SEARCH
Search Details
HARADA YukihiroGraduate School of Engineering / Department of Electrical and Electronic EngineeringAssistant Professor
Research activity information
■ Paper- Jun. 2025, Journal of Applied PhysicsScientific journal
- Abstract The application of the thermoradiative effect of photodiodes, in which photons are emitted to a cold reservoir in the far-field, is a promising approach for renewable electricity generation. Here we derive the radiative limit of the output power density of an ideal thermoradiative diode (TRD) with an intermediate band (IB) using detailed balance calculations. The output power density of an ideal IB-TRD with a given bandgap energy and an optimal IB position increases with the device temperature, and simultaneously the optimal position of the IB shifts away from the mid-gap position due to the current matching constraint. Since the intrinsic carrier density needs to be significantly lower than the doping concentration to form a p–n junction at the operating temperature, IB-TRDs can be advantageous compared to single-junction TRDs consisting of narrow-bandgap semiconductors.Springer Science and Business Media LLC, Mar. 2025, Scientific Reports, 15(1) (1)Scientific journal
- Jan. 2025, Japanese Journal of Applied PhysicsScientific journal
- Abstract We report lateral photoconductive properties of multilayer-stacked undoped InAs/GaAs quantum dots (QDs) for the application of photoconductive terahertz (THz) antenna devices that operate in a 1.5 μm-telecom-wavelength band. The excitation power-dependent photocurrent showed a high value without saturation under high excitation power for the excitation wavelength of 1460 nm. From the reflection pump-probe signal, a fast photocarrier lifetime was derived. These results, together with the low dark current characteristic, support the applicability of the multilayer-stacked undoped InAs/GaAs QDs to photoconductive THz antennas operating in a 1.5 μm-wavelength band.IOP Publishing, Aug. 2024, Japanese Journal of Applied Physics, 63(8) (8), 082002 - 082002, English[Refereed]Scientific journal
- Society of Materials Science, Japan, Feb. 2024, Journal of the Society of Materials Science, Japan, 73(2) (2), 178 - 182[Refereed]Scientific journal
- 公益社団法人応用物理学会, Sep. 2023, 応用物理, 92(9) (9), 550 - 554, Japanese[Refereed]
- May 2023, Journal of Physics and Chemistry of Solids[Refereed]Scientific journal
- AIP Publishing, Feb. 2022, AIP Advances, 12(2) (2), 025110 - 025110[Refereed]Scientific journal
- SPIE, Apr. 2021, Photonic Heat Engines: Science and Applications III[Refereed]International conference proceedings
- Society of Materials Science, Japan, Oct. 2020, Journal of the Society of Materials Science, Japan, 69(10) (10), 727 - 732[Refereed]Scientific journal
- AIP Publishing, Aug. 2020, Applied Physics Letters, 117(6) (6), 061106 - 061106[Refereed]Scientific journal
- Jul. 2020, Applied Physics Letters, 117(4) (4), 041104-1 - 041104-5, English[Refereed]Scientific journal
- SPIE, Feb. 2020, Photonic Heat Engines: Science and Applications II[Refereed]International conference proceedings
- Japan Society of Applied Physics, Dec. 2019, Applied Physics Express, 12(12) (12), 125008 - 125008[Refereed]Scientific journal
- The Optical Society, Nov. 2019, Optics Express, 27(24) (24), 34961 - 34961, English[Refereed]Scientific journal
- Society of Materials Science, Japan, Oct. 2019, Journal of the Society of Materials Science, Japan, 68(10) (10), 762 - 766[Refereed]Scientific journal
- IOP Publishing, Aug. 2019, Semiconductor Science and Technology, 34(9) (9), 094003 - 1-5, English[Refereed]Scientific journal
- Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., Jun. 2019, Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 3004 - 3006, EnglishInternational conference proceedings
- Springer Verlag, 2019, Green Energy and Technology, 55 - 79, EnglishIn book
- Springer Verlag, 2019, Green Energy and Technology, 81 - 137, EnglishIn book
- Springer Verlag, 2019, Green Energy and Technology, 15 - 24, EnglishIn book
- Springer Verlag, 2019, Green Energy and Technology, 157 - 202, EnglishIn book
