018, 2018年04月, 英語, Yokohama, 国際会議Extraction Efficiency of Up-Converted Electrons in Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells口頭発表(一般)
- 第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月, 日本語, 国内会議吸収率を考慮した2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池の理論変換効率口頭発表(一般)
- 第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月, 日本語, 国内会議InAs/GaAs量子ドット超格子を用いたホットキャリア型太陽電池動作実証口頭発表(一般)
- 応用物理学会関西支部平成29年度第3回講演会, 2018年02月, 日本語, 国内会議InAs/GaAs量子ドット超格子を用いたホットキャリア型太陽電池の動作評価ポスター発表
- SPIE Photonics West, 2018年01月, 英語, San Francisco, 国際会議Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cell: Propose and Demonstration[招待有り]口頭発表(招待・特別)
- MTSA2017-OptoX Nano-TeraNano8, 2017年11月, 英語, Okayama, 国際会議Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cell口頭発表(一般)
- The 27th Photovoltaic Science and Engineering Conference, 2017年11月, 英語, Otsu, 国際会議Two-Step Photo-Excitated Electrons with Extremely-Long Lifetime in Intermedeate-band Solar Cells Using Dot-in Well Strucyure口頭発表(一般)
- The 27th Photovoltaic Science and Engineering Conference, 2017年11月, 英語, Otsu, 国際会議Two-Step Photn Up-Conversion Solar Cells Incorporating a Voltage Booster Hetero-Interface口頭発表(一般)
- The 27th Photovoltaic Science and Engineering Conference, 2017年11月, 英語, Otsu, 国際会議Infrared Absorption Characteristics in Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells口頭発表(一般)
- The 27th Photovoltaic Science and Engineering Conference, 2017年11月, 英語, Otsu, 国際会議Efficient Two-Step Photocurrent in Intermediate Band Solar Cells Using Highly Homogeneous InAs/GaAs Quantum-Dot Superlattice口頭発表(一般)
- 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月, 日本語, 国内会議低温キャップInAs/GaAs量子ドット超格子中間バンド型太陽電池における熱脱出の抑制口頭発表(一般)
- 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成29年度第1回研究会, 2017年09月, 日本語, 国内会議低温キャップInAs/GaAs量子ドット超格子中間バンド型太陽電池における2段階光吸収の増強口頭発表(一般)
- 33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 2017年09月, 英語, Netherlands, 国際会議Photon Up-Converted Photocurrent in a Single Junction Solar Cell with a Hetero-Interface口頭発表(一般)
- 33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 2017年09月, 英語, Netherlands, 国際会議Increasing Photovoltage Boosted by Photon Up-Conversion in a Single-Junction Solar Cell with a Hetero-Interface口頭発表(一般)
- 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月, 日本語, 国内会議InAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池におけるバンド内遷移の偏光特性口頭発表(一般)
