研究活動情報

• 2019年10月 公益社団法人日本表面真空学会, 技術賞, 超ミクロンスケール系に適用可能な 新しい量子輸送シミュレーション手法の開発

  石関圭輔, 笹岡健二, 小鍋 哲, 相馬聡文, 山本貴博


• 2009年05月 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), Best Paper Award, Influence of Edge Roughness on the Performance of Graphene Nano-Ribbon Devices

  SOUMA Satofumi, OGAWA Matsuto, YAMAMOTO Takahiro, WATANABE Kazuyuki

• (GaAs/InAs)–GaAsSb digital alloy type-II superlattice for extended short-wavelength infrared detection

  Takashi Kato, Makoto Murata, Sundararajan Balasekaran, Yasuhiro Iguchi, Yojiro Nakayama, Satofumi Souma

  GaInAs–GaAsSb type-II superlattices (T2SLs) on an InP substrate are promising candidates for an optical absorption layer in the extended short-wavelength region (2–3 μm), offering more flexibility in designing a cutoff wavelength compared to strained GaInAs bulk material. However, T2SL-based photodetectors inherently suffer from lower quantum efficiency (QE) due to the reduced overlap of the wavefunctions of the conduction and valence bands in the optical matrix element of the T2SL. To improve QE, a (GaAs/InAs)–GaAsSb digital alloy T2SL, which replaces the GaInAs random alloy layer in the GaInAs–GaAsSb T2SL with a GaAs/InAs digital alloy, has been proposed recently by an empirical tight-binding calculation. This paper presents a demonstration of a fabricated photodetector using the (GaAs/InAs)–GaAsSb digital alloy grown on an InP substrate by molecular beam epitaxy and shows that the average QE in the wavelength region of 2.3–2.6 μm is approximately 1.6 times higher than that of a conventional GaInAs–GaAsSb T2SL photodetector. Furthermore, the dark-current density of the digital alloy photodetector is lower than that of the GaInAs–GaAsSb T2SL photodetector despite having a longer cutoff wavelength.

  AIP Publishing, 2024年10月, Applied Physics Letters, 125(16) (16)

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Simulation of Qubits Confined in Pseudo Magnetic Field Generated by Strained Graphene Nanoribbon

  Yusuke Hayashi, Satofumi Souma

  IEEE, 2024年09月, 2024 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 1 - 4

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• 強束縛近似法と有限差分時間領域法を用いたグラフェン表面プ ラズモン伝搬のシミュレーション

  相馬聡文, 扇澤祥太

  2023年11月, 信学技報, vol. 123, no. 250, SDM2023-68, pp. 26-30, 2023年11月., 日本語

  [招待有り]


• Quantum transport simulation of synaptic FETs based on two-dimensional semiconductors

  Takuya Ishibashi, Satofumi Souma

  IEEE, 2023年09月, 2023 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Tight-binding simulation of graphene nanoantenna based on Boltzmann equation and finite difference time-domain method

  Shota Ogisawa, Satofumi Souma

  IEEE, 2023年09月, 2023 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Optical properties of (GaAs/InAs)–GaAsySb1−y digital alloy superlattices in the short-wavelength infrared region calculated by an sp3d5s* tight-binding method

  Takashi Kato, Satofumi Souma

  Springer Science and Business Media LLC, 2023年05月, Applied Physics A, 129(6) (6), 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• A proposal of quantum computing algorithm to solve Poisson equation for nanoscale devices under Neumann boundary condition

  Shingo Matsuo, Satofumi Souma

  Elsevier BV, 2023年02月, Solid-State Electronics, 200, 108547 - 108547, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Exploring the Application of Gate-Type Quantum Computational Algorithm for Music Creation and Performance

  Satofumi Souma

  Springer International Publishing, 2022年12月, Quantum Computer Music, 83 - 103

  [査読有り][招待有り]

  論文集(書籍)内論文


• SISPAD2022レビュー

  相馬聡文

  2022年11月, 信学技報, vol. 122, no. 247, SDM2022-77, pp. 61-67, 2022年11月.

  [招待有り]


• ゲート式量子コンピューティングアルゴリズムを援用したナノスケールデバイスシミュレーション手法の検討

  相馬聡文, 松尾信吾, 石橋拓也

  2022年11月, 信学技報, vol. 122, no. 247, SDM2022-69, pp. 23-27, 2022年11月.

  [招待有り]

  研究論文（研究会，シンポジウム資料等）


• An interface trap charge model for simulation of graphene-based synaptic field effect transistors

  Reon Oshio, Satofumi Souma

  AIP Publishing, 2022年01月, Journal of Applied Physics, 131(2) (2), 024301 - 024301, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）

  神戸大学リポジトリ（Kernel）へのリンク


• Improved tight-binding parameters of III-V semiconductor alloys and their application to type-II superlattices

  Akitaka Sawamura, Takashi Kato, Satofumi Souma

  A simple tight-binding method for ternary semiconductor alloys is generalized to calculate the properties of the semiconductor alloys accurately. Specifically independently adjustable parameters, which represent compositional disorder, are incorporated in all the ternary tight-binding parameters. Energy levels and effective masses agree well with the reference values only by the proposed method. We have applied the method to calculate the band gaps and a spectrum of the absorption coefficient of (InAs)/(GaInSb) type-II superlattices. The calculated band-gaps agree well with the experimental ones and we could well reproduce the shape of the absorption coefficient spectrum calculated by an empirical pseudopotential scheme.

  IOP Publishing, 2021年12月, Japanese Journal of Applied Physics, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• 非平衡グリーン関数法に基づくナノスケールデバイスシミュレーションの機械学習を用いた高速化

  相馬聡文

  2021年11月, 信学技報, vol. 121, no. 235, SDM2021-65, IEICE-121, 66 - 71, 日本語

  [招待有り]

  研究論文（研究会，シンポジウム資料等）


• Neural network model for implementation of electron–phonon scattering in nanoscale device simulations based on NEGF method

  Satofumi Souma, Matsuto Ogawa

  IEEE, 2021年09月, 2021 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Transient performance analysis of graphene FET gated via ionic solid by numerical simulations based on tight-binding method and Nernst–Planck–Poisson equations

  Koki Arihori, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma (Kobe Univ ), Junko Sato-Iwanaga, Masa-aki Suzuki (Panasonic Corporation)

  AIP Publishing, 2021年08月, Journal of Applied Physics, 130(8) (8), 084302 - 084302, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• High-Temperature Operation of a Quantum Cascade Laser With Definite Parity of the Wave Functions

  Takashi Kato, Hiroki Mori, Hiroyuki Yoshinaga, Satofumi Souma

  Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2021年05月, IEEE Photonics Technology Letters, 33(10) (10), 507 - 510, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• SISPAD2020レビュー

  相馬聡文

  2020年11月, 信学技報, vol. 120, no. 239, SDM2020-22, pp. 1-4, 2020年11月.

  [招待有り]


• Transient simulation of graphene FET gated by electrolyte medium

  Koki Arihori, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma (Kobe Univ.), Junko Sato-Iwanaga, Masa-aki Suzuki (Panasonic Corporation)

  IEEE, 2020年09月, 2020 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Tight-binding simulation of optical gain in h-BCN for laser application

  Daisuke Maki, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma

  IEEE, 2020年09月, 2020 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Impact of electron–phonon scattering on the strain-induced current-blocking effect in graphene field-effect transistors

  Satofumi Souma and Matsuto Ogawa

  2020年, Journal of Applied Physics 127, 094304 (2020)

  [査読有り]

  神戸大学リポジトリ（Kernel）へのリンク


• Acceleration of nonequilibrium Green's function simulation for nanoscale FETs by applying convolutional neural network model

  Satofumi Souma, Matsuto Ogawa

  2020年, IEICE Electronics Express, Vol.17, No.4, 1–6, 2020

  [査読有り]

  神戸大学リポジトリ（Kernel）へのリンク


• Study of an application of non-parabolic complex band structures to the design for mid-infrared quantum cascade lasers

  Takashi Kato, Satofumi Souma

  2019年, J. Appl. Phys. 125, 073101 (2019)

  [査読有り]


• Nearest-neighbor sp(3)d(5)s* tight-binding parameters based on the hybrid quasi-particle self-consistent GW method verified by modeling of type-II superlattices

  Akitaka Sawamura, Jun Otsuka, Takashi Kato, Takao Kotani, Satofumi Souma

  2018年06月, OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 8(6) (6), 1569 - 1584, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）

  神戸大学リポジトリ（Kernel）へのリンク


• 超ミクロンスケール系に適用可能な新しい量子輸送シミュレーション手法の開発

  石関 圭輔, 笹岡 健二, 小鍋 哲, 相馬 聡文, 山本 貴博

  2018年, 表面と真空 61 pp. 360-365 (2018)

  [査読有り]


• Quantum decoherence in electronic current flowing through carbon nanotubes induced by thermal atomic vibrations

  Keisuke Ishizeki, Kenji Sasaoka, Satoru Konabe, Satofumi Souma, Takahiro Yamamoto

  2018年, Jpn. J. Appl. Phys. 57, pp. 065102 1-4 (2018)

  [査読有り]


• sp3s* tight-binding calculation of band edges and effective masses of InAs/GaSb superlattices with different interface structures

  Takashi Kato, Satofumi Souma

  2018年, Superlattices and Microstructures, 122, 492 (2018)

  [査読有り]


• Super-micron-scale atomistic simulation for electronic transport with atomic vibration: Unified approach from quantum to classical transport (vol 96, 035428, 2017)

  Keisuke Ishizeki, Kenji Sasaoka, Satoru Konabe, Satofumi Souma, Takahiro Yamamoto

  2017年12月, PHYSICAL REVIEW B, 96(23) (23), 英語

  [査読有り]


• Time dependent quantum dynamical study of laser induced current switching in graphene

  Satofumi Souma, Takashi Akiyama, Kenji Sasaoka, Matsuto Ogawa

  Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2017年10月, International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD, 2017-, 213 - 216, 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Effect of strain on electron mobility in graphene

  Hideki Hirai, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma

  Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2017年10月, International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD, 2017-, 209 - 212, 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• ポテンシャル制御の劣化度合いと量子トンネル電流の比較解析によるチャネル電子の有効方程式がFET特性に及ぼす影響の解明

  橋本 悠希, 小川 真人, 相馬 聡文

  公益社団法人 応用物理学会, 2017年08月, 応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2017.2, 2786 - 2786, 日本語


• Super-micron-scale atomistic simulation for electronic transport with atomic vibration: Unified approach from quantum to classical transport

  Keisuke Ishizeki, Kenji Sasaoka, Satoru Konabe, Satofumi Souma, Takahiro Yamamoto

  2017年07月, PHYSICAL REVIEW B, 96(3) (3), 035428, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Nearest-neighbor sp(3)s* tight-binding parameters based on the hybrid quasi-particle self-consistent GW method verified by modeling of type-II superlattices

  Akitaka Sawamura, Jun Otsuka, Takashi Kato, Takao Kotani, Satofumi Souma

  2017年06月, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 121(23) (23), 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Modulations of thermal properties of graphene by strain-induced phonon engineering

  TADA Kento, FUNATANI Takashi, KONABE Satoru, SASAOKA Kenji, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi, YAMAMOTO Takahiro

  Modulation of the thermal properties of graphene due to strain-induced phononic band engineering was theoretically investigated by first-principles calculations based on the density functional theory. The high-energy phonon modes are found to exhibit softening owing to the strain, whereas a low-energy acoustic mode (out-of-plane mode) exhibits hardening. Moreover, the dispersion relation of the out-of-plane mode associated with the strain essentially changes from quadratic (∝ k²) to linear (∝ k). Accordingly, the temperature dependence of the low-temperature specific heat also changes from linear (∝ T) to quadratic (∝ T²).