- Springer Verlag, 2019, Green Energy and Technology, 139 - 156, EnglishIn book
- Springer Verlag, 2019, Green Energy and Technology, 25 - 42, EnglishIn book
- Springer Verlag, 2019, Green Energy and Technology, 43 - 54, EnglishIn book
- Springer Verlag, 2019, Green Energy and Technology, 1 - 13, EnglishIn book
- Green Energy and Technology, 2019, Green Energy and Technology[Refereed]
- Nature Publishing Group, Dec. 2018, Scientific Reports, 8(1) (1), pp. 872 - 1-8, English[Refereed]Scientific journal
- Nov. 2018, Proceedings of the 35th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 126 - 128, EnglishInternational conference proceedings
- Jul. 2018, Applied Physics Express, 11(8) (8), pp.082303 - 1-4, English[Refereed]Scientific journal
- Apr. 2018, Scientific reports, 8(1) (1), 6457 - 6457, English[Refereed]Scientific journal
- Oct. 2017, PHYSICAL REVIEW B, 96(15) (15), pp. 155210 - 1-8, English[Refereed]Scientific journal
- Sep. 2017, 材料 別冊, 66(9) (9), pp. 629 - 633, JapaneseInAs/GaAs量子ドット超格子を用いたホットキャリア型太陽電池の基礎特性[Refereed]Scientific journal
- Jul. 2017, SCIENTIFIC REPORTS, 7, pp. 5865 - 1-10, English[Refereed]Scientific journal
- May 2017, APPLIED PHYSICS LETTERS, 110(19) (19), pp. 193104 - 1-5, English[Refereed]Scientific journal
- Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., Dec. 2016, Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference, EnglishTransverse-magnetic laser oscillation from highly stacked InAs/GaAs quantum dotsInternational conference proceedings
- Nov. 2016, PHYSICAL REVIEW B, 94(19) (19), pp. 195313 - 1 -9, English[Refereed]Scientific journal
- Oct. 2016, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 120(13) (13), pp. 134313 - 1-6, English[Refereed]Scientific journal
- 日本材料学会, Sep. 2016, 日本材料学会会誌「材料」, 65(9) (9), pp. 647 - 651, Japanese量子ドット超格子太陽電池における2段階光励起電流生成ダイナミクスの電界依存特性[Refereed]Scientific journal
- Mar. 2016, PHYSICAL REVIEW B, 93(11) (11), pp. 115303 - 1-5, English[Refereed]Scientific journal
- Mar. 2016, APPLIED PHYSICS LETTERS, 108(11) (11), pp. 111905 - 1-4, English[Refereed]Scientific journal
- 2016, 2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS), EnglishPolarization anisotropy of electroluminescence and net-modal gain in highly stacked InAs/GaAs quantum-dot laser devices[Refereed]International conference proceedings
- 2016, 2016 INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE (ISLC), EnglishTransverse-magnetic laser oscillation from highly stacked InAs/GaAs quantum dots[Refereed]International conference proceedings
- 2016, 2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS), EnglishTwo-Dimensional Energy Dispersion in Thermally Annealed Epitaxial Nitrogen Atomic Sheet in GaAs[Refereed]International conference proceedings
- Sep. 2015, Journal of the Society of Materials Science, 64(9) (9), pp. 685 - 689, Japanese近接積層InAs/GaAs量子ドット半導体光アンプの光導波モード解析[Refereed]Scientific journal
- May 2015, PHYSICAL REVIEW B, 91(20) (20), pp. 201303 - 1-6, English[Refereed]Scientific journal
- Apr. 2015, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 117(16) (16), pp. 193105 - 1-5, English[Refereed]Scientific journal
- The Physical Society of Japan (JPS), 2015, Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan, 70, 1115 - 1115, Japanese
- 2015, 2015 IEEE 42ND PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC), English[Refereed]International conference proceedings
- Oct. 2014, APPLIED PHYSICS LETTERS, 105(17) (17), pp. 1 - 5, English[Refereed]Scientific journal
- Jun. 2014, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 115(23) (23), 233512 - 1-5, English[Refereed]Scientific journal
- May 2014, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 115(17) (17), 173508 - 1-6, English[Refereed]Scientific journal
- Feb. 2014, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 115(8) (8), 083510 - 1-5, English[Refereed]Scientific journal
- Jan. 2014, APPLIED PHYSICS LETTERS, 104(4) (4), 041907 - 1~4, English[Refereed]Scientific journal
- Jul. 2013, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 114(3) (3), 033517 - 1-5, English[Refereed]Scientific journal
