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原田 幸弘
大学院工学研究科 電気電子工学専攻
助教

研究者基本情報

■ 学位
  • 博士（工学）, 神戸大学
■ 研究分野
  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学

研究活動情報

■ 論文
■ MISC
  • 中間バンド構造を導入した熱放射発電素子
    原田幸弘
    2025年03月, クリーンエネルギー, 392, 14 - 19, 日本語
    [招待有り]
    記事・総説・解説・論説等（商業誌、新聞、ウェブメディア）

  • 半導体量子ドット超格子におけるホットキャリアダイナミクス
    原田 幸弘
    電気評論社, 2017年07月, 電気評論, 642(7) (7), 67 - 71, 日本語
    [招待有り]
    記事・総説・解説・論説等（商業誌、新聞、ウェブメディア）

  • 中間バンド型高効率太陽電池―量子ナノ構造中における光キャリアダイナミックス―
    喜多 隆, 原田 幸弘
    応用物理学会, 2014年05月, 応用物理, 83(5) (5), 348 - 355, 日本語
    [査読有り]
    記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）

  • 21pPSA-37 GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子分子の磁気光学特性(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
    原田 幸弘, 久保 輝宜, 井上 知也, 小島 磨, 喜多 隆
    一般社団法人日本物理学会, 2011年08月24日, 日本物理学会講演概要集, 66(2) (2), 728 - 728, 日本語

  • 22pPSB-8 窒素をデルタドープしたGaAsにおける発光スペクトルの反磁性シフト(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
    原田 幸弘, 小島 磨, 喜多 隆, 和田 修
    一般社団法人日本物理学会, 2010年03月01日, 日本物理学会講演概要集, 65(1) (1), 782 - 782, 日本語

  • 27aPS-54 GaAs中の窒素等電子束縛励起子微細構造におけるポピュレーション(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
    原田 幸弘, 小島 磨, 喜多 隆, 和田 修
    一般社団法人日本物理学会, 2009年08月18日, 日本物理学会講演概要集, 64(2) (2), 657 - 657, 日本語

  • 21aYK-11 CdTe/CdMnTe分数層超格子における異方的な磁気光学特性のMn組成分布依存性(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
    原田 幸弘, 喜多 隆, 和田 修, 安藤 弘明, Mariette Henri
    一般社団法人日本物理学会, 2008年08月25日, 日本物理学会講演概要集, 63(2) (2), 605 - 605, 日本語

  • 25pWJ-6 CdTe/CdMnTe分数層超格子における発光線幅の磁場依存性(量子井戸・超格子ほか,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
    原田 幸弘, 喜多 隆, 和田 修, 安藤 弘明, Mariette H.
    一般社団法人日本物理学会, 2008年02月29日, 日本物理学会講演概要集, 63(1) (1), 683 - 683, 日本語

  • 22aTG-7 CdTe/CdMnTe分数層超格子における異方的なZeemanシフト(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
    原田 幸弘, 喜多 隆, 和田 修, 安藤 弘明, Mariette H.
    一般社団法人日本物理学会, 2007年08月21日, 日本物理学会講演概要集, 62(2) (2), 688 - 688, 日本語

  • 18pTA-11 II-VI族分数層超格子の近接場分光(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
    原田 幸弘, 喜多 隆, 和田 修, Mariette H., 松田 一成, 金光 義彦
    一般社団法人日本物理学会, 2007年02月28日, 日本物理学会講演概要集, 62(1) (1), 663 - 663, 日本語

  • 19pTA-6 CdTe/CdMnTe分数層超格子における磁気光学特性の面内異方性(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
    原田 幸弘, 喜多 隆, 和田 修, Mariette H., 安藤 弘明
    一般社団法人日本物理学会, 2007年02月28日, 日本物理学会講演概要集, 62(1) (1), 673 - 673, 日本語

  • 23pXJ-4 CdTe/CdMnTe量子細線の近接場光学スペクトル(23pXJ 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
    原田 幸弘, 喜多 隆, 和田 修, Marsal L., Mariette H., 松田 一成, 金光 義彦
    一般社団法人日本物理学会, 2006年08月18日, 日本物理学会講演概要集, 61(2) (2), 528 - 528, 日本語

  • 25aXJ-12 CdTe/CdMnTe量子細線における電子状態の磁場依存性(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
    原田 幸弘, 喜多 隆, 和田 修, 安藤 弘明
    一般社団法人日本物理学会, 2006年08月18日, 日本物理学会講演概要集, 61(2) (2), 544 - 544, 日本語

  • 28pPSB-1 CdTe/CdMnTe量子細線における交換相互作用と電子状態の制御(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
    原田 幸弘, 喜多 隆, 和田 修, 安藤 弘明, Marsal L., Mariette H.
    一般社団法人日本物理学会, 2006年03月04日, 日本物理学会講演概要集, 61(1) (1), 691 - 691, 日本語

  • 24aZC-4 磁場下CdTe/Cd_<0.75>Mn_<0.25>Te細線構造における価電子帯バンドミキシング(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
    原田 幸弘, 永沼 良太, 喜多 隆, 和田 修, Marsal L., Mariette H., 安藤 弘明
    一般社団法人日本物理学会, 2005年03月04日, 日本物理学会講演概要集, 60(1) (1), 630 - 630, 日本語

  • 14aYC-3 CdTe/(Cd, Mn)Te 量子細線における励起子磁気ポーラロンの異方的なエネルギー緩和特性(磁性半導体, 領域 4)
    永沼 良太, 原田 幸弘, 喜多 隆, 和田 修, Marsal L., Marriete H.
    一般社団法人日本物理学会, 2004年08月25日, 日本物理学会講演概要集, 59(2) (2), 614 - 614, 日本語

  • 29pYF-12 CdTe/CdMnTeナノワイヤにおける磁気ポーラロン形成(半導体スピン物性)(領域4)
    永沼 良太, 原田 幸弘, 松浦 佑一郎, 永原 靖治, 喜多 隆, 和田 修, Meriette H.
    一般社団法人日本物理学会, 2004年03月03日, 日本物理学会講演概要集, 59(1) (1), 700 - 700, 日本語

  • 29pYF-11 CdTe/(Cd,Mn)Teナノワイヤにおけるホールスピン配向の面内磁場異方性(半導体スピン物性)(領域4)
    原田 幸弘, 永沼 良太, 松浦 佑一郎, 永原 靖治, 喜多 隆, 和田 修, Mariette H.
    一般社団法人日本物理学会, 2004年03月03日, 日本物理学会講演概要集, 59(1) (1), 700 - 700, 日本語

■ 講演・口頭発表等
  • 半導体光共振器中での電気光学効果を利用したテラヘルツ電界センサ：位相差信号の共振器Q値依存性
    原田幸弘, 北田貴弘, 海津利行, 南康夫, 小島磨, 喜多隆, 和田修
    第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月, 日本語
    口頭発表（一般）

  • 半導体光共振器中での電気光学効果を利用したテラヘルツ電界センサ：結晶面方位の検討
    北田貴弘, 原田幸弘, 海津利行, 南康夫, 小島磨, 喜多隆, 和田修
    第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月, 日本語
    口頭発表（一般）

  • Siレーザーパワーコンバーターの分光評価
    花熊亮汰, 朝日重雄, 原田幸弘, 喜多隆
    第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月, 日本語
    口頭発表（一般）

  • Maximum output power density by photon partitioning optimization in intermediate-band thermoradiative diodes
    Y. Harada, T. Kita
    35th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, 2024年11月, 英語
    口頭発表（一般）

  • Voltage boost effect in intermediate-band thermoradiative diodes
    Y. Harada, T. Kita
    第43回電子材料シンポジウム, 2024年10月, 日本語
    ポスター発表

  • Power-dependent photovoltaic properties of laser power converter
    R. Hanakuma, S. Asahi, Y. Harada, T. Kita
    第43回電子材料シンポジウム, 2024年10月, 日本語
    ポスター発表

  • 多重積層InAs/GaAs量子ドットを用いた光伝導アンテナの様々な励起光波長における光電流の励起光強度依存性
    海津利行, 小島磨, 南康夫, 北田貴弘, 原田幸弘, 喜多隆, 和田修
    第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月, 日本語
    口頭発表（一般）

  • 中間バンドを有する熱放射ダイオードの理論発電密度(Ⅱ)
    原田幸弘, 喜多隆
    第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月, 日本語
    口頭発表（一般）

  • Output power density of intermediate-band thermoradiative diodes with doping-concentration limits
    Y. Harada, F. Nishii, T. Kita
    52nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2024年06月, 英語
    口頭発表（一般）

  • 中間バンドを有する熱放射ダイオードの理論発電密度
    原田幸弘, 西井風花, 喜多隆
    第71回応用物理学会春季学術講演会, 日本語
    口頭発表（一般）

  • 局在表面プラズモン共鳴による高ドープInAs/GaAs量子ドットにおける赤外光吸収増強
    川上瑞人, 原田幸弘, 朝日重雄, 喜多隆
    第34回光物性研究会, 日本語
    ポスター発表