  Institute of Physics, 2017年, Jpn. J. Appl. Phys, 56(2) (2), 025102 - 25102, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• グラフェン状物質の面内ヘテロ構造を用いたFETの性能予測シミュレーション

  橋本 悠希, 市原 圭祐, 田中 未来, 笹岡 健二, 小川 真人, 相馬 聡文

  公益社団法人 応用物理学会, 2016年09月, 応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2016.2, 3518 - 3518, 日本語


• 100万原子電子輸送シミュレーションによる金属カーボンナノチューブの運動量緩和長と位相緩和長の精密評価

  石関 圭輔, 笹岡 健二, 小鍋 哲, 相馬 聡文, 山本 貴博

  金属CNTはLSIの銅配線の代替材料として注目を集めている。CNT配線の長さは、ナノ～マイクロメートル程度であるが、これらを包括的に扱える計算手法は存在せず、CNT配線の精密設計が困難な状況である。本研究では、100万原子を超える系にも適応可能な電子輸送シミュレータを開発し、ナノ～マイクロメートルの長さのCNTの電子輸送をシームレスに取り扱い、CNTの運動量緩和長と位相緩和長の精密評価に成功した。

  公益社団法人 日本表面科学会, 2016年, 表面科学学術講演会要旨集, 36, 353 - 353, 日本語


• 歪みグラフェンを用いたディラック電子エンジニアリング素子のシミュレーション

  相馬 聡文, 田中 未来, 市原圭祐, 迫田 翔太郎, 笹岡 健二, 小川 真人

  2015年11月, SMD2015-89, 29, 日本語

  [招待有り]


• Spin Blocker Using the Interband Rashba Effect in Symmetric Double Quantum Wells

  S. Souma, A. Sawada, H. Chen, Y. Sekine, M. Eto, T. Koga

  2015年09月, PHYSICAL REVIEW APPLIED, 4(3) (3), 034010 1 - 9, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Strain-induced modulation of an isotropic photoconductivity in graphene

  Amir Mehdipour, Kenji Sasaoka, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma

  2014年11月, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 53(11) (11), 115103 1 - 7, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Simulation-based design of a strained graphene field effect transistor incorporating the pseudo magnetic field effect

  Satofumi Souma, Masayuki Ueyama, Matsuto Ogawa

  2014年05月, APPLIED PHYSICS LETTERS, 104(21) (21), 213505 1 - 4, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Pure spin current induced by adiabatic quantum pumping in zigzag-edged graphene nanoribbons

  Satofumi Souma, Matsuto Ogawa

  2014年05月, APPLIED PHYSICS LETTERS, 104(18) (18), 108103 1 - 4, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Proposal of simplified model for absorption coefficients in quantum dot array based intermediate band solar cell structure

  Amir Mehdipour, Kenji Sasaoka, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma

  2014年, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 11(17) (17), 1 - 11, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Numerical simulation of current noise caused by potential fluctuation in nanowire FET with an oxide trap

  Yuki Furubayashi, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma

  2014年, 2014 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES (SISPAD), 201 - 204, 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Intermediate band electron wave function localization effect on the efficiency limits of InAs/GaAs quantum dot solar cell

  MEHDIPOUR Amir, SASAOKA Kenji, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi

  神戸大学大学院工学研究科, 2014年, Memoirs of the Graduate Schools of Engineering and System Informatics Kobe University, 6, 18 - 24, 英語

  [査読有り]

  研究論文（大学，研究機関等紀要）

  神戸大学リポジトリ（Kernel）へのリンク


• Effect of lateral strain on gate induced control of electrical conduction in single layer graphene device

  Satofumi Souma, Yusuke Ohmi, Matsuto Ogawa

  2013年06月, Journal of Computational Electronics, 12(2) (2), 170 - 174, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Influence of geometrical deformation and electric field on transport characteristics through carbon nanotubes

  Masaaki Mouri, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma

  2012年12月, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 112(11) (11), 114328 - 1-114328-5, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Tight-binding molecular dynamics study of mechanical and electronic properties in twisted graphene nanoribbons

  SOUMA Satofumi, KAINO Shozo, OGAWA Matsuto

  2012年09月, Proc. of Int. Conf. on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2012, 133 - 136, 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Fast Perturbative Treatment for Efficient Nano-Scale Device Simulation Based on Bridge-Function Pseudo-Spectral Method

  SAITO Yuta, FUJIKAWA Hiroki, SOUMA Satofumi, OGAWA Matsuto

  2012年09月, Proc. of Int. Conf. on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2012, 384 - 387, 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Analysis of tunneling characteristics through hetero interface of InAs/Si nanowire tunneling field effect transistors

  MIYOSHI Yasuaki, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi, NAKAMURA Hajime

  2012年09月, Proc. of Int. Conf. on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2012, 368 - 371, 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Beating Analysis of Shubnikov de Haas Oscillation in In0.53Ga0.47As Double Quantum Well toward Spin Filter Applications

  Takaaki Koga, Toru Matsuura, Sebastien Faniel, Satofumi Souma, Shunsuke Mineshige, Yoshiaki Sekine, Hiroki Sugiyama

  2012年05月, IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, E95C(5) (5), 770 - 776, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Strain induced modulation of switching behavior in carbon nanotube tunneling field effect transistors

  Takashi Nakano, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma

  2012年, IMFEDK 2012 - 2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, 138 - 139, 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Numerical simulation of transport properties in InAs/Si heterojunction nanowire tunneling field effect transistors

  Y. Miyoshi, M. Ogawa, S. Souma, H. Nakamura

  2012年, IMFEDK 2012 - 2012 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, 108 - 109, 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Theory of finite temperature Josephson transport through a ferromagnetic insulator

  Shuhei Nakamura, Satofumi Souma, Matsuto Ogawa, Shiro Kawabata

  2012年, ADVANCES IN SUPERCONDUCTIVITY XXIV, 27, 308 - 311, 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Parity induced edge-current saturation and current distribution in zigzag-edged graphene nano-ribbon devices

  Satofumi Souma, Matsuto Ogawa, Takahiro Yamamoto, Kazuyuki Watanabe

  2011年06月, JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS, 10(1-2) (1-2), 35 - 43, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Erratum: Parity induced edge-current saturation and current distribution in zigzag-edged graphene nano-ribbon devices (Journal of Computational Electronics DOI:10.1007/s10825-011-0352-0)

  Satofumi Souma, Matsuto Ogawa, Takahiro Yamamoto, Kazuyuki Watanabe

  2011年06月, Journal of Computational Electronics, 10(1-2) (1-2), 269, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Impact of Native Interface Asymmetry and Electric Field on Spin-splitting in Narrow Gap Semiconductor Hetrostructures

  Satofumi Souma, Matsuto Ogawa

  2011年05月, JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 58(5) (5), 1251 - 1255, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Bridge-function pseudospectral method for quantum mechanical simulation of nano-scaled devices

  Yuta Saitou, Takeshi Nakamori, Satofumi Souma, Matsuto Ogawa

  2011年, International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD, 311 - 314, 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Analysis of geometrical structure and transport property in InAs/Si heterojunction nanowire tunneling field effect transistors

  Yasuaki Miyoshi, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma, Hajime Nakamura

  2011年, International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD, 227 - 230, 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Tight binding modeling of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs quantum dot arrays

  Amir Mehdipour, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma

  2011年, IMFEDK 2011 - 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, 36 - 37, 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Analysis of electronic structure in quantum dot arrays for intermediate band solar cells

  Akihito Kurome, Ryosuke Morigaki, Satofumi Souma, Matsuto Ogawa

  2011年, IMFEDK 2011 - 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, 114 - 115, 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Effect of uniaxial strain on the electronic transport in single layer graphene

  Yusuke Ohmi, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma

  2011年, IMFEDK 2011 - 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, 126 - 127, 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Spin currents in semiconductor nanostructures:A nonequilibrium Green function approach

  NIKOLIC B. K, ZARBO L. P, SOUMA Satofumi

  2010年03月, Oxford Handbook of Nanoscience and Technology, pp. 814-865, 英語

  [査読有り]


• Spin-polarization in InAs/AlSb double barrier resonant tunneling structures: influence of barrier material and interface structure

  Satofumi Souma, Matsuto Ogawa

  2010年, PROCEEDINGS OF THE 14TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NARROW GAP SEMICONDUCTORS AND SYSTEMS, 3(2) (2), 1287 - 1290, 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• グラフェンナノエレクトロニクス素子の開発に向けて-素子シミュレーションと素子作成・物性評価

  相馬 聡文, 小川 真人, 山本 貴博, 渡辺 一之, 長汐 晃輔

  アグネ技術センタ-, 2010年01月, 固体物理 Vol. 45 No. 1 pp.63-76, Vol 45, No. 1, pp. 63-76(1) (1), 63 - 76, 日本語

  [査読有り]


• Effect of interface structure on current spin-polarization in narrow gap semiconductor heterostructures

  SOUMA Satofumi, OGAWA Matsuto

  2009年12月, Physica E, Available online 1 December 20, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Simulation of Graphene Nanoribbon Spin-Filter Device with Spin-Density Functional Tight-Binding Method

  Satofumi Souma, Matsuto Ogawa, Takahiro Yamamoto, Kazuyuki Watanabe

  2009年, IWCE-13: 2009 13TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON COMPUTATIONAL ELECTRONICS, pp. 81-84, 81 - +, 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Device physics and simulation techniques for nanoscale SOI-MOSFETs

  H. Tsuchiya, Y. Yamada, S. Souma, M. Ogawa

  2009年, ECS Transactions, 19(4) (4), 211 - 220, 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• 2D Quantum Mechanical Simulation of Gate-Leakage Current in Double-Gate n-MOSFETs

  Satoru Muraoka, Ryota Mukai, Satofumi Souma, Matsuto Ogawa

  2009年, 2009 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES, 297 - 300, 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Numerical simulation of electronic transport in zigzag-edged graphene nano-ribbon devices

  Satofumi Souma, Matsuto Ogawa, Takahiro Yamamoto, Kazuyuki Watanabe

  2008年09月, JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS, 7(3) (3), 390 - 393, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• グラフェンナノリボンを用いた新規デバイスの提案とシミュレーション

  相馬 聡文, 小川 真人, 山本 貴博, 渡辺 一之

  2008年07月, シリコンテクノロジー, No.103, pp. 15-20, 日本語


• Dimensional transitions of density of states and heat capacity in spherical quantum dots

  Seung Joo Lee, Hee Chang Jeon, Tae Won Kang, Satofumi Souma

  2008年06月, INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 22(15) (15), 2373 - 2382, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Transitions of density of states and heat capacity in spherical quantum structure formed by a thin barrier

  Seung Joo Lee, Hee Chang Jeon, Tae Won Kang, Satofumi Souma

  2008年04月, PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 40(6) (6), 2198 - 2200, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Non-equilibrium Green's function method for modeling quantum electron transport in nano-scale devices with anisotropic multiband structure

  Helmy Fitriawan, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma, Tanroku Miyoshi

  2008年02月, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 19(2) (2), 107 - 110, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Quantum electron transport modeling in uniaxially strained silicon channel of double-gate MOSFETs

  Helmy Fitriawan, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma, Tanroku Miyoshi

  2008年, PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 1, 5(1) (1), 74 - 77, 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Fullband simulation of nano-scale MOSFETs based on a non-equilibrium Green’s function method

  FITRIAWAN Helmy, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi, MIYOSHI Tanroku

  2008年01月, IEICE Transactions on Electronics, E91C(1) (1), 105 - 109, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）

  神戸大学リポジトリ（Kernel）へのリンク


• Analysis of direct tunneling current from quasi-bound states in n-MOSFET based on non-equilibrium Green's function

  Satoru Muraoka, Satofumi Souma, Matsuto Ogawa

  2008年, SISPAD: 2008 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES, pp. 221-224, 221 - 224, 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Quantum electron transport modeling in uniaxially strained silicon channel of double-gate MOSFETs

  Helmy Fitriawan, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma, Tanroku Miyoshi