- Jun. 2013, Journal of Applied Physics, 113(22) (22), 223511 - 1-5, English[Refereed]Scientific journal
- Jun. 2013, PHYSICAL REVIEW B, 87(23) (23), 2353323 - 1-6, English[Refereed]Scientific journal
- 2013, 2012 IEEE 38TH PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC), VOL 2, EnglishCarrier Dynamics in Intermediate States of InAs/GaAs Quantum Dots Embedded in Photonic Cavity Structure[Refereed]International conference proceedings
- 2013, Progress in Photovoltaics, 21(4) (4), English[Refereed]Scientific journal
- 2013, Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 8620, 862008 - 1-7, English[Refereed]International conference proceedings
- 2013, PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 11, 10(11) (11), 1492 - 1495, English[Refereed]International conference proceedings
- Jul. 2012, PHYSICAL REVIEW B, 86(3) (3), 035301 - 1-7, English[Refereed]Scientific journal
- 2012, PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 2, 9(2) (2), English[Refereed]International conference proceedings
- 2012, PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 12, 9(12) (12), 2473 - 2476, English[Refereed]International conference proceedings
- Oct. 2011, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 110(8) (8), English[Refereed]Scientific journal
- Sep. 2011, PHYSICAL REVIEW B, 84(11) (11), English[Refereed]Scientific journal
- Jun. 2011, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 4(6) (6), English[Refereed]Scientific journal
- Feb. 2011, PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 248(2) (2), 464 - 467, English[Refereed]Scientific journal
- 2011, Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 002625 - 002628, English[Refereed]International conference proceedings
- 2011, PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 2, 8(2) (2), English[Refereed]International conference proceedings
- 2011, PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 30TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, 1399, English[Refereed]International conference proceedings
- Feb. 2010, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 107(4) (4), English[Refereed]Scientific journal
- Dec. 2009, JOURNAL OF LUMINESCENCE, 129(12) (12), 1448 - 1453, English[Refereed]Scientific journal
- Aug. 2008, PHYSICAL REVIEW B, 78(7) (7), English[Refereed]Scientific journal
- May 2008, PHYSICAL REVIEW B, 77(19) (19), English[Refereed]Scientific journal
- 2008, 2008 IEEE 20TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM), 231 - 233, EnglishEXCITON FINE STRUCTURE OF NITROGEN ISOELECTRONIC CENTERS IN GaAs[Refereed]International conference proceedings
- 2007, PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS A AND B, 893, 1245 - +, EnglishAnisotropic magnetic-field evolution of valence-band states in one-dimensional diluted magnetic semiconductors[Refereed]International conference proceedings
- 2006, Physica Status Solidi C: Conferences, 3(3) (3), 667 - 670, English[Refereed]International conference proceedings
- 2006, Conference on Lasers and Electro-Optics and 2006 Quantum Electronics and Laser Science Conference, CLEO/QELS 2006, English[Refereed]International conference proceedings
- 2006, PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3 NO 3, 3(3) (3), 667 - +, EnglishValence-band mixing induced by sp-d exchange interaction in CdMnTe quantum wires[Refereed]International conference proceedings
- 2006, Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 74(24) (24), English[Refereed]Scientific journal
- Feb. 2005, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 275(1-2) (1-2), E2221 - E2224, English[Refereed]Scientific journal
- 2005, IQEC, International Quantum Electronics Conference Proceedings, 2005, 265 - 266, English[Refereed]International conference proceedings
- 2005, Physics of Semiconductors, Pts A and B, 772, 1353 - 1354, EnglishHole-spin reorientation in (CdTe)(0.5)(Cd0.75Mn0.25Te)(0.5) tilted superlattices grown on Cd0.74Mg0.26Te(001) vicinal surface[Refereed]International conference proceedings
- Mar. 2025, クリーンエネルギー, 392, 14 - 19, Japanese中間バンド構造を導入した熱放射発電素子[Invited]Introduction commerce magazine