- 33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 2017年09月, 英語, Netherlands, 国際会議Extended Optical Response of Two-Step Photoexcitation in InAs/GaAs Quantum-Dot Superlattice Intermediate Band Solar Cells口頭発表(一般)
- SemiconNano 2017: 6th International Workshop Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, 2017年09月, 英語, Milano, 国際会議Carrier Dynamics in Photon Up-Conversion Solar Cells口頭発表(一般)
- 2017 IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2017年06月, 英語, Washington D.C., 国際会議Increasing Current Generation by Photon Up-Conversion in a Single-Junction Solar Cell with a Hetero-Interface口頭発表(一般)
- 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 2016年09月, 日本語, 国内会議InAs/GaAs量子ドット中間バンド型太陽電池における電子の熱脱出過程の解明口頭発表(一般)
- 第35回電子材料シンポジウム, 2016年07月, 日本語, 国内会議Thermal carrier-escape process from the intermediate band in InAs/GaAs quantum dot solar cellsポスター発表
- UK Semiconductors 2016, 2016年07月, 英語, Sheffield, 国際会議Polarization-Insensitive Intraband Transition in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices口頭発表(一般)
- 32nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 2016年06月, 英語, Munich, 国際会議Extended Electron Lifetime in Intermediate-Band Solar Cells Using Dot-in-Well Structure口頭発表(一般)
- 32nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 2016年06月, 英語, Munich, 国際会議Enhancement of Two-Step Photon Absorption Due to Miniband Formation in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Solar Cell口頭発表(一般)
- IEEE Electron Devices Society Membership2018年01月 - 現在
- IEEE Membership2018年01月 - 現在
- 応用物理学会 正会員2017年01月 - 現在
- 日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(B), 基盤研究(B), 神戸大学, 2023年04月 - 2026年03月ヘテロ界面に挿入した量子ドットによる赤外増感型光電変換の実現
- 日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(C), 基盤研究(C), 神戸大学, 2023年04月 - 2026年03月ダブルトンネル接合を利用したラチェット型アップコンバージョン太陽電池
- 日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(A), 基盤研究(A), 神戸大学, 2019年04月01日 - 2023年03月31日バンド内光学遷移分極の制御を基盤とした赤外増感型光電変換の新展開p型とn型に挟まれたダイオード構造の真性層に、AlGaAs/GaAsヘテロ界面にInAs量子ドットを挿入した量子ナノ構造を作製し、電子のみを蓄積したヘテロ界面において価電子バンド-伝導バンド間光学遷移とバンド内光学遷移の連続した2段階の遷移による電子のエネルギーをアップコンバージョンによって増強されたバンド内光吸収に基づく赤外波長域に応答する光電変換特性を実現する。本年度は以下のように実施した。 (1)量子ナノ構造の作製と基礎光学特性評価:分子線エピタキシー技術を利用してGaAs(001)基板上にAlGaAs/GaAsヘテロ界面にInAs量子ドットを挿入した量子ナノ構造を内包するダイオード構造を作製し、ヘテロ界面にSi変調ドーピングによって電子密度を制御した量子構造を作製した。変調ドーピングによる界面電界の制御を明らかにして、光電流取り出し特性を詳細に明らかにした。 (2)バンド内光学遷移分極の制御:バンド内光学遷移強度は、光電場で誘起される電子分極の大きさと遷移始状態の電子占有率に比例する。量子ドットのサイズ、密度による光学応答への影響を明らかにするため電子で満たされた量子ドットにおけるプラズモン共鳴特性を明らかにして中赤外領域における光アンテナ効果を理論的に予測した。具体的には、量子ドットの形状・サイズに依存したプラズモン共鳴特性を計算し、8~16マイクロメートルの広範囲にわたる制御性を明らかにするとともに、量子ドット間のプラズモン共鳴状態の結合によるモード分散を明らかにした。 (3)光吸収係数の定量評価とアップコンバージョン光電流の最大化:デバイスを試作して光近赤外から中赤外に広がる広い波長範囲で光応答特性を明らかにし、ヘテロ界面電子濃度に依存すると予想されるバンド内光学遷移を確認した。