  2008年, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 5(1) (1), 74 - 77, 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Quantum electron transport modeling in double-gate MOSFETs based on multiband non-equilibrium Green’s function method

  FITRIAWAN Helmy, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi, MIYOSHI Tanroku

  2007年12月, Physica E, 40(2) (2), 245 - 248, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Multiband simulation of uniaxially stressed silicon MOSFETs based on non-equilibrium Green’s function method

  FITRIAWAN Helmy, SOUMA Satofumi, OGAWA Matsuto

  2007年09月, Extended Abstact of 2007 Int. Conf. on Solid State Devices andMaterials, pp. 52-53, 英語

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Analysis of quantum transport in nano-scale silicon

  IMAGO Hiroshi, MIZUTANI Atsushi, SHIMIZU Takayuki, FITRIAWAN Helmy, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi, MIYOSHI Tanroku

  2007年04月, Proc. 2007 Int. Meetingfor Future of Electron Devices, Kansai, pp.107-108, 英語

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Imaging mesoscopic spin Hall flow: Spatial distribution of local spin currents and spin densities in and out of multiterminal spin-orbit coupled semiconductor nanostructures

  BK Nikolic, LP Zarbo, S Souma

  2006年02月, PHYSICAL REVIEW B, 73(7) (7), 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Electronic transport properties of graphitic ribbons under finite bias voltages

  SOUMA Satofumi, YAMAMOTO Takahiro, WATANABE Kazuyuki

  2006年01月, e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, Vol.4, pp.78-83, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Mesoscopic spin Hall effect in multiprobe ballistic spin-orbit-coupled semiconductor bridges

  BK Nikolic, LP Zarbo, S Souma

  2005年08月, PHYSICAL REVIEW B, 72(7) (7), 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Numerical study of ferromagnetism in diluted magnetic semiconductor quantum-wells

  S Souma, SJ Lee, TW Kang

  2005年07月, INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 19(19) (19), 3151 - 3160, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Nonequilibrium spin hall accumulation in ballistic semiconductor nanostructures

  BK Nikolic, S Souma, LP Zarbo, J Sinova

  2005年07月, PHYSICAL REVIEW LETTERS, 95(4) (4), 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Decoherence of transported spin in multichannel spin-orbit-coupled spintronic devices: Scattering approach to spin-density matrix from the ballistic to the localized regime

  BK Nikolic, S Souma

  2005年05月, PHYSICAL REVIEW B, 71(19) (19), 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Spin hall current driven by quantum interferences in mesoscopic Rashba rings

  S Souma, BK Nikolic

  2005年03月, PHYSICAL REVIEW LETTERS, 94(10) (10), 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Transitions of dimensional states in quantum dots formed by spherical barrier

  SJ Lee, TW Kang, S Souma, SK Noh, JC Woo

  2005年, Physics of Semiconductors, Pts A and B, 772, 793 - 794, 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Molecular like states in coupled magnetic quantum dots

  S Souma, SJ Lee, TW Kang, G Ihm, KJ Chang

  2005年, Physics of Semiconductors, Pts A and B, 772, 735 - 736, 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Comparative Study of Time-Dependent and Scattering-State Ab Initio Calculations for Field Emission

  Araidai Masaaki, Souma Satofumi, Watanabe Kazuyuki

  We perform time-dependent (TD) and scattering-state (SS) ab-inito calculations for simulating the field emission (FE) of Na surfaces to explore the applicability of the two schemes. The amplitude of emission current is evaluated more reliably by SS than TD methods, because the former treats the steady-state electron tunneling faithfully but the latter utilizes transient electron dynamics. In contrast with the evaluation of current amplitude, the TD method is more suitable than the SS one for revealing the electronic-state origin of FE, because the TD method can directly determine the time evolution of all wave functions caused by an electric field. Thus, the TD and SS methods are found to play a complementary role in the FE study. [DOI: 10.1380/ejssnt.2005.457]

  公益社団法人 日本表面科学会, 2005年, e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, Vol.3, pp.457-460(3) (3), 457 - 460, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Modulating unpolarized current in quantum spintronics: Visibility of spin-interference effects in multichannel Aharonov-Casher mesoscopic rings

  S Souma, BK Nikolic

  2004年11月, PHYSICAL REVIEW B, 70(19) (19), 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• On the two magnetic quantum dots in a two dimensional electron gas

  LEE S. J, KANG T. W, IHM G, CHANG K. J, SOUMA Satofumi

  2004年09月, UZBEK JOURNAL OF PHYSICS, Volume 6, Number 5&6, pp.334-3, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Magnetic quantum dots and magnetic edge states

  SJ Lee, S Souma, G Ihm, KJ Chang

  2004年04月, PHYSICS REPORTS-REVIEW SECTION OF PHYSICS LETTERS, 394(1) (1), 1 - 40, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Effects of multi-subband occupation and electric field in ferromagnetic semiconductor quantum wells

  S Souma, SJ Lee, TW Kang

  2004年03月, PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 21(2-4) (2-4), 1037 - 1040, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Controlling Decoherence of Transported Quantum Spin Information in Semiconductor Spintronics

  Branislav K. Nikolic and Satofumi Souma

  2004年, REALIZING CONTROLLABLE QUANTUM STATES Proceedings of the International Symposium on Mesoscopic Superconductivity and Spintronics - In the Light of Quantum Computation, World Scientific (2005)

  [査読有り]


• Effects of magnetic quantum dots on magnetoconductance in quantum wires

  S Souma, SJ Lee, N Kim, TW Kang, G Ihm, KS Yi, A Suzuki

  2003年04月, JOURNAL OF SUPERCONDUCTIVITY, 16(2) (2), 339 - 342, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Transitions of the density of states in cylindrical quantum box

  SJ Lee, S Souma, N Kim, TW Kang, G Ihm, JC Woo, A Suzuki

  2003年, SIMILARITY IN DIVERSITY, 27 - 34, 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Dimensional crossover in cylindrical quantum-box structures formed by penetrable barriers

  S Souma, SJ Lee, N Kim, TW Kang

  2002年12月, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 92(11) (11), 6927 - 6929, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Dimensional crossover of the density of states in cylindrically confined systems

  S Souma, SJ Lee, TW Kang

  2002年06月, JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 40(6) (6), 1051 - 1055, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Local density of states and scattering matrix in quasi-one-dimensional systems

  S Souma, A Suzuki

  2002年03月, PHYSICAL REVIEW B, 65(11) (11), 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Magneto-conductance in Quantum Wires with Array of Magnetic Quantum Dots

  S. Souma, S.J. Lee, N. Kim, T.W. Kang, G. Ihm, J.C.Woo, and A. Suzuki

  2002年, Proceedings of the 26th International Conference on the Physics of Semiconductors, Edinburgh 2002

  [査読有り]


• Dephasing due to voltage probes in quantum wires with antidot potential

  S Souma, A Suzuki

  2000年, STATISTICAL PHYSICS, 519, 569 - 571, 英語

  [査読有り]

  研究論文（国際会議プロシーディングス）


• Interedge scattering in mesoscopic Corbino disks near the ballistic regime

  S Souma, A Suzuki

  1999年12月, PHYSICAL REVIEW B, 60(23) (23), 15928 - 15936, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Transmission phases in quantum wires with an antidot potential subjected to a high magnetic field

  Satofumi Souma and Akira Suzuki

  1999年, Journal of the Korean Physical Society, vol. 39 No. 3, September 2001, pp. 553-557

  [査読有り]


• Effect of phase breaking scattering in quantum wires with an antidot potential

  Satofumi Souma and Akira Suzuki

  1999年, Proceedings of the 5th International Workshop on Similarity in Diversity, edited by H. Hara, T. Toyoda and T. Morita, (1999) P.183-187

  [査読有り]


• Effect of impurity scattering in nanoscale Corbino disks

  S Souma, A Suzuki

  1998年08月, PHYSICAL REVIEW B, 58(8) (8), 4649 - 4655, 英語

  [査読有り]

  研究論文（学術雑誌）


• Evanescent modes and impurity scattering in nano-scale Corbino disks

  Satofumi Souma and Akira Suzuki

  1998年, Statistical Physics, Experiments, Theories and Computer Simulation, Proceedings of the 2nd Tohwa University International Meeting, edited by M. Tokuyama and I. Oppenheim, (1998) P. 196.

  [査読有り]

• 開放系時間依存シュレーディンガー方程式に基づく 量子輸送シミュレーションのための 量子コンピューティングアルゴリズムの検討

  相馬 聡文

  2025年 第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月

  ポスター発表


• Numerical Simulation of Photoconductivity in Monolayer Transition Metal Dichalcogenides for Optoelectronic Applications

  Akira Nakanishi, Satofumi Souma

  The 2024 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, 2024年11月, 英語, 国際会議

  ポスター発表


• TMDC及びblack phosphorusにおける光誘起電気伝導の理論解析

  中西 央, 相馬 聡文

  2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月

  ポスター発表


• 半導体デバイスシミュレーションのための量子コンピューティングアルゴリズムの応用に関する検討

  相馬 聡文, 石橋 拓也

  第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月

  口頭発表（一般）


• ピアノ演奏における技能習得忘却の解明に向けた演奏データの構築と分析

  前場 雄晴, 相馬 聡文, 竹川 佳成

  第139回音楽情報科学研究発表会, 2024年03月

  ポスター発表


• ビオラ初心者のための最適な運指の提案システムの開発

  平山 音果, 相馬 聡文

  第139回音楽情報科学研究発表会, 2024年03月

  ポスター発表


• Simulation of spin qubits in silicon double quantum dot with magnetic gradient and valley splitting

  Yusuke Hayashi, Satofumi Souma

  The 2023 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, 2023年11月, 英語

  ポスター発表


• 強束縛近似法と有限差分時間領域法に基づくグラフェン表面プラズモン伝搬のシミュレーション

  相馬聡文, 扇澤祥太

  電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会「プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般」, 2023年11月

  [招待有り]

  口頭発表（招待・特別）


• 強束縛近似法に基づくグラフェン状物質の電子状態解析のための変分量子アルゴリズムの実装及び変分量子回路構成の検討

  石橋 拓也, 相馬 聡文

  2023年 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月


• 量子コンピュータと量子未来社会

  相馬 聡文

  第40回(令和5年度)神戸大学工学部公開講座「ＳＤＧsに寄与する工学」2023年６月10日, 2023年06月

  公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等


• 半導体ナノワイヤ中の二重量子ドットを用いたスピン量子ビットのゲート制御に関するシミュレーション

  林雄介, 相馬聡文

  応用物理学会関西支部 2023年度 第1回講演会, 2023年06月


• Application of machine learning and quantum computational algorithm for semiconductor device simulations

  Satofumi Souma

  2022 GIST International Workshop for Accelerating Intelligence Semiconductor & AI, 2022年12月, 英語

  口頭発表（招待・特別）


• 量子的な関わり合いをカタチにする即興的音楽生成パフォーマンス

  相馬 聡文

  日本音楽即興学会 第14回大会, 2022年11月

  口頭発表（一般）


• SISPAD2022レビュー

  相馬 聡文

  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会, 2022年11月

  [招待有り]

  口頭発表（招待・特別）


• ゲート式量子コンピューティングアルゴリズムを援用したナノスケールデバイスシミュレーション手法の検討

  相馬聡文 松尾信吾 石橋拓也

  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会, 2022年11月

  [招待有り]

  口頭発表（招待・特別）


• 量子計算アルゴリズムを援用した強束縛近似法に基づく グラフェン状物質の電子状態解析手法の検討

  石橋拓也, 相馬聡文

  応用物理学会関西支部講演会, 2022年11月

  ポスター発表


• ナノワイヤp-n接合構造におけるポアソン方程式の数値解法のためのゲート型量子コンピューティングアルゴリズムの提案

  松尾 信吾, 相馬 聡文

  2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月

  ポスター発表


• 二次元半導体を用いたトンネル電界効果トランジスタのための低計算負荷シミュレーションモデルの開発及び回路シミュレーションとの連携

  山口 航輔、相馬 聡文

  2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月

  ポスター発表


• A proposal of quantum computing algorithm to solve Poisson equation for nanoscale devices under Neumann boundary condition