- 電気評論社, Jul. 2017, 電気評論, 642(7) (7), 67 - 71, Japanese半導体量子ドット超格子におけるホットキャリアダイナミクス[Invited]Introduction commerce magazine
- 応用物理学会, May 2014, 応用物理, 83(5) (5), 348 - 355, Japanese中間バンド型高効率太陽電池―量子ナノ構造中における光キャリアダイナミックス―[Refereed]Introduction scientific journal
- The Physical Society of Japan (JPS), 24 Aug. 2011, Meeting abstracts of the Physical Society of Japan, 66(2) (2), 728 - 728, Japanese21pPSA-37 Magneto-photoluminescence of biexciton bound to nitrogen pair in GaAs
- The Physical Society of Japan (JPS), 01 Mar. 2010, Meeting abstracts of the Physical Society of Japan, 65(1) (1), 782 - 782, Japanese22pPSB-8 Diamagnetic shift of the photoluminescence spectra in nitrogen δ-doped GaAs
- The Physical Society of Japan (JPS), 18 Aug. 2009, Meeting abstracts of the Physical Society of Japan, 64(2) (2), 657 - 657, Japanese27aPS-54 Population of oxciton fine structure in isocloctronic bound cxcitons in nitrogen δ-dopcd GaAs
- The Physical Society of Japan (JPS), 25 Aug. 2008, Meeting abstracts of the Physical Society of Japan, 63(2) (2), 605 - 605, Japanese21aYK-11 Effect of Mn Composition Distribution on Anisotropic Magneto-optical Properties in CdTe/CdMnTe Tilted Superlattices
- The Physical Society of Japan (JPS), 29 Feb. 2008, Meeting abstracts of the Physical Society of Japan, 63(1) (1), 683 - 683, Japanese25pWJ-6 Magnetic-Field Evolution of Luminescence Linewidth in CdTe/CdMuTe Tilted Superlattices
- The Physical Society of Japan (JPS), 21 Aug. 2007, Meeting abstracts of the Physical Society of Japan, 62(2) (2), 688 - 688, Japanese22aTG-7 Auisotropic Zeeman Shift in CdTe/CdMnTe Tilted Superlattices
- The Physical Society of Japan (JPS), 28 Feb. 2007, Meeting abstracts of the Physical Society of Japan, 62(1) (1), 663 - 663, Japanese18pTA-11 Near-Field Spectroscopy of II-VI Compound Tilted Superlattices
- The Physical Society of Japan (JPS), 28 Feb. 2007, Meeting abstracts of the Physical Society of Japan, 62(1) (1), 673 - 673, Japanese19pTA-6 In-Plane Anisotropy of Magneto-Optical Properties in CdTe/CdMnTe Tilted Superlattices
- The Physical Society of Japan (JPS), 18 Aug. 2006, Meeting abstracts of the Physical Society of Japan, 61(2) (2), 528 - 528, Japanese23pXJ-4 Scanning Near-Field Optical Microscopy of CdTe/CdMnTe Quantum Wire
- The Physical Society of Japan (JPS), 18 Aug. 2006, Meeting abstracts of the Physical Society of Japan, 61(2) (2), 544 - 544, Japanese25aXJ-12 Magnetic Field Dependence of Electronic Structure in CdTe/CdMnTe Quantum Wire
- The Physical Society of Japan (JPS), 04 Mar. 2006, Meeting abstracts of the Physical Society of Japan, 61(1) (1), 691 - 691, Japanese28pPSB-1 Control of Exchange Interaction and Electronic Structure in CdTe/CdMnTe Quantum Wire
- The Physical Society of Japan (JPS), 04 Mar. 2005, Meeting abstracts of the Physical Society of Japan, 60(1) (1), 630 - 630, Japanese24aZC-4 Valence band mixing in CdTe/Cd_<0.75>Mn_<0.25>Te nano-wire structures in magnetic field
- The Physical Society of Japan (JPS), 25 Aug. 2004, Meeting abstracts of the Physical Society of Japan, 59(2) (2), 614 - 614, Japanese14aYC-3 Anisotropic energy relaxation of exciton magnetic polaron in CdTe/(Cd, Mn)Te quantum wire
- The Physical Society of Japan (JPS), 03 Mar. 2004, Meeting abstracts of the Physical Society of Japan, 59(1) (1), 700 - 700, Japanese29pYF-12 Formation of exciton magnetic polaron in CdTe/CdMnTe nano wires
- The Physical Society of Japan (JPS), 03 Mar. 2004, Meeting abstracts of the Physical Society of Japan, 59(1) (1), 700 - 700, Japanese29pYF-11 Anisotropic magnetic-field dependence of hole spins in CdTe/(Cd,Mn)Te wire structures
- 第72回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2025, Japanese半導体光共振器中での電気光学効果を利用したテラヘルツ電界センサ:位相差信号の共振器Q値依存性Oral presentation
- 第72回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2025, Japanese半導体光共振器中での電気光学効果を利用したテラヘルツ電界センサ:結晶面方位の検討Oral presentation
- 第72回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2025, JapaneseSiレーザーパワーコンバーターの分光評価Oral presentation
- 35th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, Nov. 2024, EnglishMaximum output power density by photon partitioning optimization in intermediate-band thermoradiative diodesOral presentation