  • Enhanced Near-Infrared Absorption by Localized Surface Plasmon Resonance in Heavily-Doped InAs/GaAs Quantum Dots
    Y. Harada, M. Kawakami, S. Asahi, T. Kita
    第42回電子材料シンポジウム (2023)., 日本語
    ポスター発表

  • 高ドープInAs/GaAs量子ドットにおける局在表面プラズモン共鳴による赤外光吸収増強
    川上瑞人, 原田幸弘, 朝日重雄, 喜多隆
    第84回応用物理学会秋季学術講演会, 日本語
    口頭発表（一般）

  • Localized Surface Plasmon Resonance of Quantum Dots in Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cell Structures
    Y. Harada, M. Kawakami, S. Asahi, T. Kita
    50th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 英語
    ポスター発表

  • ドープされたInAs/GaAs量子ドットにおける局在表面プラズモン共鳴による電場増強効果
    川上瑞人, 原田幸弘, 朝日重雄, 喜多隆
    日本材料学会 2022年度半導体エレクトロニクス部門委員会 第3回研究会, 2023年01月, 日本語
    口頭発表（一般）

  • Intraband Transition in Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells
    Y. Harada, S. Asahi, T. Kita
    41st Electronic Materials Symposium, 2022年10月, 日本語
    ポスター発表

  • Intraband Absorptivity in Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells
    Y. Harada, S. Asahi, T. Kita
    The 35th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2022年06月, 英語
    口頭発表（一般）

  • Route to High Conversion Efficiency Solar cell
    Shigeo Asahi, Yukihiro Harada, Takashi Kita
    The 6th International Conference on New Energy and Future Energy Systems, 2021年11月

  • Anti-Stokes photoluminescence of GaAs:Er,O for laser cooling in photonic crystal nano-cavity
    Y. Nakayama, M. Ogawa, Y. Harada, J. Tatebayashi, T. Kita, F. Fujiwara
    第40回電子材料シンポジウム, 2021年10月

  • エピタキシャル成長を利用した固体レーザー冷却用高品質Yb:Y-Al-O厚膜の作製
    中山雄太, 薩井篤, 松尾祐治, 原田幸弘, 喜多隆
    第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月

  • Lateral Photoconductivity of Multiple-Stacked InAs/GaAs Quantum Dot Structure for Photoconductive Antenna Device
    T. Kaizu, I. Kohama, Y. Minami, T. Kitada, Y. Harada, O. Kojima, T. Kita, O. Wada
    Compound Semiconductor Week (CSW) 2021, 2021年05月

  • Yb-doped Yttrium Aluminum Perovskite for Radiation Balanced Laser Application
    Y. Nakayama, Y. Harada, T. Kita
    SPIE Photonics West 2021, 2021年03月

  • 光伝導アンテナ応用へ向けた多重積層InAs/GaAs量子ドットの光学特性評価
    海津利行, 小濱一晟, 南康夫, 北田貴弘, 原田幸弘, 小島磨, 喜多隆, 和田修
    第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月

  • 光伝導アンテナ応用へ向けた多重積層InAs/GaAs量子ドットの電気特性評価
    南康夫, 新免歩, 北田貴弘, 原田幸弘, 海津利行, 小島磨, 喜多隆, 和田修
    第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月

  • 相分離したYb添加Y-Al-O透明薄膜における結晶相間エネルギー移動
    中山雄太, 原田幸弘, 石原嗣生, 喜多隆
    第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月

  • Anti-Stokes Photoluminescence Caused by Energy Transfer in Ytterbium-Doped Yttrium Aluminum Perovskite
    Y. Nakayama, Y. Harada, T. Kita
    第39回電子材料シンポジウム, 2020年10月

  • 量子ドット超格子を利用した高効率太陽電池
    原田幸弘
    応用物理学会KOSENスチューデントチャプター第1回VR学術講演会, 2020年07月
    [招待有り]
    公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等

  • 2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池におけるバンド内遷移特性
    原田幸弘, 草木和輝, 朝日重雄, 喜多隆
    第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月, 日本語
    口頭発表（一般）

  • 多重積層InAs/GaAs量子ドットを用いた光伝導アンテナの作製
    海津利行, 北田貴弘, 南康夫, 原田幸弘, 小島磨, 喜多隆, 和田修
    第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月, 日本語
    口頭発表（一般）

  • Yb添加YAG-YAM共晶透明薄膜におけるAnti-Stokes PL過程と理想レーザー冷却効率
    中山雄太, 中川望夢, 原田幸弘, 喜多隆
    第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月
    口頭発表（一般）

  • Enhancement of laser cooling efficiency in rare-earth-doped oxide at elevated high temperature
    Y. Nakayama, Y. Harada, T. Kita
    SPIE Photonics West 2020, 2020年02月, 英語
    [招待有り]
    口頭発表（招待・特別）

  • 量子構造太陽電池における光励起キャリアダイナミクス
    原田幸弘
    第十三回紀州吉宗セミナー, 2020年01月, 日本語
    [招待有り]
    公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等

  • Yb:YAG薄膜からの強いAnti-Stokes発光とレーザー冷却特性
    中川望夢, 中山雄太, 原田幸弘, 喜多隆
    第30回光物性研究会, 2019年12月, 日本語
    ポスター発表

  • (Yb:Y)AGセラミックスにおけるAnti-Stokes PL過程
    中山雄太, 原田幸弘, 喜多隆
    第30回光物性研究会, 2019年12月, 日本語
    ポスター発表

  • 光物性の基礎
    原田幸弘
    第3回ISYSE研究会, 2019年11月, 日本語
    [招待有り]
    公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等

  • Hot-Carrier Extraction from InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices Embedded in GaAs Solar Cells
    Y. Harada, N. Iwata, S. Asahi, T. Kita
    第38回電子材料シンポジウム, 2019年10月, 英語
    ポスター発表

  • Efficient Laser Cooling in Rare-Earth Doped Oxides at High Temperature
    Y. Nakayama, Y. Harada, T. Kita
    第38回電子材料シンポジウム, 2019年10月, 英語
    ポスター発表

  • Excitation Energy Dependence of Hot-Carrier Extraction Process in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Solar Cells
    Y. Harada, N. Iwata, S. Asahi, T. Kita
    7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, 2019年09月, 英語
    口頭発表（一般）

  • Laser Cooling Utilizing Anti-Stokes Photoluminescence in Yb-Doped Yttrium Aluminum Garnet
    Y. Nakayama, Y. Harada, T. Kita
    7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, 2019年09月, 英語
    ポスター発表

  • InAs/GaAs量子ドット超格子におけるホットキャリア生成過程
    原田幸弘, 松井麻斗, 喜多隆
    第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月, 日本語
    口頭発表（一般）

  • (Y:Yb)AGにおける高温でのAnti-Stokes発光増強メカニズム
    中山雄太, 原田幸弘, 喜多隆
    第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月, 日本語
    口頭発表（一般）

  • Hot-Carrier Extraction in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Solar Cells
    Y. Harada, N. Iwata, D. Watanabe, S. Asahi, T. Kita
    46th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2019年07月, 英語, Chicago, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Efficient Hot-Carrier Generation in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices
    Y. Harada, N. Iwata, D. Watanabe, S. Asahi, T. Kita
    Optics&Photonics International Congress 2019, 2019年04月, 英語, Yokohama, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • InAs/GaAs量子ドット超格子を用いたホットキャリア型太陽電池における開放電圧の向上
    原田 幸弘, 岩田 尚之, 朝日 重雄, 喜多 隆
    第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月, 日本語, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • (Y:Yb)AGにおける高温でのanti-Stokes発光増強
    中山 雄太, 安藤 達人, 寺田 康太, 原田 幸弘, 喜多 隆
    第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月, 日本語, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • Voltage boost effect in two-step photon up-conversion solar cell with partial absorptivity
    Y. Harada, S. Asahi, T. Kita
    第37回電子材料シンポジウム, 2018年10月, 日本語, 国内会議
    ポスター発表

  • Laser Cooling in Yb-Doped Yttrium Aluminum Compounds
    Y. Nakayama, T. Ando, K. Terada, Y. Harada, T. Kita
    第37回電子材料シンポジウム, 2018年10月, 日本語, 国内会議
    ポスター発表