  Shingo Matsuo, Satofumi Souma

  2022 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD2022), 2022年09月, 英語

  口頭発表（一般）


• Scattering matrix-based low computational cost model for the device and circuit co-simulation of phosphorene tunnel field-effect transistors

  Kosuke Yamaguchi, Satofumi Souma

  2022 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD2022), 2022年09月, 英語

  ポスター発表


• 量子輸送シミュレーションに基づくシナプスFETデザイン及び回路設計との連携

  相馬 聡文, 押尾 怜穏

  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第236回研究集会「半導体デバイスモデリング・シミュレーション技術の新展開」, 2022年07月, 日本語

  口頭発表（一般）


• 量子的アルゴリズムに基づく即興的音楽生成の可能性に関する一考察

  相馬 聡文

  日本音楽即興学会 第13回大会, 2022年01月, 日本語

  口頭発表（一般）


• Exploring the Application of Gate-type Quantum Computational Algorithm for Music Creation and Performance

  Satofumi Souma

  1st International Symposium on Quantum Computing and Musical Creativity, 2021年11月, 英語, 国際会議

  口頭発表（一般）


• Development of device and circuit simulation framework based on phosphorene tunnel field-effect transistors

  Kosuke Yamaguchi, Satofumi Souma

  The 2021 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, 2021年11月, 英語

  ポスター発表


• Implementation of gate-type quantum computing algorithm to solve Poisson equation for semiconductor nanowire p-n junction

  Shingo Matsuo, Satofumi Souma

  The 2021 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, 2021年11月, 英語

  ポスター発表


• 非平衡グリーン関数法に基づくナノスケールデバイスシミュレーションの機械学習を用いた高速化

  相馬聡文

  電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会, 2021年11月, 日本語, 国内会議

  [招待有り]

  口頭発表（招待・特別）


• 量子コンピューティングアルゴリズムに基づく音楽作成手法の提案とアプリケーション開発

  相馬 聡文

  IPA 量子コンピューティング技術実践講座（ゲート式）, 2021年11月, 日本語, 日本国, 国内会議

  [招待有り]

  口頭発表（招待・特別）


• 光ゲート効果を用いたグラフェン光センサにおける電子‐ フォノン散乱の影響に関する理論解析

  相田 晋吾, 相馬 聡文

  応用物理学会関西支部 2021 年度 第 2 回講演会, 2021年10月, 日本語

  ポスター発表


• ゲート式量子コンピューティングアルゴリズムを援用したナノスケールデバイスシミュレーション手法の検討

  松尾 信吾, 石橋 拓也, 相馬 聡文

  2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月, 日本語

  ポスター発表


• 二次元半導体をチャネル材料としたトンネル電界効果トランジスタの 電気伝導特性及び回路ミュレーション

  山口 航輔, 相馬 聡文

  2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月, 日本語

  ポスター発表


• 光ゲート効果を用いたグラフェン光センサのシミュレーション

  相田 晋吾, 相馬 聡文

  2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月

  ポスター発表


• フォスフォレンをチャネル材料としたトンネル電界効果トランジスタの電気伝導特性 シミュレーション

  山口 航輔, 相馬 聡文

  応用物理学会関西支部 2021 年度 第 1 回講演会, 2021年04月, 日本語

  ポスター発表


• Application of deep neural network for the simulation of nanoscale FETs based on non-equilibrium Green's function method

  Satofumi Souma, Matsuto Ogawa

  The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, 2021年03月, 英語

  口頭発表（一般）


• Consideration of scattering process in nanoscale device simulation based on top of barrier model

  Ren Tanaka, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma

  IEEE IMFEDK 2020 Satellite event for young researchers, 2020年11月, 英語

  ポスター発表


• Simulation of graphene photodetectors incorporating the photo-gating effect

  Shingo Aida, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma

  IEEE IMFEDK 2020 Satellite event for young researchers, 2020年11月, 英語

  ポスター発表


• Tight-binding simulation of optical gain in h-BCN for laser application

  Daisuke Maki, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma

  2020 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2020年09月, 英語

  ポスター発表


• Transient simulation of graphene FET gated by electrolyte medium

  Koki Arihori, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma, Junko Sato-Iwanaga, Masa-aki Suzuki

  020 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2020年09月, 英語

  口頭発表（一般）


• Application of convolutional neural network for nanoscale device simulations based on nonequilibrium Greens function method

  Satofumi Souma

  2020 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD). Workshop “Combination of TCAD and Machine Learning”, 2020年09月, 英語

  [招待有り]

  口頭発表（招待・特別）


• 電解質媒体をゲート制御に用いたグラフェンFETの過渡応答特性シミュレーション

  有堀 光貴, 岩永 順子, 鈴木 正明, 小川 真人, 相馬 聡文

  2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月, 日本語

  ポスター発表


• h-BCNを活性層に用いた半導体レーザーの光増幅利得における層数依存性に関する数値解析

  牧 大介, 小川 真人, 相馬 聡文

  2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月, 日本語

  ポスター発表


• 畳み込みニューラルネットワークを応用したナノスケールデバイスシミュレーションの高速化に関する検討

  相馬 聡文, 小川 真人

  2020年第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月, 日本語

  口頭発表（一般）


• Simulation of Graphene FET Gated by Ionic Liquid

  Koki Arihori, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma, Junko Sato-Iwanaga

  International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2019), 2019年11月, 英語

  ポスター発表


• Simulation of Optical Gain in Semiconductor Laser Structure with h-BCN Active Layer

  Daisuke Maki, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma

  International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2019), 2019年11月, 英語

  ポスター発表


• ナノスケールデバイスシミュレーションのための機械学習の応用に関する検討

  相馬 聡文, 有堀 光貴, 牧 大介, 小川 真人

  2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月, 日本語

  口頭発表（一般）


• h-BCNを活性層に用いた半導体レーザーの光増幅利得シミュレーション

  牧 大介, 小川 真人, 相馬 聡文

  応用物理学会関西支部2019年度第1回講演会, 2019年06月

  ポスター発表


• イオン液体をゲート制御に用いたグラフェン FET の電気伝導特性シミュレーション

  有堀 光貴, 小川 真人, 相馬 聡文

  応用物理学会関西支部2019年度第1回講演会, 2019年06月

  ポスター発表


• ナノスケールデバイスシミュレーションのための非平衡グリーン関数法と障壁高さモデルの比較検討

  相馬 聡文, 岡 直左, 外田 祐也, 清水 良馬, 小川 真人

  第66回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月, 日本語, 東京, 国内会議

  ポスター発表


• グラフェン状物質における光誘起電流のシミュレーション

  土井 信行, 小川 真人, 相馬 聡文

  第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月, 日本語, 東京, 国内会議

  ポスター発表


• テラヘルツ素子応用に向けたグラフェンナノリボンの電磁波応答に関する数値シミュレーション

  石橋 純, 笹岡 健二, 山本 貴博, 小川 真人, 相馬 聡文

  応用物理学会関西支部平成29年度第3回講演会, 2017年11月, 日本語, 京都市, 国内会議

  ポスター発表


• テラヘルツ素子応用に向けたグラフェンナノリボンFETの動的特性に関する数値シミュレーション

  中井 雄紀, 笹岡 健二, 山本 貴博, 小川 真人, 相馬 聡文

  応用物理学会関西支部平成29年度第2回講演会, 2017年11月, 日本語, 京都市, 国内会議

  ポスター発表


• 二次元原子膜h-BCNをチャネルとしたFETにおける電気伝導特性の原子配置依存性

  生水出 浩斗, 小川 真人, 相馬 聡文

  第78回 応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月, 日本語, 福岡市, 国内会議

  ポスター発表


• 二次元原子膜h-BCNの光吸収特性における原子配置依存性

  栗原 健汰, 岡本 一希, 小川 真人, 相馬 聡文

  第86回 応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月, 日本語, 福岡市, 国内会議

  ポスター発表


• 光照射されたグラフェン状物質の電気伝導に関する理論解析

  土井 信行, 小川 真人, 相馬 聡文

  第82回 応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月, 日本語, 福岡市, 国内会議

  ポスター発表


• ポテンシャル制御の劣化度合いと量子トンネル電流の比較解析によるチャネル電子の有効方程式がFET特性に及ぼす影響の解明

  橋本 悠希, 小川 真人, 相馬 聡文

  第80回 応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月, 日本語, 福岡市, 国内会議

  ポスター発表


• シリケイン及びゲルマナンMOSFETのトンネル電流を考慮したバリスティック輸送特性

  岡 直左, 小川 真人, 相馬 聡文

  第84回 応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月, 日本語, 福岡市, 国内会議

  ポスター発表


• グラフェンとグラフェン状物質h-BCNの超格子構造の電気伝導特性シミュレーション

  石原 友也, 小川 真人, 相馬 聡文

  第79回 応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月, 日本語, 福岡市, 国内会議

  ポスター発表


• グラフェン/h-BCNへテロ超格子構造における長波長光吸収特性の理論解析による評価

  栗原 健汰, 岡本 一希, 小川 真人, 相馬 聡文

  第85回 応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月, 日本語, 福岡市, 国内会議

  ポスター発表


• Siナノワイヤ型FETの伝達特性における散乱に起因した1次元効果の重要性

  清水 良馬, 小川 真人, 相馬 聡文

  第83回 応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月, 日本語, 福岡市, 国内会議

  ポスター発表


• Black phosphorus FETの異方的電気伝導特性におけるトンネル効果の影響

  外田 祐也, 小川 真人, 相馬 聡文

  第81回 応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月, 日本語, 福岡市, 国内会議

  ポスター発表


• グラフェン状物質h-BCNの電気伝導特性シミュレーション

  生水出 浩斗, 小川 真人, 相馬 聡文

  応用物理学会関西支部平成29年度第1回講演会, 2017年05月, 日本語, 姫路市, 国内会議

  ポスター発表


• グラフェン状物質h-BCNの光吸収特性シミュレーション

  岡本一希, 小川真人, 相馬聡文

  応用物理学会関西支部平成29年度第3回講演会, 2017年05月, 日本語, 姫路市, 国内会議

  ポスター発表


• グラフェン/h-BCN超格子構造の電気伝導特性シミュレーション

  石原 友也, 小川 真人, 相馬 聡文

  応用物理学会関西支部平成29年度第4回講演会, 2017年05月, 日本語, 姫路市, 国内会議

  ポスター発表


• グラフェン/h-BCN超格子構造の光吸収特性シミュレーション

  栗原 健汰, 小川 真人, 相馬 聡文

  応用物理学会関西支部平成29年度第2回講演会, 2017年05月, 日本語, 姫路市, 国内会議

  ポスター発表


• 二次元原子膜を用いた光検出器に関する理論解析,第64回応用物理学会春季学術講演会

  土井 信行, 福富 惇一朗, 笹岡 健二, 小川 真人, 相馬 聡文

  第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017年03月, 日本語, 横浜市, 国内会議

  ポスター発表


• 任意の方向に歪みが印加されたグラフェンの量子ダイナミクスシミュレーション

  名村 太希, 迫田 翔太郎, 笹岡 健二, 小川 真人, 相馬 聡文

  第77回 応用物理学会秋季学術講演会,, 2016年09月, 日本語, 新潟市, 国内会議

  ポスター発表


• シリケイン及びゲルマナンMOSFETのバリスティック輸送特性の結晶方位依存性

  岡 直左, 兼古 志郎, 相馬 聡文, 小川 真人

  第77回 応用物理学会秋季学術講演会,, 2016年09月, 日本語, 新潟市, 国内会議

  ポスター発表


• グラフェン状物質の面内ヘテロ構造を用いたFETの性能予測シミュレーション

  橋本 悠希, 市原 圭祐, 田中 未来, 笹岡 健二, 小川 真人, 相馬 聡文

  第77回 応用物理学会秋季学術講演会,, 2016年09月, 日本語, 新潟市, 国内会議

  ポスター発表


• グラフェンナノリボンの電子輸送特性に現れる過渡振動現象に関する理論的研究

  中井 雄紀, 石橋 純, 加藤 大喜, 笹岡 健二, 小川 真人, 相馬 聡文

  第77回 応用物理学会秋季学術講演会,, 2016年09月, 日本語, 新潟市, 国内会議

  ポスター発表


• Siナノワイヤ型ジャンクションレストランジスタの準バリスティック輸送特性の解析

  清水 良馬, 一居 雅人, 相馬 聡文, 小川 真人

  第77回 応用物理学会秋季学術講演会,, 2016年09月, 日本語, 新潟市, 国内会議

  ポスター発表


• ,六方晶系BN基板上グラフェンの電子輸送特性, 第77回 応用物理学会秋季学術講演会

  外田 祐也, 平井 秀樹, 相馬 聡文, 小川 真人

  第77回 応用物理学会秋季学術講演会,, 2016年09月, 日本語, 新潟市, 国内会議

  ポスター発表


• Computational study on the performance of locally strained graphene devices: transport and wave packet dynamics simulations