- 第43回電子材料シンポジウム, Oct. 2024, JapaneseVoltage boost effect in intermediate-band thermoradiative diodesPoster presentation
- 第43回電子材料シンポジウム, Oct. 2024, JapanesePower-dependent photovoltaic properties of laser power converterPoster presentation
- 第85回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2024, Japanese多重積層InAs/GaAs量子ドットを用いた光伝導アンテナの様々な励起光波長における光電流の励起光強度依存性Oral presentation
- 第85回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2024, Japanese中間バンドを有する熱放射ダイオードの理論発電密度(Ⅱ)Oral presentation
- 52nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Jun. 2024, EnglishOutput power density of intermediate-band thermoradiative diodes with doping-concentration limitsOral presentation
- 第71回応用物理学会春季学術講演会, Japanese中間バンドを有する熱放射ダイオードの理論発電密度Oral presentation
- 第34回光物性研究会, Japanese局在表面プラズモン共鳴による高ドープInAs/GaAs量子ドットにおける赤外光吸収増強Poster presentation
- 第42回電子材料シンポジウム (2023)., JapaneseEnhanced Near-Infrared Absorption by Localized Surface Plasmon Resonance in Heavily-Doped InAs/GaAs Quantum DotsPoster presentation
- 第84回応用物理学会秋季学術講演会, Japanese高ドープInAs/GaAs量子ドットにおける局在表面プラズモン共鳴による赤外光吸収増強Oral presentation
- 50th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, EnglishLocalized Surface Plasmon Resonance of Quantum Dots in Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cell StructuresPoster presentation
- 日本材料学会 2022年度半導体エレクトロニクス部門委員会 第3回研究会, Jan. 2023, JapaneseドープされたInAs/GaAs量子ドットにおける局在表面プラズモン共鳴による電場増強効果Oral presentation
- 41st Electronic Materials Symposium, Oct. 2022, JapaneseIntraband Transition in Two-Step Photon Up-Conversion Solar CellsPoster presentation
- The 35th International Conference on the Physics of Semiconductors, Jun. 2022, EnglishIntraband Absorptivity in Two-Step Photon Up-Conversion Solar CellsOral presentation
- The 6th International Conference on New Energy and Future Energy Systems, Nov. 2021Route to High Conversion Efficiency Solar cell
- 第40回電子材料シンポジウム, Oct. 2021Anti-Stokes photoluminescence of GaAs:Er,O for laser cooling in photonic crystal nano-cavity
- 第82回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2021エピタキシャル成長を利用した固体レーザー冷却用高品質Yb:Y-Al-O厚膜の作製
- Compound Semiconductor Week (CSW) 2021, May 2021Lateral Photoconductivity of Multiple-Stacked InAs/GaAs Quantum Dot Structure for Photoconductive Antenna Device
- SPIE Photonics West 2021, Mar. 2021Yb-doped Yttrium Aluminum Perovskite for Radiation Balanced Laser Application
- 第68回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2021光伝導アンテナ応用へ向けた多重積層InAs/GaAs量子ドットの光学特性評価
- 第68回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2021光伝導アンテナ応用へ向けた多重積層InAs/GaAs量子ドットの電気特性評価
- 第68回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2021相分離したYb添加Y-Al-O透明薄膜における結晶相間エネルギー移動
- 第39回電子材料シンポジウム, Oct. 2020Anti-Stokes Photoluminescence Caused by Energy Transfer in Ytterbium-Doped Yttrium Aluminum Perovskite
- 応用物理学会KOSENスチューデントチャプター第1回VR学術講演会, Jul. 2020量子ドット超格子を利用した高効率太陽電池[Invited]Public discourse
- 第67回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2020, Japanese2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池におけるバンド内遷移特性Oral presentation
- 第67回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2020, Japanese多重積層InAs/GaAs量子ドットを用いた光伝導アンテナの作製Oral presentation
- 第67回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2020Yb添加YAG-YAM共晶透明薄膜におけるAnti-Stokes PL過程と理想レーザー冷却効率Oral presentation
- SPIE Photonics West 2020, Feb. 2020, EnglishEnhancement of laser cooling efficiency in rare-earth-doped oxide at elevated high temperature[Invited]Invited oral presentation
- 第十三回紀州吉宗セミナー, Jan. 2020, Japanese量子構造太陽電池における光励起キャリアダイナミクス[Invited]Public discourse
- 第30回光物性研究会, Dec. 2019, JapaneseYb:YAG薄膜からの強いAnti-Stokes発光とレーザー冷却特性Poster presentation
- 第30回光物性研究会, Dec. 2019, Japanese(Yb:Y)AGセラミックスにおけるAnti-Stokes PL過程Poster presentation
- 第3回ISYSE研究会, Nov. 2019, Japanese光物性の基礎[Invited]Public discourse
- 第38回電子材料シンポジウム, Oct. 2019, EnglishHot-Carrier Extraction from InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices Embedded in GaAs Solar CellsPoster presentation
- 第38回電子材料シンポジウム, Oct. 2019, EnglishEfficient Laser Cooling in Rare-Earth Doped Oxides at High TemperaturePoster presentation