  • Optimal Band Gap Energies for Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells with Partial Absorptivity
    Y. Harada, T. Matsuo, S. Asahi, T. Kita
    35th European PV Solar Energy Conference and Exhibition, 2018年09月, 英語, Belgium, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • InAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池におけるホットキャリア電流取り出し特性
    岩田 尚之, 渡部 大樹, 原田 幸弘, 朝日 重雄, 喜多 隆
    第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月, 日本語, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • 2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池における理論変換効率の入射光スペクトル形状依存性
    原田 幸弘, 松尾 哲弘, 朝日 重雄, 喜多 隆
    第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月, 日本語, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • Yb添加Fttrium-Aluminum化合物によるもの固体レーザー冷却
    中山 雄太, 安藤 達人, 寺田 康太, 原田 幸弘, 喜多 隆
    平成30年度半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会, 2018年07月, 日本語, 奈良先端科学技術大学院大学, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • Optimization of Excitation Wavelengh in YAG:Yb for Laser cooling
    Y. Nakayama, K. Terada, Y. harada, K. Kita
    The 12th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed Matter and Nano Materials, 2018年07月, 英語, Nara, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Exciton Hopping Dynamics in GaAsBi
    Y.Harada, T. Wilson, N.P. Hylton, J.P. David, R.D. Richards, T. Kita, N.J. Ekins-Daukes
    9th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, 2018年07月, 英語, Kyoto, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • 入射光スペクトル形状を考慮した2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池の理論変換効率
    松尾 哲弘, 原田 幸弘, 朝日 重雄, 喜多 隆
    応用物理学会関西支部平成30年度第1回講演会, 2018年05月, 日本語, 神戸大学, 国内会議
    ポスター発表

  • Polarization Dependent Photocurrent in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Solar Cells
    Y. Harada, J. Yamada, D. Watanabe, S. Asahi, T. Kita
    International Conference on Nanophotonics and Nano-optoelectronics 2018, 2018年04月, 英語, Yokohama, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • 吸収率を考慮した2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池の理論変換効率
    原田 幸弘, 朝日 重雄, 喜多 隆
    第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月, 日本語, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • YAG:Ybにおけるanti-Stokes発光の励起波長依存性
    中山 雄太, 寺田 康太, 原田 幸弘, 喜多 隆
    第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月, 日本語, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • InAs/GaAs量子ドット超格子を用いたホットキャリア型太陽電池動作実証
    岩田 尚之, 渡部 大樹, 原田 幸弘, 朝日 重雄, 喜多 隆
    第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月, 日本語, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • InAs/GaAs量子ドット超格子を用いたホットキャリア型太陽電池の動作評価
    岩田 尚之, 渡部 大樹, 原田 幸弘, 朝日 重雄, 喜多 隆
    応用物理学会関西支部平成29年度第3回講演会, 2018年02月, 日本語, 国内会議
    ポスター発表

  • YAG:YbにおけるAnti-Stokes発光
    中山 雄太, 原田 幸弘, 喜多 隆
    第28回光物性研究会, 2017年12月, 日本語, 国内会議
    ポスター発表

  • Two-Step Photn Up-Conversion Solar Cells Incorporating a Voltage Booster Hetero-Interface
    S. Asahi, K. Kusaki, Y. Harada, T. Kita
    The 27th Photovoltaic Science and Engineering Conference, 2017年11月, 英語, Otsu, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Efficient Two-Step Photocurrent in Intermediate Band Solar Cells Using Highly Homogeneous InAs/GaAs Quantum-Dot Superlattice
    K. Hirao, S. Asahi, T. Kaizu, Y. Harada, T. Kita
    The 27th Photovoltaic Science and Engineering Conference, 2017年11月, 英語, Otsu, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Anti-Stokes photoluminescence in Yb-doped yttrium aluminum garnet
    Y. Nakayama, Y. Harada, T. Kita
    第36回電子材料シンポジウム, 2017年11月, 日本語, 国内会議
    ポスター発表

  • 低温キャップInAs/GaAs量子ドット超格子中間バンド型太陽電池における熱脱出の抑制
    平尾 和輝, 朝日 重雄, 海津 利行, 原田 幸弘, 喜多 隆
    第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月, 日本語, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • 低温キャップInAs/GaAs量子ドット超格子中間バンド型太陽電池における2段階光吸収の増強
    平尾 和輝, 朝日 重雄, 海津 利行, 原田 幸弘, 喜多 隆
    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成29年度第1回研究会, 2017年09月, 日本語, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • InAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池におけるバンド内遷移の偏光特性
    原田 幸弘, 山田 淳也, 渡部 大樹, 朝日 重雄, 喜多 隆
    第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月, 日本語, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • Two-energy-scales of localized states on photoluminescence thermal quenching in GaAsBi
    Y. Harada, T. Wilson, N. P. Hylton, A. Mellor, P. Pearce, R. D. Richards, J. P. David, N. J. Ekins-Daukes
    29th International Conference on Defects in Semiconductors, 2017年07月, 英語, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Stokes and Anti-Stokes Photoluminescence in Nitrogen ð-Doped Layer in GaAs
    Y. Harada, Y. Ogawa, T. Kaizu, T. Kita
    29th International Conference on Defects in Semiconductors, 2017年07月, 英語, Matsue, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Selective excitation of bulk GaAs1-xBix to assess the effects of short and long-range disorder on minority carrier transport properties
    T. Wilson, N. P. Hylton, D. Alonso-Álvarez, A. Mellor, Y. Harada, P. Pearce, R. D. Richards, J. P. David, N. J. Ekins-Daukes
    8th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, 2017年07月, 英語, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Photoluminescence spectroscopy of isoelectronic impurity doped GaAs
    Y. Harada
    International Workshop on Advanced Smart Materials and Engineering for Nano- and Bio-Technologies, 2017年07月, 英語, 国際会議
    [招待有り]
    口頭発表（招待・特別）

  • Density-of-states of localized states in GaAsBi
    Y. Harada, T. Wilson, N. P. Hylton, A. Mellor, P. Pearce, R. D. Richards, J. P. David, N. J. Ekins-Daukes
    8th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, 2017年07月, 英語, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • レーザー冷却に向けたYbドープ酸化物の作製
    中山 雄太, 尾崎 勝也, 石原 嗣生, 原田 幸弘, 喜多 隆
    応用物理学会関西支部平成29年度第1回講演会, 2017年05月, 日本語, 国内会議
    ポスター発表

  • GaAs中のエピタキシャル窒素膜における反ストークス発光
    原田 幸弘, 小川 泰弘, 海津 利行, 喜多 隆
    第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017年03月, 日本語, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • GaAs中のデルタドーピング窒化層を利用した光によるフォノン制御
    小川 泰弘, 原田 幸弘, 海津 利行, 喜多 隆
    第27回光物性研究会, 2016年12月, 日本語, 国内会議
    ポスター発表

  • Two-dimensional delocalized electronic states of epitaxial N d-doped layer in GaAs
    Y. Harada, Y. Ogawa, T. Kaizu, T. Kita
    Energy, Materials, and Nanotechnology Meeting on Epitaxy, 2016年09月, 英語, 国際会議
    [招待有り]
    口頭発表（招待・特別）

  • Nanosecond-scale hot-carrier cooling dynamics in one-dimensional InAs/GaAs quantum dot superlattices
    Y. Harada, N. Kasamatsu, D. Watanabe, T. Kita
    HEMP 2016: Hot Electrons and Solar Energy, 2016年09月, 英語, 国際会議
    [招待有り]
    口頭発表（招待・特別）

  • InAs/GaAs量子ドット中間バンド型太陽電池における電子の熱脱出過程の解明
    平尾 和輝, 渡辺 翔, 朝日 重雄, 海津 利行, 原田 幸弘, 喜多 隆
    第77回応用物理学会秋季学術講演会, 2016年09月, 日本語, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • Spatial Electronic Structure of an Isovalent Nitrogen Center in GaAs
    R. Plantenga, V. Kortan, T. Kaizu, Y. Harada, T. Kita, M. Flatte, P. Koenraad
    33rd International Conference on the Physics of Semiconductors, 2016年08月, 英語, Beijing, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Thermal carrier-escape process from the intermediate band in InAs/GaAs quantum dot solar cells
    K. Hirao, S. Asahi, S. Watanabe, T. Kaizu, Y. Harada, T. Kita
    第35回電子材料シンポジウム, 2016年07月, 日本語, 国内会議
    ポスター発表

  • Polarization-Insensitive Intraband Transition in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices
    Y. Harada, J. Yamada, D. Watanabe, S. Asahi, T. Kita
    UK Semiconductors 2016, 2016年07月, 英語, Sheffield, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Two-Dimensional Energy Dispersion in Thermally Annealed Epitaxial Nitrogen Atomic Sheet in GaAs
    Y. Ogawa, Y. Harada, T. Kaizu, T. Kita
    2016 Compound Semiconductor Week, 2016年06月, 英語, Toyama, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Polarization Anisotropy of Electroluminescence and Net-Modal Gain in Highly Stacked InAs/GaAs Quantum-Dot Laser Devices
    T. Kaizu, M. Suwa, T. Andachi, Y. Harada, T. Kita
    2016 Compound Semiconductor Week, 2016年06月, 英語, Toyama, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Enhancement of Two-Step Photon Absorption Due to Miniband Formation in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Solar Cell
    S. Watanabe, S. Asahi, T. Kada, T. Kaizu, Y. Harada, T. Kita
    32nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 2016年06月, 英語, Munich, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • 急速熱アニールしたGaAs中のエピタキシャル窒素膜の輻射再結合寿命
    小川 泰弘, 原田 幸弘, 海津 利行, 喜多 隆
    第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年03月, 日本語, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • Time-Resolved Photoluminescence of Thermally-Annealed Nitrogen Atomic Sheet in GaAs
    Y. Ogawa, Y. Harada, T. Kaizu, T. Kita
    17th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures, 2016年03月, 英語, Nara, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • InAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池におけるミニバンド形成が2段階光吸収に与える影響
    渡辺 翔, 朝日 重雄, 加田 智之, 海津 利行, 原田 幸弘, 喜多 隆
    第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年03月, 日本語, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • ポリマー薄膜中のコロイドPbS量子ドットにおけるパリティ選択則の緩和
    廣田 舞, 芝川 忠慶, 原田 幸弘, 喜多 隆
    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成27年度第1回研究会, 2015年11月, 日本語, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • ポリマー膜中のPbSコロイド量子ドットにおける磁気光学応答のヒステリシス特性
    原田 幸弘, 芝川 忠慶, 廣田 舞, 喜多 隆, 櫻井 敬博, 太田 仁
    日本物理学会2015年秋季大会, 2015年09月, 日本語, 国内会議
    ポスター発表