  Satofumi Souma, Kenji Sasaoka, Keisuke Ichihara, Shotaro Sakoda, Yuuki Hashimoto, Taiki Namura, Matsuto Ogawa

  19th International Conference on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices,, 2016年07月, 英語, Hong Kong, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• 歪み誘起擬似磁場を利用したグラフェンFETの制御における電子-フォノン散乱の影響

  相馬 聡文, 笹岡 健二, 小川 真人

  第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年03月, 日本語, 東京工業大学大岡山キャンパス, 国内会議

  口頭発表（一般）


• 歪み印加されたグラフェンナノリボンの過渡電気伝導現象の数値解析

  加藤 大喜, 笹岡 健二, 小川 真人, 相馬 聡文

  第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年03月, 日本語, 東京工業大学大岡山キャンパス, 国内会議

  ポスター発表


• 歪みグラフェンp-n接合ダイオードの整流特性に関する量子輸送シミュレーション

  市原 圭祐, 笹岡 健二, 小川 真人, 相馬 聡文

  第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年03月, 日本語, 東京工業大学大岡山キャンパス, 国内会議

  ポスター発表


• グラフェンの歪み/無歪み遷移領域におけるガウス波束の伝播に関する量子ダイナミクスシミュレーション

  迫田 翔太郎, 笹岡 健二, 小川 真人, 相馬 聡文

  第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年03月, 日本語, 東京工業大学大岡山キャンパス, 国内会議

  ポスター発表


• ディラック電子をキャリアとする電界効果トランジスタのスイッチング性能に関する理論解析

  田中未来, 笹岡健二, 小川真人, 相馬聡文

  第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2016年02月, 日本語, 大阪府立大学中百舌鳥キャンパス, 国内会議

  ポスター発表


• 歪みグラフェンを用いたディラック電子エンジニアリング素子のシミュレーション

  相馬 聡文, 田中 未来, 市原 圭祐, 迫田 翔太郎, 笹岡 健二, 小川 真人

  シリコン材料・デバイス研究会（SDM） プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般, 2015年11月, 日本語, 機械振興会館 （東京）, 国内会議

  [招待有り]

  口頭発表（招待・特別）


• 歪みグラフェンp-n接合の電気伝導特性に関する量子輸送シミュレーション

  市原 圭祐, 笹岡 健二, 小川 真人, 相馬 聡文

  第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年09月, 日本語, 名古屋国際会議場, 国内会議

  ポスター発表


• 時間依存波束伝播法を用いた歪みグラフェンの量子ダイナミクスシミュレーション

  迫田 翔太郎, 笹岡 健二, 小川 真人, 相馬 聡文

  第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年09月, 日本語, 名古屋国際会議場, 国内会議

  口頭発表（一般）


• 開放系シュレーディンガー方程式を用いた歪みアームチェア型グラフェンナノリボンの時間依存電気伝導特性の解析

  加藤 大喜, 笹岡 健二, 小川 真人, 相馬 聡文

  第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年09月, 日本語, 名古屋国際会議場, 国内会議

  口頭発表（一般）


• グラフェン状物質をチャネル材料とする電界効果型トランジスタのシミュレーション

  相馬 聡文

  鳥取大学物質科学研究会 次世代デバイスと先端シミュレーション, 2015年01月, 日本語, 鳥取市, 国内会議

  公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等


• 歪み誘起疑似磁場を利用したグラフェンFET のスイッチング性能に関する理論解析

  上山 真之, 笹岡 健二, 小川 真人, 相馬 聡文

  応用物理学会関西支部平成26 年度第２回講演会, 2014年11月, 日本語, 神戸市, 国内会議

  ポスター発表


• Photoconductivity-based strain sensing in graphene

  MEHDIPOUR Amir, SASAOKA Kenji, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi

  International Symposium on Recent Progress of Photonic Devices and Material, 2014年11月, 英語, 神戸市, 国際会議

  ポスター発表


• 歪み誘起疑似磁場を利用したグラフェンFET の準解析的モデル提案

  上山 真之, 笹岡 健二, 小川 真人, 相馬 聡文

  ミニワークショップ 計算科学アプローチによるナノエレクトロニクス研究, 2014年10月, 日本語, 東京, 国内会議

  公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等


• 擬似磁場効果を利用した歪みグラフェンFET の電流制御機構における構造乱れの影響

  堤 賢一郎, 笹岡 健二, 小川 真人, 相馬 聡文

  ミニワークショップ 計算科学アプローチによるナノエレクトロニクス研究, 2014年10月, 日本語, 東京, 国内会議

  公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等


• ディラック電子をキャリアとする電界効果型トランジスタのスイッチング特性に関する理論

  田中 未来, 笹岡 健二, 小川 真人, 相馬 聡文

  ミニワークショップ 計算科学アプローチによるナノエレクトロニクス研究, 2014年10月, 日本語, 東京, 国内会議

  公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等


• ディラック電子とシュレディンガー電子をキャリアとするFET の性能比較シミュレーション

  田中 未来, 笹岡 健二, 小川 真人, 相馬 聡文

  応用物理学会関西支部平成26 年度第２回講演会, 2014年10月, 日本語, 神戸市, 国内会議

  ポスター発表


• 歪み誘起擬似磁場を利用したグラフェンＦＥＴの スイッチング機構における構造乱れの影響

  堤 賢一郎, 笹岡 健二, 小川 真人, 相馬 聡文

  第77回応用物理学会秋季学術講演会, 2014年09月, 日本語, 札幌市, 国内会議

  ポスター発表


• 複雑な断面形状を持つSi NWMOSFETにおける量子輸送シミュレーション

  森本 剛司, 笹岡 健二, 相馬 聡文, 小川 真人

  第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2014年09月, 日本語, 札幌市, 国内会議

  ポスター発表


• 結合量子ドット構造の光学吸収特性のドット形状依存性

  武藤 庸平, 笹岡 健二, 相馬 聡文, 小川 真人

  第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2014年09月, 日本語, 札幌市, 国内会議

  ポスター発表


• 擬似磁場効果を利用した歪みグラフェンFETの準解析的モデル提案

  上山 真之, 笹岡 健二, 小川 真人, 相馬 聡文

  第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2014年09月, 日本語, 札幌市, 国内会議

  ポスター発表


• ディラック電子をキャリアとするFETの性能予測シミュレーション

  田中 未来, 笹岡 健二, 小川 真人, 相馬 聡文

  第75回応用物理学会秋季学術講演会, 2014年09月, 日本語, 札幌市, 国内会議

  ポスター発表


• サブ60mV/decadeスイッチングを実現する異なるFETゲート制御機構のシミュレーションによる比較解析

  石田 智也, 福嶋 賢介, 笹岡 健二, 小川 真人, 相馬 聡文

  第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2014年09月, 日本語, 札幌市, 国内会議

  ポスター発表


• Numerical simulation of current noise caused by potential fluctuation in nanowire FET with an oxide trap

  FURUBAYASHI Yuki, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi

  International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2014, 2014年09月, 英語, 横浜市, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• グラフェンを材料とする新規素子の提案とシミュレーション

  相馬 聡文

  東京理科大学セミナー講演, 2014年06月, 日本語, 東京, 国内会議

  公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等


• 28pPSA-72 時間依存ゲート電圧による散乱状態の過渡応答シミュレーション(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))

  笹岡 健二, 加藤 司真, 相馬 聡文, 小川 真人

  日本物理学会講演概要集, 2014年03月, 日本語, 一般社団法人日本物理学会


• 時間依存ゲート電圧による散乱状態の過渡応答シミュレーション

  笹岡 健二, 加藤 司真, 相馬 聡文, 小川 真人

  日本物理学会, 2014年03月, 日本語, 国内会議

  ポスター発表


• Numerical Simulations for Time-evolving Electronic States in a Nanoscale System with and without Wide Band Limit Approximation

  笹岡 健二, 加藤 司真, 相馬 聡文, 小川 真人

  International Workshop on Eigenvalue Problems: Algorithms; Software and Applications, in Petascale Computing (EPASA2014), 2014年03月, 英語, Tsukuba, Kenji Sasaoka, Kazuma Kato, Satofumi Souma, and Matsuto Ogawa, 国際会議

  ポスター発表


• 歪み印加を利用したグラフェンの電気伝導制御に関する数値シミュレーション

  相馬 聡文, 上山 真之, 小川 真人

  第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013年09月, 日本語, 京田辺市, 国内会議

  口頭発表（一般）


• 有限要素法を用いたInAs/GaAs量子ドット太陽電池の特性解析

  益原 貴志, Amir Mehdipour, 相馬 聡文, 小川 真人

  第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013年09月, 英語, 京田辺市, 国内会議

  ポスター発表


• 半導体ナノワイヤFETにおけるポテンシャルゆらぎに起因する電流ノイズの数値シミュレーション

  古林 優希, 小川 真人, 相馬 聡文

  第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013年09月, 日本語, 京田辺市, 国内会議

  口頭発表（一般）


• 多バンド有効質量近似法を用いたトンネル電界効果トランジスタの数値シミュレーション

  永井 寛人, 小川 真人, 相馬 聡文

  第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013年09月, 日本語, 京田辺市, 国内会議

  ポスター発表


• モード結合スペクトル法を用いた量子輸送解析の高速・高精度化に関する研究

  藤川 広樹, 相馬 聡文, 小川 真人

  第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013年09月, 日本語, 京田辺市, 国内会議

  ポスター発表


• グラフェンの熱物性における面内歪みの影響

  船谷 宜嗣, 山本 貴博, 小川 真人, 相馬 聡文

  日本物理学会 2013年秋季大会, 2013年09月, 日本語, 徳島市, 国内会議

  口頭発表（一般）


• グラフェンにおける歪みの空間的変化を利用したFETの性能に関する研究

  上山 真之, 小川 真人, 相馬 聡文

  第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013年09月, 日本語, 京田辺市, 国内会議

  ポスター発表


• Wave-packet dynamics study of electronic transport in graphene irradiated by circularly polarized light

  AKIYAMA Takashi, SASAOKA Kenji, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi

  5th International Conference on Recent Progress in Graphene Research, 2013年09月, 英語, 東京, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• Effect of lateral strain on electronic transport in graphene: interplay between band gap formation and pseudo magnetic field effect

  SOUMA Satofumi, UEYAMA Masayuki, OGAWA Matsuto

  5th International Conference on Recent Progress in Graphene Research, 2013年09月, 英語, 東京, 国内会議

  [招待有り]

  口頭発表（一般）


• Effect of in-plane strain on thermal properties of graphene

  FUNATANI Takashi, YAMAMOTO Takahiro, SASAOKA Kenji, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi

  5th International Conference on Recent Progress in Graphene Research, 2013年09月, 英語, 東京, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• Effect of in-plane strain on thermal properties of graphene

  船谷 宜嗣, 山本 貴博, 笹岡 健二, 小川 真人, 相馬 聡文

  5th International Conference on Recent Progress in Graphene Research (RPGR2013), 2013年09月, 英語, Tokyo, Takashi Funatani, Takahiro Yamamoto, Kenji Sasaoka, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma, 国際会議

  ポスター発表


• グラフェンをチャネル材料とする電界効果型トランジスタの性能評価シミュレーション

  相馬 聡文

  第３回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン若手研究会, 2013年08月, 日本語, 吹田市, 国内会議

  [招待有り]

  口頭発表（招待・特別）


• 強結合分子動力学法を用いたグラフェンナノリボンの機械的変形と電子状態に関するシミュレーション

  相馬 聡文

  応用物理学会シリコンテクノロジー「大規模・高速・原子レベル計算が可能にする新規モデリング技術」研究会, 2013年07月, 日本語, 東京, 国際会議

  [招待有り]

  口頭発表（一般）


• グラフェンを材料とする新規機能素子デザインとシミュレーション

  相馬 聡文

  ワークショップ「機能性ナノ材料開発に役立つ先端シミュレーション」, 2013年06月, 日本語, 東京, 国内会議

  [招待有り]

  口頭発表（招待・特別）


• Quantum Dynamical Simulation of Photo-Induced Graphene Switch

  AKIYAMA Takashi, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi

  International Workshop on Computational Electronics 2013, 2013年06月, 英語, 奈良市, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• Effect of Axial Strain on Switching Behavior of Carbon Nanotube Tunneling Field Effect Transistors

  NAKANO Takashi, NAGAI Hiroto, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi

  International Workshop on Computational Electronics 2013, 2013年06月, 英語, 奈良市, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• 28pPSA-5 半導体ナノワイヤ構造におけるポテンシャルゆらぎに起因する電流雑音の数値解析II(28pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

  古林 優希, 小川 真人, 相馬 聡文

  日本物理学会講演概要集, 2013年03月, 日本語, 一般社団法人日本物理学会


• 歪み印加グラフェンの電気伝導に関する数値シミュレーション

  相馬 聡文, 上山 真之, 西村 英之, 秋山 隆志, 小川 真人

  日本物理学会第６８回年次大会, 2013年03月, 日本語, 東広島市, 国内会議

  口頭発表（一般）


• 半導体ナノワイヤ構造におけるポテンシャルゆらぎに起因する電流雑音の数値解析II

  古林 優希, 小川 真人, 相馬 聡文

  日本物理学会第６８回年次大会, 2013年03月, 日本語, 東広島市, 国内会議

  ポスター発表


• 多バンド有効質量近似法に基づくトンネル電界効果 トランジスタの特性解析

  永井 寛人, 中野 貴史, 三好 泰諒, 小川 真人, 相馬 聡文

  第６０回応用物理学会春季学術講演会, 2013年03月, 日本語, 厚木市, 国内会議

  ポスター発表


• レーザー光を照射したグラフェンの電子状態及び電子透過特性に関する理論的研究

  秋山 剛志, 小川 真人, 相馬 聡文

  第６０回応用物理学会春季学術講演会, 2013年03月, 日本語, 厚木市, 国内会議

  ポスター発表


• グラフェンの機械的変形が熱物性に与える影響

  船谷 宜嗣, 山本 貴博, 小川 真人, 相馬 聡文

  日本物理学会第６８回年次大会, 2013年03月, 日本語, 東広島市, 国内会議

  ポスター発表


• Spin blocking effect in symmetric double quantum well due to Rashba spin-orbit coupling

  SOUMA Satofumi, OGAWA Matsuto, SEKINE Yoshiaki, SAWADA Atsushi, KOGA Takaaki

  2013 American Physical Society March Meeting, 2013年03月, 英語, Baltimore, USA, 国内会議

  口頭発表（一般）


• Spin blocking effect in InGaAs/InAlAs double quantum wells due to Rashba spin-orbit coupling

  SOUMA Satofumi, OGAWA Matsuto, SEKINE Yoshiaki, SUGIYAMA Hiroki, YOKOTA Shoichiro, KOGA Takaaki

  第６０回応用物理学会春季学術講演会, 2013年03月, 日本語, 厚木市, 国内会議

  口頭発表（一般）


• 半導体ナノワイヤ構造におけるポテンシャルゆらぎに起因する電流雑音の数値解析

  古林 優希, 小川 真人, 相馬 聡文

  日本物理学会2012年秋季大会, 2012年09月, 日本語, 横浜市, 国内会議

  ポスター発表


• 軸方向引張歪みを加えたCNTトンネル電界効果トランジスタの特性解析

  中野 貴史, 小川 真人, 相馬 聡文

  第７３回応用物理学会学術講演会, 2012年09月, 日本語, 松山市, 国内会議

  口頭発表（一般）


• A Theoretical Study of an Influence of a Time Dependent External Field on Electronic Transport in Graphene

  秋山 剛志, 小川 真人, 相馬 聡文

  第７３回応用物理学会学術講演会, 2012年09月, 英語, 松山市, 国内会議

  口頭発表（一般）


• 19aAF-9 超伝導/強磁性絶縁体/金属接合における電子及び熱輸送(19aAF 超伝導・密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))

  中村 周平, 相馬 聡文, 小川 真人, Vasenko Andery S., 川畑 史郎

  日本物理学会講演概要集, 2012年08月, 日本語, 一般社団法人日本物理学会


• 20pPSA-7 半導体ナノワイヤ構造におけるポテンシャルゆらぎに起因する電流雑音の数値解析(20pPSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

  古林 優希, 小川 真人, 相馬 聡文

  日本物理学会講演概要集, 2012年08月, 日本語, 一般社団法人日本物理学会


• InAs/GaAs quantum dot arrayed-base intermediate band solar cell with multiple intermediate bands

  MEHDIPOUR Amir, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi

  31st International Conference on the Physics of Semiconductors, 2012年08月, 英語, Zurich, Switzerland, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• Atomistic Origin of Rashba and Dresselhaus Spin-Orbit Couplings in Narrow Gap Semiconductor Quantum Wells

  SOUMA Satofumi, OGAWA Matsuto

  31st International Conference on the Physics of Semiconductors, 2012年08月, 英語, Zurich, Switzerland, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• Effect of Lateral Strain on the Performance of Single Layer Graphene Field Effect Transistors

  SOUMA Satofumi, OHMI Yusuke, OGAWA Matsuto

  International Conference on Superlattices, Nanostructures, and Nanodevices, 2012年07月, 英語, Dresden, Germany, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• 26pPSB-61 カーボンナノチューブを用いたトンネル電界効果トランジスタの特性における歪みの影響(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

  中野 貴史, 小川 真人, 相馬 聡文

  日本物理学会講演概要集, 2012年03月, 日本語, 一般社団法人日本物理学会


• 25aBC-6 強磁性絶緑体を用いたジョセフソンπ接合の理論(25aBC 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))

  中村 周平, 相馬 聡文, 小川 真人, 川畑 史郎

  日本物理学会講演概要集, 2012年03月, 日本語, 一般社団法人日本物理学会


• 27aSB-3 グラフェンナノリボンにおけるスピンポンプ効果に関するシミュレーション(27aSB 領域7,領域4合同 グラフェン(ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))

  相馬 聡文, 小川 真人

  日本物理学会講演概要集, 2012年03月, 日本語, 一般社団法人日本物理学会


• 強磁性絶縁体を用いたジョセフソンπ接合の理論

  中村 周平, 相馬 聡文, 小川 真人, 川畑 史郎

  日本物理学会 第67回年次大会, 2012年03月, 日本語, 日本物理学会, 兵庫県西宮市, 国内会議

  口頭発表（一般）


• グラフェンの電気伝導におけるレーザー光照射の効果に関する量子ダイナミクスシミュレーション

  坂本 理朗, 小川 真人, 相馬 聡文

  日本物理学会 第67回年次大会, 2012年03月, 日本語, 日本物理学会, 兵庫県西宮市, 国内会議

  口頭発表（一般）


• グラフェンナノリボンにおけるスピンポンプ効果に関するシミュレーション

  相馬 聡文, 小川 真人

  日本物理学会 第67回年次大会, 2012年03月, 日本語, 日本物理学会, 兵庫県西宮市, 国内会議

  口頭発表（一般）


• カーボンナノチューブを用いたトンネル電界効果トランジスタの特性における歪みの影響

  中野 貴史, 小川 真人, 相馬 聡文

  日本物理学会 第67回年次大会, 2012年03月, 日本語, 日本物理学会, 兵庫県西宮市, 国内会議

  ポスター発表


• Si, InAs, InAs/SiナノワイヤトンネルFETにおけるバンド間トンネリング特性の比較

  三好 泰諒, 小川 真人, 相馬 聡文, 中村 肇

  第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月, 日本語, 応用物理学会, 東京, 国内会議

  口頭発表（一般）


• Efficiency Estimation of Intermediate Band Solar Cells Based on InAs/GaAs Quantum Dot Arrays

  MEHEDIPOUR Amir, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi

  Workshop on Innovation and Pioneering Technolo-gy 2011 (WINPTech2011), 2011年12月, 英語, 国際会議

  ポスター発表


• Effect of axial strain on electronic transport in carbon nanotube tunneling field effect transistors

  NAKANO Takashi, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi

  Workshop on Innovation and Pioneering Technolo-gy 2011 (WINPTech2011), 2011年12月, 英語, 国際会議

  ポスター発表


• 強磁性絶縁体を用いたジョセフソンπ接合の理論

  中村 周平, 相馬 聡文, 小川 真人, 川畑 史郎

  第25回量子情報技術研究会 (QIT25), 2011年11月, 日本語, 国内会議

  ポスター発表


• 歪積層量子ドット構造の電子状態解析

  森垣亮祐, 相馬 聡文, 小川 真人

  第72回応用物理学会学術講演会, 2011年09月, 日本語, 応用物理学会, 国内会議

  口頭発表（一般）


• 結合量子ドットを用いた電荷量子ビット制御における格子振動の影響

  斉藤 守由, 小川 真人, 相馬 聡文

  日本物理学会2011年秋季大会, 2011年09月, 日本語, 日本物理学会, 国内会議

  ポスター発表


• レーザー光を用いたグラフェンの電気伝導制御に関するシミュレーション

  坂本 理朗, 小川 真人, 相馬 聡文

  日本物理学会2011年秋季大会, 2011年09月, 日本語, 日本物理学会, 国内会議

  ポスター発表


• グラフェンナノリボンの電気伝導における引っ張り歪みと外部電界の効果

  貝野 昭造, 小川 真人, 相馬 聡文

  日本物理学会2011年秋季大会, 2011年09月, 日本語, 日本物理学会, 国内会議

  ポスター発表


• グラフェンFETの特性における面内歪みの影響

  近江 裕輔, 小川 真人, 相馬 聡文

  日本物理学会2011年秋季大会, 2011年09月, 日本語, 日本物理学会, 国内会議

  ポスター発表


• InGaAs二重量子井戸系におけるスピンフィルタ

  向井 肇, 小川 真人, 相馬 聡文, 松浦 徹, 関根 佳明, 古賀 貴亮

  日本物理学会2011年秋季大会, 2011年09月, 日本語, 日本物理学会, 国内会議

  口頭発表（一般）


• InGaAs二重量子井戸系でのスピン分離とスピンフィルタ効果

  松浦 徹, 峰重 俊介, 相馬 聡文, 関根 佳明, 古賀 貴亮

  日本物理学会2011年秋季大会, 2011年09月, 日本語, 日本物理学会, 国内会議

  口頭発表（一般）


• InAs/Siヘテロ接合ナノワイヤを用いたバンド間トンネルトランジスタの電流特性解析

  三好 泰諒, 小川 真人, 相馬 聡文, 中村 肇

  第72回応用物理学会学術講演会, 2011年09月, 日本語, 応用物理学会, 国内会議

  口頭発表（一般）


• Bridge-Function Pseudospectral Method for Quantum Mechanical Simulation of Nano-Scaled Devices