- 日本学術振興会, 科学研究費助成事業 若手研究, 若手研究, 神戸大学, 2020年04月 - 2023年03月アップコンバージョン現象を利用した太陽電池による高効率エネルギー変換の実現現在の太陽電池の主流である単接合型太陽電池の変換効率は理論的に約30%に制限される。その理論変換効率を超える太陽電池のアイデアがいくつか提案されているが、我々は2個の低エネルギー光子から1個の高エネルギー電子を生成する2段階アップコンバージョン(TPU)現象を利用した、2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池(TPU-SC)を提案した。本研究では、アップコンバージョンによる電流上昇効率を現状からさらに10倍向上し、変換効率向上に寄与することを目的とする。 1年目は変調ドーピングによるアップコンバージョン効率の向上を実証することを行った。その結果、約3倍のアップコンバージョン効率の向上に成功した。また、アップコンバージョンによるヘテロ界面での擬フェルミ準位分裂の実験観測に成功した。これは、ヘテロ界面における赤外線吸収により、低エネルギーフォトンの光エネルギー変換が可能であることを示している。2年目は、ヘテロ界面に挿入した量子ドットの位置によるアップコンバージョンへの変化を調べた。その結果、量子ドットの位置を最適化することでアップコンバージョン効率がさらに3倍以上向上することを見出した。これにより、当初の目標であったアップコンバージョン効率の10倍向上が見えてきた。一方、ナローギャップ半導体に正孔のバリア層を設けることで、電子と正孔の分離を促し、ヘテロ界面に蓄積する電子密度の向上を図ったが、このバリアによりヘテロ界面での電子密度が減少することが分かり、この構造は適切ではないことが分かった。 一方、ホールのアップコンバージョンを利用したアップコンバージョン太陽電池の電流減少メカニズムも継続して取り組んでいる。アップコンバージョン遷移後の状態で、実効的なエネルギーバリアにより、正孔の取り出しが阻害される可能性を見出した。来年度も引き続き解明に取り組む。
- 日本学術振興会, 科学研究費助成事業 挑戦的研究(萌芽), 挑戦的研究(萌芽), 神戸大学, 2020年07月 - 2022年03月赤外増感型バンド内光学遷移の制御と超高感度量子型赤外線センサーへの応用本研究では量子ドットとヘテロ界面を融合した量子ナノ構造を有する新しい赤外光センシングデバイスを開発した。このデバイスはヘテロ界面における高効率なバンド内光学遷移エンジニアリングを原理として駆動しており、量子ドット形状による光増感が特徴である。開発したデバイスはAl0.3Ga0.7As/GaAsヘテロ界面にInAs量子ドットを挿入した構造で、ヘテロ界面に蓄積される電子が赤外光で励起されて光電流を生じる量子型デバイスである。赤外光センシングは量子ドットによって顕著に増強した。理論計算により、量子ドット界面に局在する強いプラズモンモードによって赤外光の電場が増強していることが明らかになった。
- 学術研究助成基金助成金/国際共同研究加速基金(国際共同研究強化(B)), 2018年10月 - 2021年03月競争的資金
- 公益財団法人ひょうご科学技術協会, 学術研究助成, 2019年04月 - 2020年03月, 研究代表者フォトンアップコンバージョン太陽電池における高効率エネルギー変換の実現
- 科学研究費補助金/研究活動スタート支援, 2018年08月 - 2020年03月, 研究代表者競争的資金
- 公益財団法人 小笠原科学技術振興財団, 国際研究集会出張助成, 2017年11月 - 2017年11月半導体ヘテロ接合を有する単接合型太陽電池における光アップコンバージョンによる光起電力の増強
- 公益財団法人 関西エネルギー・リサイクル科学技術振興財団, 国際交流活動助成(渡航), 2017年06月 - 2017年06月ヘテロ接合を有する単接合型太陽電池の光アップコンバージョンによる電流生成の増大
- 公益財団法人 村田学術振興財団, 海外派遣援助, 2016年04月 - 2016年04月ドットインウェル構造を用いた中間バンド型太陽電池における、電子寿命の伸長
- 公益財団法人 関西エネルギー・リサイクル科学技術振興財団, 国際交流活動助成(海外渡航), Al0.3Ga0.7As/GaAs量子井戸に埋め込まれたInAs量子ドットを使用した中間バンド型太陽電池の2段階光キャリア生成の飽和, 2015年06月 - 2015年06月, 研究代表者
研究シーズ
■ 研究シーズ- アップコンバージョン太陽電池–次世代太陽電池を目指してシーズカテゴリ:エネルギー, ものづくり技術(機械・電気電子・化学工業)研究キーワード:太陽電池, 量子ドット, アップコンバージョン研究内容:現在主流であるシリコン単接合型太陽電池は理論変換効率が最大約30%で、それ以上の変換効率を目指すには別の構造が必要です。そうした中で、シリコン単接合型太陽電池では吸収できなかった長波長の光子を2段階で吸収するアップコンバージョン太陽電池を提案しております。この太陽電池の理論変換効率は100倍集光下で50%を超えることが理論的に分かっており、この太陽電池の実現に向け取り組んでいます。