  • InAs/GaAs量子ドット超格子を利用したホットキャリア型太陽電池
    渡部 大樹, 原田 幸弘, 海津 利行, 喜多 隆
    第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年09月, 日本語, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • InAs/GaAs量子ドット超格子におけるホットキャリア冷却過程
    原田 幸弘, 笠松 直史, 渡部 大樹, 喜多 隆
    第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年09月, 日本語, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • Epitaxial Nitrogen Atomic Sheet in GaAs Grown by Nitorogen δ-Doping Technique
    Y. Harada, T. Baba, Y. Ogawa, T. Kaizu, T. Kita
    5th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, 2015年09月, 英語, Taiwan, 国際会議
    [招待有り]
    口頭発表（招待・特別）

  • 急速熱アニールによるGaAs中のエピタキシャル窒素シートにおける2次元物性の制御
    小川 泰弘, 原田 幸弘, 海津 利行, 喜多 隆
    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成27年度第1回研究会, 2015年07月, 日本語, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • Relaxation of Parity Selection Rules in Colloidal PbS Quantum Dots Embedded in Polymer Films
    M. Hirota, T. Shibakawa, Y. Harada, T. Kita
    21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems/17th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, 2015年07月, 英語, Sendai, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Hot-Carrier Distribution in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices and Its Application to Solar Cells
    D. Watanabe, N. Kasamatsu, Y. Harada, T. Kita
    34th Electronic Materials Symposium, 2015年07月, 日本語, 国内会議
    ポスター発表

  • Enhancement of Two Dimensionality in Epitaxial Nitrogen Atomic Sheet in GaAs by Rapid Thermal Annealing
    Y. Harada, Y. Ogawa, T. Baba, T. Kaizu, T. Kita
    21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems/17th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, 2015年07月, 英語, Sendai, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Annealing effects on the delocalized electronic states of epitaxial two-dimensional nitrogen atomic sheet in GaAs
    Y. Ogawa, Y. Harada, T. Baba, T. Kaizu, T. Kita
    34th Electronic Materials Symposium, 2015年07月, 日本語, 国内会議
    ポスター発表

  • Two-Step Photocarrier Generation in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Intermediate Band Solar Cell
    T. Kada, T. Tanibuchi, S. Asahi, T. Kaizu, Y. Harada, T. Kita, R. Tamaki, Y. Okada, K. Miyano
    42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2015年06月, 英語, New Orleans, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Hot-Carrier Cooling Dynamics in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices
    Y. Harada, N. Kasamatsu, D. Watanabe, T. Kita
    11th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed Matter and Nano Materials, Montreal, 2015年05月, 英語, Montreal, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • ポリマー薄膜中のコロイドPbS量子ドットにおける励起緩和過程の偏光異方性
    廣田 舞, 芝川 忠慶, 原田 幸弘, 喜多 隆
    第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015年03月, 日本語, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • InAs/GaAs量子ドット超格子におけるホットキャリアダイナミクス
    原田 幸弘, 渡部 大樹, 笠松 直史, 喜多 隆
    日本物理学会第70回年次大会（2015年）, 2015年03月, 日本語, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • GaAs中のエピタキシャル二次元窒素膜におけるアニール効果
    原田 幸弘, 小川 泰弘, 馬場 健, 海津 利行, 喜多 隆
    第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015年03月, 日本語, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • ポリマー薄膜中のコロイドPbS量子ドットにおける励起緩和過程の偏光異方性
    廣田 舞, 芝川 忠慶, 原田 幸弘, 喜多 隆
    第24回光物性研究会, 2014年12月, 日本語, 国内会議
    ポスター発表

  • InAs/GaAs量子ドット太陽電池におけるキャリア脱出の影響
    笠松 直史, 加田 智之, 渡部 大樹, 原田 幸弘, 喜多 隆
    第24回光物性研究会, 2014年12月, 日本語, 国内会議
    ポスター発表

  • GaAs中のエピタキシャル2次元窒素シート非局在電子状態の発光ダイナミクス
    馬場 健, 原田 幸弘, 海津 利行, 喜多 隆
    第24回光物性研究会, 2014年12月, 日本語, 国内会議
    ポスター発表

  • 低次元量子構造を利用したホットキャリア型太陽電池の提案
    渡部 大樹, 笠松 直史, 原田 幸弘, 喜多 隆
    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成26年度第2回研究会, 2014年11月, 日本語, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • ポリマー中に埋め込まれたPbSコロイド量子ドットにおける磁気発光強度のヒステリシス特性
    芝川 忠慶, 廣田 舞, 原田 幸弘, 喜多 隆
    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成26年度第2回研究会, 2014年11月, 日本語, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • Two-dimensional electronic states of epitaxial nitrogen atomic sheet in GaAs
    Y. Harada, T. Baba, T. Kaizu, T. Kita
    International Symposium on Recent Progress of Photonic Devices and Materials, 2014年11月, 英語, 国際会議
    [招待有り]
    口頭発表（招待・特別）

  • Photoluminescence Decay Dynamics in Epitaxial Two-Dimensional Nitrogen Atomic Sheet in GaAs
    T. Baba, Y. Harada, T. Kaizu, T. Kita
    International Symposium on Recent Progress of Photonic Devices and Materials, 2014年11月, 英語, Kobe University, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Hot Carrier Intermediate Band Solar Cell Using Low-Dimensioned Quantum Structures
    D. Watanabe, N. Kasamatsu, T. Kada, S. Asahi, Y. Harada, T. Kita
    WCPEC-6, 2014年11月, 英語, Kyoto International Conference Center, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Control of Electronic States Colloidal PbS Quantum Dots Embedded in Polymer Films
    M. Hirota, T. Shibakawa, Y. Harada, T. Kita
    International Symposium on Recent Progress of Photonic Devices and Materials, 2014年11月, 英語, Kobe University, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • 低次元量子構造を利用したホットキャリア中間バンド型太陽電池
    渡部 大樹, 笠松 直史, 原田 幸弘, 喜多 隆
    第75回応用物理学会学術講演会, 2014年09月, 日本語, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • GaAs中のエピタキシャル二次元窒素膜の電子状態 (II)
    原田 幸弘, 馬場 健, 海津 利行, 喜多 隆
    第75回応用物理学会学術講演会, 2014年09月, 日本語, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • GaAs中のエピタキシャル二次元窒素膜における発光ダイナミクス
    馬場 健, 原田 幸弘, 海津 利行, 喜多 隆
    第75回応用物理学会学術講演会, 2014年09月, 日本語, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • Two-dimensional electronic states of epitaxial nitrogen atomic sheet in GaAs grown by nitrogen delta-doping technique
    Y. Harada, T. Baba, T. Kita
    32nd International Conference on Physics of Semiconductors, 2014年08月, 英語, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Enhancement of interaction among nitrogen pair centers in epitaxial two-dimensional nitrogen atomic sheet in GaAs
    T. Baba, Y. Harada, T. Kaizu, T. Kita
    33rd Electronic Materials Symposium, 2014年07月, 日本語, 国内会議
    ポスター発表

  • GaAs中のエピタキシャル二次元窒素膜の電子状態
    原田 幸弘, 馬場 健, 喜多 隆
    第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014年03月, 日本語, 青山学院大学, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • Intraband Carrier Dynamics in Self-Assembled Quantum Dots for Infrared Optical Devices
    Y. Harada, T. Maeda, T. Kita
    EMN Fall Meeting, 2013年12月, 英語, Orland, Florida, USA, 国際会議
    [招待有り]
    口頭発表（招待・特別）

  • InAs/GaAs量子ドットにおけるbound-to-continuum型サブバンド間遷移の吸収係数
    原田 幸弘, 前田 剛志, 喜多 隆
    第23回光物性研究会, 2013年12月, 日本語, 大阪市立大学, 国内会議
    ポスター発表