  SAITO Yuta, SOUMA Satofumi, OGAWA Matsuto

  2011 Int. Conf. on Simu-lation of Semiconductor Processes and Devices, 2011年09月, 英語, 国際会議

  [招待有り]

  口頭発表（一般）


• Analysis of geometrical sutructure and transport property in InAs/Si heterojunction nanowire tunneling field effect transistors

  MIYOSHI Yasuaki, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi, NAKAMURA Hajime

  2011 Int. Conf. on Simu-lation of Semiconductor Processes and Devices, 2011年09月, 英語, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• Tight binding modeling of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs quantum dot arrays

  MEHEDIPOUR Amir, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi

  2011 Int. Meetingfor Future of Electron Devices, Kansai, 2011年05月, 英語, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• Effect of uniaxial strain on the electronic Transport in single layer graphene

  OHMI Yusuke, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi

  2011 Int. Meetingfor Future of Electron Devices, Kansai, 2011年05月, 英語, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• Analysis of electronic structure in quantum dot arrays for intermediate band solar cells

  KUROME AKITO, MORIGAKI Ryosuke, SOUMA Satofumi, OGAWA Matsuto

  2011 Int. Meetingfor Future of Electron Devices, Kansai, 2011年05月, 英語, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• 強束縛近似法による Si ナノワイヤの電子状態解析(II) -終端方法の影響-

  松田 浩二, 相馬 聡文, 小川 真人

  第57回, 2010年03月, 日本語, 応用物理学会, 神奈川県平塚市, 国内会議

  ポスター発表


• グラフェントランジスタの輸送特性におけるグラフェン/金属接合の影響

  SOUMA Satofumi, OGAWA Matsuto, YAMAMOTO Takahiro, WATANABE Kazuyuki

  日本物理学会・第65回年次大会, 2010年03月, 日本語, 日本物理学会, 岡山, 国内会議

  ポスター発表


• Computational study of molecular vibration and electronic transport in single molecule devices

  森原 章博, 小川 真人, 相馬 聡文

  WINP Tech 2009, 2009年12月, 英語, 神戸大学, 神戸市, 国際会議

  ポスター発表


• 2D Quantum Mechanical Simulation of Gate-Leakage Current in Double-Gate n-MOSFETs

  MURAOKA Satoru, MUKAI Ryota, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi

  International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, 2009年09月, 英語, IEEE, San Diego, USA, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• Spin-polarization in InAs/AlSb double barrier resonant tunneling structures:

  SOUMA Satofumi, OGAWA Matsuto

  14th International Conference on Narrow Gap Semiconductor and Systems, 2009年07月, 英語, 仙台, 国際会議

  [招待有り]

  口頭発表（一般）


• Effect of interface structure on current spin-polarization in narrow gap

  SOUMA Satofumi, OGAWA Matsuto

  14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, 2009年07月, 英語, 神戸, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• Simulation of Graphene Nanoribbon Spin-Filter Device with Spin-Density Functional

  SOUMA Satofumi, OGAWA Matsuto, YAMAMOTO Takahiro, WATANABE Kazuyuki

  13th International Workshop on Computational Electronics, 2009年05月, 英語, IEEE, Beijing, China, 国際会議

  [招待有り]

  口頭発表（一般）


• Influence of Geometrical Deformation on Transport Characteristics

  MOURI, Masaaki, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi

  International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, 2009年05月, 英語, IEEE, 大阪, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• Influence of Edge Roughness on the Performance of Graphene Nano-Ribbon Devices

  SOUMA Satofumi, OGAWA Matsuto, YAMAMOTO Takahiro, WATANABE Kazuyuki

  International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, 2009年05月, 英語, IEEE, 大阪, 国際会議

  [招待有り]

  口頭発表（一般）


• Analysis of the Electronic Structures in Silicon Nano-Structures by

  MATSUDA, Kouji, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi

  International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, 2009年05月, 英語, IEEE, 大阪, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• 強束縛近似法によるSi ナノワイヤにおける電子状態解析

  松田 浩二, 相馬 聡文, 小川 真人

  第56回, 2009年04月, 日本語, 応用物理学会, つくば, 国内会議

  口頭発表（一般）


• カーボンナノチューブにおける圧力の輸送特性への影響

  毛利 真章, 小川 真人, 相馬 聡文

  第56回, 2009年04月, 日本語, 応用物理学会, つくば, 国内会議

  口頭発表（一般）


• ナノグラフェン素子における電流のスピン偏極制御に関する理論解析

  相馬 聡文, 小川 真人, 山本 貴博, 渡辺 一之

  第56回, 2009年03月, 日本語, 応用物理学会, 筑波, 国内会議

  口頭発表（一般）


• Spin Dependent Transport in Graphene Nano Ribbon Devices

  SOUMA Satofumi, OGAWA Matsuto, YAMAMOTO Takahiro, WATANABE Kazuyuki

  American Physical, 2008年11月, 英語, AmericanPhysical Society, Pittsburgh, USA, 国際会議

  ポスター発表


• Computational modeling of graphene nano-ribbon spin devices based on spin-density-functional tight-binding method

  SOUMA Satofumi, OGAWA Matsuto, YAMAMOTO Takahiro, WATANABE Kazuyuki

  Int. Symposium on, 2008年11月, 英語, 会津若松, 国際会議

  [招待有り]

  口頭発表（一般）


• Analysis of Direct Tunneling Current from Quasi-Bound States in n-MOSFET Based on

  MURAOKA Satoru, SOUMA Satofumi, OGAWA Matsuto

  2008 International, 2008年11月, 英語, 箱根, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• グラフェンナノリボン素子におけるスピン輸送に関する理論解析

  相馬 聡文, 小川 真人, 山本 貴博, 渡辺 一之

  日本物理学会, 2008年09月, 日本語, 日本物理学会, 盛岡, 国内会議

  ポスター発表


• Si ナノMOSFET中の量子輸送解析に関する研究

  岡崎 仁, 相馬 聡文, 小川 真人

  第69回応用物理学会学術講演会, 2008年09月, 日本語, 応用物理学会, 名古屋, 国内会議

  ポスター発表


• Calculation of strain effecs on the I-V characteristics of ultra small MOSFETs based on NEGF approach

  FITRIAWAN Helmy, SOUMA Satofumi, OGAWA Matsuto

  2008 Int. Conf. on, 2008年09月, 英語, 筑波, 国内会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• グラフェンナノリボンを用いた新規デバイスの提案とシミュレーション

  相馬 聡文, 小川 真人, 山本 貴博, 渡辺 一之

  応用物理学会シリコンテクノロジー分科会モデリング研究会「シリコンCMOSを超える, 2008年07月, 日本語, 応用物理学, 東京, 国内会議

  [招待有り]

  口頭発表（招待・特別）


• グラフェンナノリボンFETの数値シミュレーション

  相馬 聡文, 小川 真人, 山本 貴博, 渡辺 一之

  電気学会「超集積化・環境CMOSデバイス調査専門委員会」, 2008年07月, 日本語, 電気学会, 東京, 国内会議

  [招待有り]

  口頭発表（招待・特別）


• 狭ギャップ半導体共鳴トンネル素子のスピン依存伝導における界面構造の影響

  相馬 聡文, 小川 真人

  日本物理学会, 2008年03月, 日本語, 日本物理学会, 東京, 国内会議

  口頭発表（一般）


• ナノグラフェン素子における量子輸送シミュレーション

  相馬 聡文, 小川 真人, 山本 貴博, 渡辺 一之

  第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年03月, 日本語, 船橋市, 国内会議

  口頭発表（一般）


• カーボンナノチューブの輸送特性における圧力と格子欠陥の効果

  毛利 真章, 小川 真人, 相馬 聡文

  日本物理学会, 2008年03月, 日本語, 日本物理学会, 東京, 国内会議

  ポスター発表


• Si ナノMOSFETにおけるフォノン散乱現象の解析

  フィトリアワン ヘルミー, 今後 博, 相馬 聡文, 小川 真人

  第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年03月, 英語, 船橋市, 国内会議

  口頭発表（一般）


• 歪Si結晶の強束縛近似法による電子状態解析に関する研究

  小原 朋子, 相馬 聡文, 小川 真人

  電気関係学会関西支部 連合大会, 2007年11月, 日本語, 神戸市, 国内会議

  口頭発表（一般）


• Numerical simulation of the electronic transport in graphene nano-ribbon devices a Non-equilibrium Green’s Function Method,

  M. Ogawa, satofumi souma

  12th International Workshop on Computational Electronics, 2007年10月, 英語, IEEE, IWCE2007, 国際会議

  [招待有り]

  口頭発表（一般）


• Numerical simulation of the electronic transport in graphene nano-ribbon devices

  SOUMA Satofumi, OGAWA Matsuto, YAMAMOTO Takahiro, WATANABE Kazuyuki

  12th International Workshop on Computa- tional Electronics, 2007年10月, 英語, Massachusetts/USA, 国際会議

  [招待有り]

  口頭発表（一般）


• Fullband Green’s function study for quantum electron transport in strained silicon n-MOEFETs

  FITRIAWAN Helmy, SOUMA Satofumi, OGAWA Matsuto

  12th International Workshop on Computa- tional Electronics, 2007年10月, 英語, Massachusetts/USA, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• グラフェンナノリボン素子のトランジスタ特性に 関する理論的研究

  相馬 聡文, 小川 真人, 山本 貴博, 渡辺 一之

  日本物理学会2007年次 大会, 2007年09月, 日本語, 北海道, 国内会議

  口頭発表（一般）


• Quantum electron transport modeling in strained MOSFETs based on multiband non-equilibrium

  FITRIAWAN Helmy, SOUMA Satofumi, OGAWA Matsuto

  第68回応用物理学会学術講演会, 2007年09月, 英語, 北海道, 国内会議

  口頭発表（一般）


• CNTへのドーピングによる電子状態変化の解析

  前田 琢磨, 相馬 聡文, 小川 真人

  第68回応用物理学会学術講演会, 2007年09月, 日本語, 北海道, 国内会議

  口頭発表（一般）


• Numerical study of electronic states in silicon thin films based on empirical tight-binding approach

  ONISHI Kensuke, SOUMA Satofumi, OGAWA Matsuto

  Frontiers in Computational Science of Nanoscale Trans- port in conjunction with Atomistic Workshop 2007, 2007年06月, 英語, Tokyo Univ of Science, 東京, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• Electronic structure of substitutional impurity in carbon nanotubes based on a first principle calculation

  Maeda Takuma, SOUMA Satofumi, OGAWA Matsuto

  Frontiers in Computational Science of Nanoscale Trans- port in conjunction with Atomistic Workshop 2007, 2007年06月, 英語, Tokyo Univ of Science, 東京, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• Current-voltage chatacteristics and local current distribution in graphene-nano-ribbon devices

  SOUMA Satofumi, OGAWA Matsuto, YAMAMOTO Takahiro, WATANABE Kazuyuki

  Frontiers in Computational Science of Nanoscale Trans- port in conjunction with Atomistic Workshop 2007, 2007年06月, 英語, Tokyo Univ of Science, 東京, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• Atomistic simulation of spin-polarized electronic current in resonant tunneling heterostructures

  SOUMA Satofumi, OGAWA Matsuto

  4th International School andConference on Spintronics and Quantum Information Technology (Spintech IV), 2007年06月, 英語, Hawaii/USA, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• グラファイトリボンの電気伝導におけるゲート電極の効果