  • GaAs中におけるエピタキシャル2次元窒素膜の磁気発光特性
    馬場 健, 山本 益輝, 原田 幸弘, 喜多 隆
    第23回光物性研究会, 2013年12月, 日本語, 大阪市立大学, 国内会議
    ポスター発表

  • 積層方向を制御した InAs/GaAs量子ドットの発光偏光特性
    原田 幸弘, 別所 侑亮, 喜多 隆, 田口 英次, 保田 英洋
    日本物理学会2013年秋季大会, 2013年09月, 日本語, 徳島大学, 国内会議
    ポスター発表

  • Electron Localization in GaAs:N Grown by Using δ-Doping Technique
    Y. Harada, M. Yamamoto, T. Baba, T. Kita
    2013 JSAP-MRS Joint Symposia, 2013年09月, 英語, Doshisya University, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Polarization Controlled Emisson from Closely Stacked InAs/GaAs Quantum Dots
    M. Suwa, A. Takahashi, T. Ueda, Y. Bessho, Y. Harada, T. Kita
    The 40th International Symposium on Compound Semiconductors, 2013年05月, 英語, Kobe, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Energy Relaxation of Photoexcited Electrons in Direct Si-Doped InAs/GaAs Quantum Dots
    R. Hasegawa, Y. Harada, T. Kita
    ISCS2013, 2013年05月, 英語, Kobe, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Effect of State Filling on Intraband Carrier Dynamics in InAs/GaAs quantum Dots
    Y. Harada, T. Maeda, T. Kita
    ISCS2013, 2013年05月, 英語, Kobe, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • 窒素を高濃度デルタドープしたGaAsの磁気光学特性
    原田 幸弘, 山本 益輝, 馬場 健, 喜多 隆
    第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013年03月, 日本語, 神奈川工科大学, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • 斜め積層InAs/GaAs量子ドットの端面発光特性
    原田 幸弘, 別所 侑亮, 喜多 隆, 田口 英次, 保田 英洋
    第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013年03月, 日本語, 神奈川工科大学, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • Si直接ドーピングInAs/GaAs量子ドットのキャリア緩和過程
    長谷川 隆一, 原田 幸弘, 喜多 隆
    第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013年03月, 日本語, 神奈川工科大学, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • Intraband Carrier Dynamics in InAs/GaAs Quantum Dots Studied by Two-Color Excitation Spectroscopy
    H. Harada, T. Maeda, T. Kita
    SPIE Photonics West 2013, 2013年02月, 英語, California, United States, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • 窒素デルタドーピングによるGaAs電子状態の制御
    山本 益輝, 原田 幸弘, 喜多 隆
    第23回光物性研究会, 2012年12月, 日本語, 大阪市立大学, 国内会議
    ポスター発表

  • Intermediate-Band Solar Cells using InGaAs/InP Superlattices
    Y. Harada, W. G. Hu, T. Kita
    4th International Workshop on Quantum Nanostructure Solar Cells/8th Seminar on Quantum Nanostructure Materials, 2012年12月, 英語, Kobe Ubiversity, 国際会議
    [招待有り]
    口頭発表（招待・特別）

  • In0.53Ga0.47As/InP超格子における2段階光吸収を利用した中間バンド型太陽電池
    原田 幸弘, 胡 衛国, 喜多 隆
    第23回光物性研究会, 2012年12月, 日本語, 大阪市立大学, 国内会議
    ポスター発表

  • 光共振器構造中のInAs/GaAs量子ドットにおけるサブバンド間遷移ダイナミクス
    原田 幸弘, 前田 剛志, 喜多 隆
    日本物理学会2012年秋季大会, 2012年09月, 日本語, 横浜国立大学, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • 光共振器構造中のInAs/GaAs量子ドットにおける2段階光吸収の増強
    原田 幸弘, 前田 剛志, 喜多 隆
    第73回応用物理学会学術講演会, 2012年09月, 日本語, 愛媛大学・松山大学, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • SiダイレクトドーピングによるInAs量子ドットのフェルミ準位の変化
    長谷川 隆一, 井上 知也, 原田 幸弘, 喜多 隆
    第73回応用物理学会学術講演会, 2012年09月, 日本語, 愛媛大学・松山大学, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • Miniband Formation in Closely-Stacked InAs GaAs Quantum Dots
    A Tahahashi, Y Ikeuchi, T Ueda, Y Harada, T Kita
    The17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 2012年09月, 英語, MBE, Nara, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • InフラックスによるInAs/GaAs量子ドットの積層方向の制御
    別所 侑亮, 原田 幸弘, 喜多 隆, 田口 英次, 保田 英洋
    第73回応用物理学会学術講演会, 2012年09月, 日本語, 愛媛大学・松山大学, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • InAs供給量を制御した近接積層InAs/GaAs量子ドットの発光特性
    高橋 章浩, 池内 佑一郎, 小西 康太, 上田 竜也, 原田 幸弘, 喜多 隆
    第73回応用物理学会学術講演会, 2012年09月, 日本語, 愛媛大学・松山大学, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • Effects of Excess Electrons on Recombination Lifetime in Directly Si-doped InAs GaAs Quantum Dots
    R Hasegawa, T Inoue, Y Harada, O Kojima, T Kita
    The17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 2012年09月, 英語, MBE, Nara, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Control of Stacking Direction of InAs GaAs Quantum Dots
    Y Bessho, Y Harada, T Kita, E Taguchi, H Yasuda
    The17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 2012年09月, 英語, MBE, Nara, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Control of Electronic Structure of GaAs Using Nitrogen δ-doping Technique
    M Yamamoto, K Kimura, Y Harada, T Kita
    The17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 2012年09月, 英語, MBE, Nara, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • GaAs中の配列制御された窒素ペアに束縛された励起子の光物性
    原田 幸弘, 喜多 隆
    第2回光科学異分野横断萌芽研究会, 2012年08月, 日本語, 岡崎コンファレンスセンター, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • Strong Electron-Hole Correlation in Bound Exciton in Nitrogen δ-Doped GaAs
    Y Harada, T Kubo, T Inoue, O Kojima, T Kita
    The 10th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Mattsr, Nanostructured and Molecular Materials, 2012年07月, 英語, EXCON, Groningen, Netherlands, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Intraband Optical Response in InAsGaAs Quantum Dots
    T Maeda, Y Harada, T Kita
    The 10th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Mattsr, Nanostructured and Molecular Materials, 2012年07月, 英語, Groningen, Netherlands, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Delocalization of electronic states formed by nitrogen pairs in GaAs
    M. Yamamoto, K. Kimura, Y. Harada, T. Kita
    31st Electronic Materials Symposium, 2012年07月, 日本語, ラフォーレ修善寺, 国内会議
    ポスター発表

  • Extremely Uniform Excitonic States in Nitrogen δ-Doped GaAs
    Y Harada, T Kita
    International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications, 2012年06月, 英語, ICOOPMA, Nara, 国際会議
    [招待有り]
    口頭発表（招待・特別）

  • Carrier Dynamics in Intermediate States of InAs/GaAs Quantum Dots Embedded in Photonic Cavity Structure
    T Kita, T Maeda, Y Harada
    38th IEEE Photovoltaic Specialist Conference, 2012年06月, 英語, IEEE, Austin, United States of America, 国際会議
    [招待有り]
    口頭発表（招待・特別）

  • 窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子発光線幅の温度依存性
    原田 幸弘, 久保 輝宣, 井上 知也, 小島 磨, 喜多 隆
    第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月, 日本語, 日本応用物理学会, 東京都, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • 近接積層InAs/GaAs量子ドットの光物性
    高橋 章浩, 池内 佑一郎, 小西 康太, 別所 侑亮, 原田 幸弘, 喜多 隆, 田口 英次, 保田 英洋
    第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月, 日本語, 応用物理学会, 新宿区, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • GaAsエピタキシャル界面への窒素のデルタドーピングと高均一発光特性
    喜多 隆, 原田 幸弘
    第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月, 日本語, 応用物理学会, 新宿区, 国内会議
    口頭発表（招待・特別）

  • Suppression of Nonradiative Recombination Process in Directly Si-Doped InAs Quantum Dots
    R Hasegawa, T Inoue, T Tanaka, H Harada, O Kojima, T Kita
    21st International Photovoltaic Science ａｎｄ Engineering Conference PVSECPVSEC-21, 2011年12月, 英語, Fukuoka, 国際会議
    ポスター発表

  • GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子における励起子-格子相互作用
    原田 幸弘, 久保 輝宣, 井上 知也, 小島 磨, 喜多 隆
    第22回光物性研究会, 2011年12月, 日本語, 光物性研究会組織委員, 熊本市, 国内会議
    ポスター発表

  • Optical Properties of Quantum Dot Superlattices
    T Kita, O Kojima, Y Harada
    8th International Conference on Flow Dynamics, 2011年11月, 英語, ICFD organizing committee, 仙台市, 国際会議
    ポスター発表

  • 光共振器を有する中間バンド型太陽電池の光吸収増強効果
    前田 剛志, 小島 磨, 原田 幸弘, 喜多 隆
    平成23年度第1回半導体エレクトロニクス部門委員会研究会, 2011年10月, 日本語, 材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会, 神戸市, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • 近接積層量子ドット成長を利用した偏波無依存光応答の実現
    小西 康太, 池内 佑一郎, 原田 幸弘, 喜多 隆, 田口 栄次, 保田 英洋
    平成23年度第1回半導体エレクトロニクス部門委員会研究会, 2011年10月, 日本語, 材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会, 神戸市, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • 窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子発光線の起源
    原田 幸弘, 久保 輝宣, 井上 知也, 小島 磨, 喜多 隆
    第72回応用物理学会学術講演会, 2011年09月, 日本語, 日本応用物理学会, 山形市, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • 近接積層に伴う量子ドットのフォトルミネッセンス偏光特性
    池内 佑一郎, 麻田 将貴, 井上 知也, 原田 幸弘, 喜多 隆, 田口 栄次, 保田 英洋
    第72回応用物理学会学術講演会, 2011年09月, 日本語, 応用物理学会, 山形市, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • Photoluminescence Polarization Anisotropy in Closely Stacked InAs/GaAs Quantum Dots
    T Kita, T Inoue, Y Harada
    Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, 2011年09月, 英語, Austria, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子分子の磁気光学特性
    原田 幸弘, 久保 輝宣, 井上 知也, 小島 磨, 喜多 隆
    日本物理学会2011年秋季大会, 2011年09月, 日本語, 日本物理学会, 富山市, 国内会議
    ポスター発表

  • GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子のフォノンサイドバンド発光
    原田 幸弘, 久保 輝宣, 井上 知也, 小島 磨, 喜多 隆
    第72回応用物理学会学術講演会, 2011年09月, 日本語, 日本応用物理学会, 山形市, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • Effect of Capping Layer Growth on Bound Exciton Luminescence in Nitrogen δ-Doped GaAs
    Y Harada, T Kubo, T Inoue, O Kojima, T Kita
    2011 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2011年09月, 英語, SSDN組織委員会, Aichi, 国際会議
    ポスター発表

  • Two-Photons Transition in Intermediate Band Solar Cells
    W G Hu, Y Harada, T Inoue, O Kojima, T Kita
    37th IEEE Photovoltaic Specialist Conference, 2011年07月, 英語, Seattle, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Electronic states in multiply stacked InAs/GaAs quantum dots studied by polarized photoluminescence spectroscopy
    IKEUCHI Yuichiro, ASADA Masaki, INOUE Tomoya, HARADA Yukihiro, KOJIMA Osamu, KITA Takashi
    第30回電子材料シンポジウム, 2011年07月, 日本語, EMS組織委員, 大津市, 国内会議
    ポスター発表

  • Capping layer dependence of bound exciton luminescence in nitrogen delta-doped GaAs
    Harada Yukihiro, KUBO Terutada, INOUE Tomoya, KOJIMA Osamu, KITA Takashi
    第30回電子材料シンポジウム, 2011年07月, 日本語, EMS組織委員, 大津市, 国内会議
    ポスター発表

  • Near-Field Photoluminescence Spectroscopy of CdTe/Cd0.75Mn0.25Te Tilted Superlattices
    Y Harada, T Kita, K Matsuda, Y Kanemitsu, H Mariette
    38th International Symposium on Compound Semiconductors, 2011年05月, 英語, ISCS組織委員会, Germany, 国際会議
    ポスター発表

  • Diamagnetic shift of exciton bound to the nitrogen pairs in GaAs
    Harada Yukihiro, KUBO Terutada, INOUE Tomoya, KOJIMA Osamu, KITA Takashi
    38th International Symposium on Compound Semiconductors, 2011年05月, 英語, ISCS組織委員会, Berling, Germany, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • 窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子発光線のキャップ層成長条件依存性
    原田 幸弘, 久保 輝宜, 井上 知也, 小島 磨, 喜多 隆
    第60回応用物理学関係連合講演会, 2011年03月, 日本語, 応用物理学会, 厚木市, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • 窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子発光線のキャップ層成長条件依存性
    原田 幸弘, 久保 輝宣, 井上 知也, 小島 磨, 喜多 隆
    第58回応用物理学関係連合講演会, 2011年03月, 日本語, 日本応用物理学会, 厚木市, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • 近接多層積層量子ドットのフォトルミネッセンス偏光特性
    池内 佑一郎, 麻田 将貴, 井上 知也, 原田 幸弘, 小島 磨, 喜多 隆
    第58回応用物理学関係連合講演会, 2011年03月, 日本語, 応用物理学会, 厚木市, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子の輻射再結合寿命
    原田 幸弘, 久保 輝宜, 井上 知也, 小島 磨, 喜多 隆
    「ナノ構造・物性」第3回研究会, 2011年03月, 日本語, 神戸大学自然科学系融合研究環ナノエンジニアリング研究チーム, ナノ学会ナノ構造・物性部会, 神戸市, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • GaAs 中の窒素ペアに束縛された励起子の磁気光学特性
    原田 幸弘, 久保 輝宜, 井上 知也, 小島 磨, 喜多 隆
    第59回応用物理学関係連合講演会, 2011年03月, 日本語, 応用物理学会, 厚木市, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子の磁気光学特性
    原田 幸弘, 久保 輝宣, 井上 知也, 小島 磨, 喜多 隆
    第58回応用物理学関係連合講演会, 2011年03月, 日本語, 日本応用物理学会, 厚木市, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • 窒素をデルタドープしたGaAsにおける励起子微細構造の反磁性シフト
    原田 幸弘, 久保 輝宣, 小島 磨, 喜多 隆
    第21回光物性研究会, 2010年12月, 日本語, 光物性研究会組織委員, 大阪市, 国内会議
    ポスター発表

  • GaAs中の窒素等電子トラップ束縛励起子の発光ダイナミクス
    久保 輝宜, 井上 知也, 原田 幸弘, 小島 磨, 喜多 隆
    第22回光物性研究会, 2010年12月, 日本語, 光物性研究会組織委員会, 大阪市, 国内会議
    ポスター発表

  • 量子ドットの多層積層化に伴う偏光異方性の発現と制御
    池内 佑一郎, 麻田 将貴, 井上 知也, 原田 幸弘, 小島 磨, 喜多 隆
    日本材料学会平成22年度第2回半導体エレクトロニクス部門研究会, 2010年11月, 日本語, 日本材料学会, 堺市, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • In-Plane Polarization Anisotropy in Vertically Stacked InAs Quantum Dots
    IKEUCHI Yuichiro, ASADA Masaki, INOUE Tomoya, HARADA Yukihiro, KOJIMA Osamu, KITA Takashi
    The 6th International Workshop on Nano-scale Spectroscopy and Nanotechnology, 2010年10月, 英語, NSS organizing committee, 神戸市, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • III-V半導体中不純物制御と励起子物性
    原田 幸弘, 喜多 隆
    2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会, 2010年09月, 日本語, 応用物理学会, 長崎市, 国内会議
    口頭発表（招待・特別）

  • Magneto-Photoluminescence Spectroscopy of Exciton Fine Structure in Nitrogen d-Doped GaAs
    HARADA Yukihiro, HORIUCHI Yoshiki, KOJIMA Osamu, KITA Takashi, WADA Osamu
    The 30th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2010年07月, 英語, ICPS organizing committee, Seoul, Korea, 国際会議
    ポスター発表

  • Bound Biexciton Luminescence in Nitrogen d-Doped GaAs
    HARADA Yukihiro, KOJIMA Osamu, KITA Takashi, WADA Osamu
    The 9th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed and Nano Materials, 2010年07月, 英語, EXCON organizing committee, Brisbane, Australia, 国際会議
    ポスター発表

  • Interaction between Conduction-Band Edge and Nitrogen-Related Localized Levels in Nitrogen d-Doped GaAs
    HARADA Yukihiro, KOJIMA Osamu, KITA Takashi, WADA Osamu
    The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, 2010年06月, 英語, 応用物理学会, 高松市, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Interaction between conduction-band edge and Nitrogen-related localized levels in Nitrogen d-doped GaAs
    Yukihiro Harada, Osamu Kojima, Takashi Kita, Osamu Wada
    37th International Symposium on Compound Semiconductors, 2010年06月, 英語, ISCS組織委員会, 高松市, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Emission properties of excitons strongly localized to nitrogen pairs in GaAs
    HARADA Yukihiro, KITA Takashi
    The International Conference on Nanophotonics 2010, 2010年05月, 英語, ICNP organizing committee, つくば市, 国際会議
    [招待有り]
    口頭発表（招待・特別）

  • 窒素をデルタドープしたGaAsにおける発光スペクトルの反磁性シフト
    原田 幸弘, 小島 磨, 喜多 隆, 和田 修
    日本物理学会第65回年次大会, 2010年03月, 日本語, 日本物理学会, 岡山市, 国内会議
    ポスター発表