  相馬 聡文, 小川 真人, 山本 貴博, 渡辺 一之

  日本物理学会2007年春季大会, 2007年03月, 日本語, 鹿児島大学, 国内会議

  ポスター発表


• Quantum Electron Transport Modeling in Nano-Scale Devices Based on Multiband Non-Equilibrium Green's Funtion Method

  FITRIAWAN Helmy, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi, MIYOSHI Tanroku

  第54回応用物理学関係連合講演会, 2007年03月, 英語, 青山学院大学, 国内会議

  口頭発表（一般）


• Quantum Electron Transport Modeling in Double-Gate MOSFETs Based on Multiband Non-Equilibrium Green's Function Method

  FITRIAWAN Helmy, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi, MIYOSHI Tanroku

  Second International Symposium on Nanometer-Scale Quantum Physics, 2007年01月, 英語, Tokyo Insititute of Technology, Tokyo, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• Non-Equilibrium Green's Function Method for Modeling Quantum Electron Transport in Nano-Scale Devices with Anisotropic Multiband Structure

  FITRIAWAN Helmy, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi, MIYOSHI Tanroku

  6th International Conference on Materials for Microelectronics and Nanoengineering, 2006年10月, 英語, Cranfield, UK, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• ナノスケールトランジスタにおける電極形状効果と実空間・モード空間展開法の比較

  今後 博, 水谷 篤史, 清水 崇之, Fitriawan Helmy, 相馬 聡文, 小川 真人, 三好 旦六

  第54回応用物理学関係連合講演会, 2006年09月, 日本語, 青山学院大学, 国内会議

  口頭発表（一般）


• Rashbaスピン軌道相互作用下のメゾスコピック多端子構造におけるスピンホール流の生成と検出

  相馬 聡文, NIKOLIC Branislav K

  日本物理学会2006年秋季大会, 2006年09月, 日本語, 千葉大学, 国内会議

  [招待有り]

  口頭発表（一般）


• Quantum Electron Transport Modeling in Nano-Scale Devices Based on Multiband Non-Equilibrium Green's Funtion Method

  FITRIAWAN Helmy, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi, MIYOSHI Tanroku

  IEICE Technical Committee on Silicon Device and Materials, 2006年09月, 英語, 国内会議

  口頭発表（一般）


• Multiband Simulation of Quantum Electron Transport in Nano-Scale Devices Based on Non-Equilibrium Green's Function

  FITRIAWAN Helmy, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi, MIYOSHI Tanroku

  2006 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2006年09月, 英語, Pacifico Yokohama, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• Fullband Simulation of Quantum Electron Transport in Nanoscale Devices

  FITRIAWAN Helmy, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi, MIYOSHI Tanroku

  第67回応用物理学会学術講演会, 2006年08月, 英語, 立命館大学, 国内会議

  口頭発表（一般）


• グラファイトリボンの有限バイアス電気伝導におけるエッジ状態の役割

  相馬 聡文, 山本 貴博, 渡辺 一之

  日本物理学会 第61回年次大会, 2006年03月, 日本語, 松山大学, 国内会議

  口頭発表（一般）


• タイトバインディング密度汎関数法によるグラファイトリボンの電気伝導解析

  相馬 聡文, 山本 貴博, 渡辺 一之

  物性研短期研究会 「次世代ナノ・エレクトロニクスのための電子状態計算の基礎理論」, 2005年12月, 日本語, 東京大学物性研究所, 国内会議

  口頭発表（一般）


• Nonequilibrium electronic transport in graphitic ribbon bridges

  SOUMA Satofumi, YAMAMOTO Takahiro, WATANABE Kazuyuki

  International Symposium on Molecular Scale Electronics, 2005年12月, 英語, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki, Japan, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• Electronic transport properties of graphite ribbonbridges under finite bias voltages

  SOUMA Satofumi, YAMAMOTO Takahiro, WATANABE Kazuyuki

  The Forth International Symposium on Surface Science and Nanotechnology, 2005年11月, 英語, Ohmiya Sonic City, Saitama, Japan, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• Ab initio scattering state calculation of field emission from nanostructures

  ARAIDAI Masaaki, SOUMA Satofumi, WATANABE Kazuyuki

  The Forth International Symposium on Surface Science and Nanotechnology, 2005年11月, 英語, Ohmiya Sonic City, Saitama, Japan, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• グラファイトリボン架橋の有限バイアスでの電気伝導特性

  相馬 聡文, 山本 貴博, 渡辺 一之

  日本物理学会 2005年秋季大会, 2005年09月, 日本語, 同志社大学, 国内会議

  口頭発表（一般）


• Spin Hall current driven by spin-interference in mesoscopic rings with Rashba spin-orbit coupling

  SOUMA Satofumi, NIKOLIC Branislav K

  日本物理学会 2005年秋季大会, 2005年09月, 日本語, 同志社大学, 国内会議

  口頭発表（一般）


• Controlling Decoherence of transported spin in semiconductor spintronic devices

  SOUMA Satofumi, NIKOLIC Branislav K

  The 10th Workshop on Similarity in Diversity, 2005年09月, 英語, Morito Memorial Hall, Tokyo University of Science, Tokyo, Japan, 国際会議

  [招待有り]

  口頭発表（一般）


• Quantum-coherent spin Hall effect and all-electrical detectors for its experimental observation

  NIKOLIC Branislav K, SOUMA Satofumi

  The third international school and conference on spintronics and quantum information technology, 2005年08月, 英語, Awaji Yumebutai International Conference Center, Awaji Island, Hyogo, Japan, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表


• Mesoscopic spin Hall current and spin accumulation in multiprobe ballistic semiconductor nanostructures

  NIKOLIC Branislav K, ZARBO Liviu P, SOUMA Satofumi

  The third international school and conference on spintronics and quantum information technology, 2005年08月, 英語, Awaji Yumebutai International Conference Center, Awaji Island, Hyogo, Japan, 国際会議

  [招待有り]

  ポスター発表

• 日本音楽即興学会

  2021年12月 - 現在


• 応用物理学会

  2013年02月 - 現在


• IEEE

  2010年10月 - 現在

• 量子コンピューティングアルゴリズムに基づくナノデバイスシミュレーション手法の開拓

  相馬 聡文

  日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(C), 基盤研究(C), 神戸大学, 2022年04月 - 2025年03月


• 機械学習を応用した原子層物質チャネルFETのシミュレーションと最適化設計

  相馬 聡文

  日本学術振興会, 科学研究費助成事業 新学術領域研究(研究領域提案型), 新学術領域研究(研究領域提案型), 神戸大学, 2019年04月 - 2021年03月

  機械学習を原子膜デバイスのシミュレーションと最適化設計に応用する事を目的に，これまで，非平衡グリーン関数（NEGF）法に基づくデバイスシミュレーションを畳み込みニューラルネットワーク（CNN）を用いて高速化する手法を確立してきたが，これまでは散乱を考慮しないコヒーレント輸送を前提としていた．より現実的なシミュレーションのためには電子フォノン散乱などの散乱機構を考慮に入れる必要がある．そこで，散乱を考慮したNEGF法に基づくデバイスシミュレーションにおいて機械学習手法，特にニューラルネットワーク（NN）モデルを用いる事によりシミュレーションを高速化する手法についての検討を行った．具体的には，散乱のある場合の電流計算に必要となる非平衡状態での相関グリーン関数（占有状態，非占有状態共）のスペクトル分布（各エネルギー毎の値）が，散乱の無いコヒーレント輸送の場合には大きな計算負荷を要せず（あるいは開発済みのコヒーレント輸送用のNEGF機械学習モデルを用いる事により更に高速に）計算される事，及び，散乱のある場合の上記のスペクトル分布が散乱強度等によって系統的な影響を受ける事に注目し，それらの間の対応関係をNNによって学習させる手法を提案し，この手法によって散乱のある場合の電流がNNモデルによってある程度の精度で低計算負荷に推論可能になる事を明らかにした． 更に，機械学習を用いる事によるデバイス性能予測とデバイス探索のための一般的なフレームワーク検討として，NNを用いる事により，与えられた素子パラメータに対するデバイス特性を直接的に予測するための一般的なモデルを提案し，高い精度で予測可能であることを明らかにした．また，その逆問題として，所望のデバイス性能が与えられた時にそれを実現するデバイスパラメータを抽出するための一般的なモデルも提案，その実用性を示した．


• 脳型コンピュータに向けた超低消費電力FETのための統合型低計算負荷シミュレータの開発と応用

  相馬 聡文

  東芝メモリ奨励研究、キオクシア奨励研究, 2019年02月 - 2021年03月, 研究代表者

  競争的資金


• 量子ゲート回路を応用した音楽作成システムの開発

  相馬 聡文

  IPA 2018年度未踏ターゲット事業（ゲート式量子コンピュータ部門）, 2018年11月 - 2020年03月, 研究代表者

  競争的資金


• 発熱・放熱制御と排熱有効利用を実現する超低消費電力デバイスの計算科学的デザイン

  山本 貴博

  科学研究費補助金/基盤研究(B), 2015年04月 - 2018年03月

  競争的資金


• 京コンピューターを用いたアトミスティック・デバイスシミュレータの開発

  小川 真人

  科学研究費一部基金／基盤研究(B)特設, 2013年04月 - 2017年03月

  競争的資金


• グラフェンを材料とした新規超低消費電力デバイス制御機構の創出

  相馬 聡文

  科学研究費補助金／萌芽研究, 2012年04月 - 2015年03月, 研究代表者

  競争的資金


• ＩｎＧａＡｓ系量子井戸におけるメゾスコピック・スピン輸送効果の検証

  古賀 貴亮, 川畑 史郎, 相馬 聡文, 齋藤 圭司, 松浦 徹

  日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 基盤研究(B), 北海道大学, 2011年04月01日 - 2014年03月31日

  InP格子整合系InGaAs量子井戸に関して、ゼロ磁場スピン分離項を定量的明らかにした。これまで定量的な解明に至らなかったRashba項の存在を初めて明確に示すとともに、その大きさについても定量的な解明を行った。具体的には、極低温での磁気伝導度に見られる弱反局在効果の理論解析により、Rasha係数αと井戸内電場の間の厳密な比例関係を示すことに初めて成功した。また、この系でのDresselhaus項が非常に小さいことも同時に明らかにした。更に、ゲートによりが正負に変化するウェハ上に作製したメゾ系ループ配列構造での時間反転量子干渉効果を測定し、半古典理論モデルの有効性を実証した。


• 密度汎関数法理論に基づく非平衡ナノスケール電気伝導ダイナミクス

  渡邉 聡

  科学研究費補助金/新学術領域研究(研究領域提案型)コンピューティクスによる物質デザイン: 複合相関と非平衡ダイナミクス, 2010年04月 - 2014年03月

  競争的資金


• 量子輸送シミュレータによる極限シリコン新構造・新材料デバイスの設計

  小川 真人

  科学研究費補助金／基盤研究(B), 2009年

  競争的資金


• 量子力学的手法による次世代分子トランジスタの最適化設計に関する研究

  小川 真人, 相馬 聡文

  日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 基盤研究(B), 神戸大学, 2005年 - 2008年

  スケーリングリミットに近づいたシリコン系デバイスの次世代の代替候補として分子エレクトロニクス材料に焦点を当て,ナノ材料設計及びデバイス設計に関して第一原理電子状態解析とNEGF法に基づき主としてGNR(グラーフェンナノリボン=Carbon系)およびPDT(ポリドデシルチオフェン)系の分子構造に伴う電子状態解析結果とデバイス構造設計によるデバイス特性解析結果,及び解析手法を開発し,PDT系材料のスイッチとしての分子デバイスへの応用が可能となることを明らかにした.シリコン系材料の置換の可能性が開け,次世代ナノ材料・デバイス設計も可能となり,産業技術への展開が可能となると考えられる.


• 原子ノベルの材料特性に基く半導体ナノスピントロニクスデバイスシミュレーターの開発

  相馬 聡文

  科学研究費補助金／特別研究促進費, 2006年, 研究代表者

  競争的資金