  • 窒素をデルタドープしたGaAs における電子状態の磁場依存性
    原田 幸弘, 小島 磨, 喜多 隆, 和田 修
    第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年03月, 日本語, 日本応用物理学会, 平塚市, 国内会議
    ポスター発表

  • GaAs中の窒素等電子束縛励起子における励起子ダイナミクス
    原田 幸弘, 小島 磨, 喜多 隆, 和田 修
    第20回光物性研究会, 2009年12月, 日本語, 光物性研究会組織委員会, 大阪市, 国内会議
    ポスター発表

  • 窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子分子発光
    原田 幸弘, 堀内 義基, 小島 磨, 喜多 隆, 和田 修
    第70回応用物理学会学術講演会, 2009年09月, 日本語, 応用物理学会, 富山市, 国内会議
    口頭発表（一般）

  • GaAs中の窒素等電子束縛励起子微細構造におけるポピュレーション
    原田 幸弘, 小島 磨, 喜多 隆, 和田 修
    日本物理学会2009年秋季大会, 2009年09月, 日本語, 日本物理学会, 熊本市, 国内会議
    ポスター発表

  • Magnetic-field control of the exciton fine polarization splitting of nitrogen pair centers in GaAs
    Yukihiro Harada, Tomoya Inoue, Osamu Kojima, Takashi Kita, Osamu Wada
    第28回電子材料シンポジウム, 2009年07月, 日本語, 電子材料シンポジウム運営委員会, 大津市, 国内会議
    ポスター発表

  • Magnetic-field control of exciton fine structure splitting in nitrogen -doped GaAs
    Yukihiro Harada, Osamu Kojima, Takashi Kita, Osamu Wada
    14th International Conference on Modulated Semiconductor structures, 2009年07月, 英語, MSS組織委員会, 神戸市, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Magnetic-Field Control of Exciton Fine Structure Splitting in Nitrogen Delta-Doped GaAs
    Y Harada, O Kojima, T Kita, O Wada
    Abstr. 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, 2009年07月, 英語, Kobe, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Control of Exciton Fine Structure of Nitrogen Nanospace in GaAs
    T. Kita, Y Harada
    Abstr. 15th International Symposium on Intercalation Compounds, 2009年03月, 英語, Beijing, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Fine structure of bound excitons in nitrogen-doped GaAs
    T Kita, Y Harada, O Wada
    Abstr. The 15th International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condenced Matter, 2008年07月, 英語, Lyon, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Anisotropic Linear Polarization Luminescence in CdTe/CdMnTe Quantum Wires
    Y Harada, T Kita, O Wada, H. Ando, H Mariette
    Abstr. The 15th International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condenced Matter, 2008年07月, 英語, Lyon, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Near-Field Photoluminescence of Exciton Magnetic Polarons in CdTe/Cd0.75Mn0.25Te Quantum Wires
    Y Harada, T Kita, O Wada, K Matsuda, Y Kanemitsu, H Ando, H Mariette
    Abstr. 8th International Conference on Excitonic Process in Condensed Matter, 2008年06月, 英語, Kyoto,, 国際会議
    口頭発表（一般）

  • Exciton Fine Structure of Nitrogen Isoelectronic Center
    Y Harada, T Kita, O Wada
    Proc. 20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 2008年05月, 英語, Paris, 国際会議
    口頭発表（一般）

■ 共同研究・競争的資金等の研究課題
  • ヘテロ界面に挿入した量子ドットによる赤外増感型光電変換の実現
    喜多 隆, 朝日 重雄, 原田 幸弘
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(B), 基盤研究(B), 神戸大学, 2023年04月 - 2026年03月

  • 量子ドット超格子における電場増強効果を利用したホットキャリア型太陽電池
    原田 幸弘
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(C), 基盤研究(C), 神戸大学, 2022年04月01日 - 2025年03月31日

  • 量子ドット超格子を用いた集積化高感度電界センサの実現
    和田 修, 小島 磨, 原田 幸弘, 南 康夫
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(C), 基盤研究(C), 神戸大学, 2022年04月01日 - 2025年03月31日

  • バンド内光学遷移分極の制御を基盤とした赤外増感型光電変換の新展開
    喜多 隆, 原田 幸弘, 朝日 重雄
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 基盤研究(A), 神戸大学, 2019年04月01日 - 2023年03月31日
    p型とn型に挟まれたダイオード構造の真性層に、AlGaAs/GaAsヘテロ界面にInAs量子ドットを挿入した量子ナノ構造を作製し、電子のみを蓄積したヘテロ界面において価電子バンド－伝導バンド間光学遷移とバンド内光学遷移の連続した2段階の遷移による電子のエネルギーをアップコンバージョンによって増強されたバンド内光吸収に基づく赤外波長域に応答する光電変換特性を実現する。本年度は以下のように実施した。 （１）量子ナノ構造の作製と基礎光学特性評価：分子線エピタキシー技術を利用してGaAs(001)基板上にAlGaAs/GaAsヘテロ界面にInAs量子ドットを挿入した量子ナノ構造を内包するダイオード構造を作製し、ヘテロ界面にSi変調ドーピングによって電子密度を制御した量子構造を作製した。変調ドーピングによる界面電界の制御を明らかにして、光電流取り出し特性を詳細に明らかにした。 （２）バンド内光学遷移分極の制御：バンド内光学遷移強度は、光電場で誘起される電子分極の大きさと遷移始状態の電子占有率に比例する。量子ドットのサイズ、密度による光学応答への影響を明らかにするため電子で満たされた量子ドットにおけるプラズモン共鳴特性を明らかにして中赤外領域における光アンテナ効果を理論的に予測した。具体的には、量子ドットの形状・サイズに依存したプラズモン共鳴特性を計算し、8～16マイクロメートルの広範囲にわたる制御性を明らかにするとともに、量子ドット間のプラズモン共鳴状態の結合によるモード分散を明らかにした。 （３）光吸収係数の定量評価とアップコンバージョン光電流の最大化：デバイスを試作して光近赤外から中赤外に広がる広い波長範囲で光応答特性を明らかにし、ヘテロ界面電子濃度に依存すると予想されるバンド内光学遷移を確認した。

  • 赤外増感型バンド内光学遷移の制御と超高感度量子型赤外線センサーへの応用
    喜多 隆, 原田 幸弘, 朝日 重雄
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 挑戦的研究(萌芽), 神戸大学, 2020年07月30日 - 2022年03月31日
    本研究では量子ドットとヘテロ界面を融合した量子ナノ構造を有する新しい赤外光センシングデバイスを開発した。このデバイスはヘテロ界面における高効率なバンド内光学遷移エンジニアリングを原理として駆動しており、量子ドット形状による光増感が特徴である。開発したデバイスはAl0.3Ga0.7As/GaAsヘテロ界面にInAs量子ドットを挿入した構造で、ヘテロ界面に蓄積される電子が赤外光で励起されて光電流を生じる量子型デバイスである。赤外光センシングは量子ドットによって顕著に増強した。理論計算により、量子ドット界面に局在する強いプラズモンモードによって赤外光の電場が増強していることが明らかになった。

  • 量子ドット超格子を用いた光導電型テラヘルツ発生・検知デバイスの実現
    和田 修, 小島 磨, 海津 利行, 原田 幸弘
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(C), 基盤研究(C), 神戸大学, 2019年04月 - 2022年03月
    本年度は、量子ドット(QD)超格子を用いた光伝導アンテナ(PCA)デバイスに向けた結晶作製方法の開発、超高速分光法によるこの結晶の超高速キャリア緩和特性の確認、さらに基本的なPCAデバイスの作製を実行した。また、PCAにおける電場増強効果の可能性に関する理論検討を開始した。 結晶成長・デバイス作製関連では、まず分子線エピタキシによる低温成長（LT-）GaAs層の成長条件を確立した後、半絶縁性GaAs(001)基板上にInAs QDs(2.0分子層)とGaAs中間層(50 nm)を20層積層し、さらにLT-GaAs層(30 nm)を成長することによりデバイス結晶を得た。デバイス作製では、Ti/Au電極間ギャップ約5 μmのダイポール型PCA電極形成、およびメサエッチ加工を行った。メサ構造の採用により、暗電流の値を2桁抑制できることが判明し、デバイス特性評価に十分適用できるものと判断した。 結晶の光学特性評価に関しては、量子ドット超格子試料に対して反射型ポンププローブ法を適用し、キャリア緩和ダイナミクスを測定した。現在広く使用されている市販のLT-GaAsを用いたPCAとの性能の比較を行うために、超短パルスレーザーの波長を810 nmとして、室温において測定を行った。パルス幅が約100フェムト秒程度の超短パルスを照射して測定した結果、0.6ピコ秒程度のキャリア寿命を得、十分にPCAデバイスとして使用できる高速性を確認できた。 電場増強による最適化デバイス構造の検討に関しては、光励起キャリアによる、InAs量子ドットにおける電場増強効果を境界要素法によって解析した。GaAsホスト結晶に埋め込まれた半球状のInAs量子ドットにおいて、局在表面プラズモンに起因する電場増強効果を10E18/cm3程度の自由電子密度において10μm帯で確認した。

  • 量子ドット超格子太陽電池におけるホットキャリア型太陽電池動作の実証
    原田 幸弘
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(C), 基盤研究(C), 神戸大学, 2019年04月 - 2022年03月
    本研究では、InAs/GaAs量子ドット超格子を内包する太陽電池において、幅広い励起波長域における高効率なホットキャリア電流取り出しを実現し、単接合型太陽電池の変換効率限界を突破するホットキャリア型太陽電池の学理の構築と高効率化技術の開発を目的とする。2019年度は、InAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池における、ホットキャリア電流と開放電圧の励起波長依存性を解明した。具体的な研究成果は以下の通りである。 〇InAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池において、ホスト結晶であるGaAsのバンドギャップエネルギー以下の入射光を用いて電流―電圧特性の励起波長依存性を低温（15 K）で測定し、ホットキャリア電流の取り出し過程を明らかにした。短絡電流密度と開放電圧の関係が励起波長に依存しなかった結果は、InAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池固有のホットキャリア電流の取り出し過程を電流―電圧特性から議論できることを示唆している。 〇9層近接積層InAs/GaAs量子ドットによって構成される量子ドット超格子の層数を増加させることによって、短絡電流密度と開放電圧が増加することを実証した。短絡電流密度は励起光強度にほぼ比例して増加したのに対して、開放電圧は励起光強度の増加に伴って飽和傾向を示した。開放電圧が励起波長に依存せずほぼ一定の電圧で飽和傾向を示した結果は、ホットキャリアとして量子ドット超格子から取り出された電子が隣接する量子ドット超格子に捕獲されていることを示唆している。以上の結果より、単接合型太陽電池の変換効率限界を突破するホットキャリア型太陽電池の実現に向けて、内部電場の最適化が必要な事が明らかになった。

  • 喜多 隆
    学術研究助成基金助成金／国際共同研究加速基金(国際共同研究強化(B)), 2018年10月 - 2021年03月
    競争的資金

  • 喜多 隆
    学術研究助成基金助成金／挑戦的研究（萌芽）, 2018年06月 - 2020年03月
    競争的資金

  • 原田 幸弘
    学術研究助成基金助成金／若手研究(B), 2017年04月 - 2019年03月, 研究代表者
    競争的資金

  • 喜多 隆
    科学研究費補助金／基盤研究(B), 2016年04月 - 2019年03月
    競争的資金

  • 喜多 隆
    学術研究助成基金助成金／挑戦的萌芽研究, 2015年04月 - 2017年03月
    競争的資金

  • 喜多 隆
    学術研究助成基金助成金／挑戦的萌芽研究, 2013年04月 - 2015年03月
    競争的資金

  • 喜多 隆
    科学研究費補助金／基盤研究(B), 2012年04月 - 2015年03月
    競争的資金

  • 原田 幸弘
    日本学術振興会, 科学研究費補助金／若手研究(B), 若手研究(B), 神戸大学, 2010年 - 2011年, 研究代表者
    大きな遷移双極子モーメントを持つ半導体中の励起子は、量子情報通信において光子と固体間のインターフェースを担うと期待できる量子状態である。本研究では、GaAs中の窒素ペアが形成する等電子トラップに束縛された励起子に着目し、多数の不純物発光中心が関与したスケーラブルな相互作用の実証に必要不可欠な、極めて均一性の高い不純物発光中心を実現した。そして均一性の高い不純物発光中心を利用して、束縛励起子波動関数の空間拡がりや束縛励起子-フォノン相互作用の大きさなどの、不純物束縛励起子における電子励起状態を明らかにした。
    競争的資金

  • 喜多 隆
    学術研究助成基金助成金／挑戦的萌芽研究, 2011年
    競争的資金

  • 原田 幸弘
    日本学術振興会, 科学研究費補助金／若手研究(スタートアップ), 研究活動スタート支援, 神戸大学, 2009年 - 2010年, 研究代表者
    高周波プラズマソースを用いた分子線エピタキシー法によって作製した、窒素をデルタドーブしたGaAsにおいて、窒素ペアに束縛された励起子の微細構造分裂の歪みと磁場による制御性を発光分光測定によって検討した。窒素の面密度を変化させた試料からの発光スペクトルと、電子-正孔間交換相互作用と歪みによる局所場効果、励起子ポピュレーションを考慮した計算結果を比較することによって、歪みによって励起子微細構造の分裂エネルギーと振動子強度が制御できることを明らかにした。さらに、Faraday配置とVoigt配置で測定した磁気発光スペクトルと、Zeeman相互作用を考慮した計算結果を比較することによって、C_<2v>対称性を保った場合における励起子微細構造の磁場依存性を明らかにした。Voigt配置における同一の直線偏光成分をもつ励起子微細構造の反交差的な振る舞いによって、直交する直線偏光成分をもつ励起子微細構造のエネルギー準位を縮退させることが可能であることが明らかになった。この結果は、不純物束縛励起子における、励起子分子-励起子のカスケード発光を用いたもつれ光子対生成の実現可能性を示唆するものである。また、励起子分子-励起子のカスケード発光を用いるためには同一の窒素ペアに束縛された励起子分子発光と励起子発光を観測する必要がある。そこで、各発光線の励起光強度依存性と励起子微細構造の分裂パターンを比較することによって、同一の窒素ペアに束縛された励起子分子と励起子による発光線が観測できていることを明らかにした。
    競争的資金

  • 希薄磁性半導体量子細線におけるスピン交換相互作用を利用した光機能制御の研究
    原田 幸弘
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 特別研究員奨励費, 神戸大学, 2007年 - 2008年
    CdTe/Cd_<0.75>Mn_<0.25>Te分数層超格子試料構造の形状とMn組成分布を反映した希薄磁性半導体量子細線の理論解析モデルを用いて、多バンド有効質量近似を用いた数値解析により価電子帯バンドミキシング効果と光学特性の磁場依存性を定量的に検証した。Mn組成の成長面内での空間分布がZeemanシフトと直線偏光度の磁場の印加方向異方性に及ぼす影響を明らかにすることで、バリア層に希薄磁性半導体を有する量子細線構造における磁気光学特性の特徴を抽出することができた。さらに、価電子帯バンドミキシングに起因する正孔スピンの磁場方向への再配列によって、CdTe/Cd_<0.75>Mn_<0.25>Te分数層超格子における磁気光学効果の磁場の印加方向異方性を高磁場領域(>3T)で定量的に説明できることが明らかになった。また、近接場光学顕微鏡を用いた分光測定を行い、単一のCdTe/Cd_<0.75>Mn_<0.25>Te量子細線における1次元起子とMnスピン間の相互作用の直接観測を行った。本研究により、単一のCdTe/Cd_<0.75>Mn_<0.25>Te量子細線からの発光線が7meV程度の半値幅を示し、また、発光強度の空間分布が測定温度の変化(5-11K)に敏感に依存することが明らかになった。この発光線幅の広がりは励起子磁気ポーラロン内のMnスピンの磁化の揺らぎに起因すると考えられるため、揺動散逸定理を適用した数値解析を行い、Mnスピンの磁化の揺らぎによって発光線幅が増大することを明らかにした。また、正孔スピンの磁場方向への再配列がMnスピンの磁化の揺らぎと発光線幅の磁場依存性に与える影響を予測した。以上の結果より、希薄磁性半導体量子細線における正孔スピンおよび光学特性の制御性について実験と理論の両アプローチから新たな知見を得ることができた。

■ 産業財産権
  • 高変換効率太陽電池およびその調製方法
    喜多 隆, 原田 幸弘, 朝日 重雄, 渡部 大樹
    特願2014-113313, 2014年05月30日, 大学長, 特許6385720, 2018年08月17日
    特許権

研究シーズ

■ 研究シーズ
  • 半導体量子構造と希土類元素を利用した光機能素子の開発
    シーズカテゴリ：ナノテク・材料, ものづくり技術（機械・電気電子・化学工業）
    研究キーワード：半導体量子ドット, 希土類元素, 太陽電池, レーザー冷却, 局在表面プラズモン共鳴
    研究内容：次世代の光機能素子の実現に向けて、InAs/GaAs量子ドットを中心とする半導体量子構造と希土類元素における光物性の解明と光機能の制御に関する研究を推進しています。また、InAs/GaAs量子ドットを利用した高効率太陽電池であるホットキャリア型太陽電池と、希土類元素Ybを冷却中心として利用した固体レーザー冷却素子の開発を進めています。
研究者連絡先、関連サイト
　　　　　
メールアドレス：y.haradaeedept.kobe-u.ac.jp　※左記の「@」は画像ですので、ご利用の際はテキストの「@」を入力してください。
　　　　　
関連WEBサイト：http://www.research.kobe-u.ac.jp/eng-photonics/harada/index.html
研究者紹介：https://kuid-rm-web.ofc.kobe-u.ac.jp/search/detail?systemId=c641b750fb455c8a520e17560c007669
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