- 7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, Sep. 2019, EnglishExcitation Energy Dependence of Hot-Carrier Extraction Process in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Solar CellsOral presentation
- 7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, Sep. 2019, EnglishLaser Cooling Utilizing Anti-Stokes Photoluminescence in Yb-Doped Yttrium Aluminum GarnetPoster presentation
- 第80回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2019, JapaneseInAs/GaAs量子ドット超格子におけるホットキャリア生成過程Oral presentation
- 第80回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2019, Japanese(Y:Yb)AGにおける高温でのAnti-Stokes発光増強メカニズムOral presentation
- 46th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Jul. 2019, English, Chicago, International conferenceHot-Carrier Extraction in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Solar CellsOral presentation
- Optics&Photonics International Congress 2019, Apr. 2019, English, Yokohama, International conferenceEfficient Hot-Carrier Generation in InAs/GaAs Quantum Dot SuperlatticesOral presentation
- 第66回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2019, Japanese, Domestic conferenceInAs/GaAs量子ドット超格子を用いたホットキャリア型太陽電池における開放電圧の向上Oral presentation
- 第66回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2019, Japanese, Domestic conference(Y:Yb)AGにおける高温でのanti-Stokes発光増強Oral presentation
- 第37回電子材料シンポジウム, Oct. 2018, Japanese, Domestic conferenceVoltage boost effect in two-step photon up-conversion solar cell with partial absorptivityPoster presentation
- 第37回電子材料シンポジウム, Oct. 2018, Japanese, Domestic conferenceLaser Cooling in Yb-Doped Yttrium Aluminum CompoundsPoster presentation
- 35th European PV Solar Energy Conference and Exhibition, Sep. 2018, English, Belgium, International conferenceOptimal Band Gap Energies for Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells with Partial AbsorptivityOral presentation
- 第79回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2018, Japanese, Domestic conferenceInAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池におけるホットキャリア電流取り出し特性Oral presentation
- 第79回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2018, Japanese, Domestic conference2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池における理論変換効率の入射光スペクトル形状依存性Oral presentation
- 平成30年度半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会, Jul. 2018, Japanese, 奈良先端科学技術大学院大学, Domestic conferenceYb添加Fttrium-Aluminum化合物によるもの固体レーザー冷却Oral presentation
- The 12th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed Matter and Nano Materials, Jul. 2018, English, Nara, International conferenceOptimization of Excitation Wavelengh in YAG:Yb for Laser coolingOral presentation
- 9th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, Jul. 2018, English, Kyoto, International conferenceExciton Hopping Dynamics in GaAsBiOral presentation
- 応用物理学会関西支部平成30年度第1回講演会, May 2018, Japanese, 神戸大学, Domestic conference入射光スペクトル形状を考慮した2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池の理論変換効率Poster presentation
- International Conference on Nanophotonics and Nano-optoelectronics 2018, Apr. 2018, English, Yokohama, International conferencePolarization Dependent Photocurrent in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Solar CellsOral presentation
- 第65回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2018, Japanese, Domestic conference吸収率を考慮した2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池の理論変換効率Oral presentation
- 第65回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2018, Japanese, Domestic conferenceYAG:Ybにおけるanti-Stokes発光の励起波長依存性Oral presentation
- 第65回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2018, Japanese, Domestic conferenceInAs/GaAs量子ドット超格子を用いたホットキャリア型太陽電池動作実証Oral presentation
- 応用物理学会関西支部平成29年度第3回講演会, Feb. 2018, Japanese, Domestic conferenceInAs/GaAs量子ドット超格子を用いたホットキャリア型太陽電池の動作評価Poster presentation
- 第28回光物性研究会, Dec. 2017, Japanese, Domestic conferenceYAG:YbにおけるAnti-Stokes発光Poster presentation
- The 27th Photovoltaic Science and Engineering Conference, Nov. 2017, English, Otsu, International conferenceTwo-Step Photn Up-Conversion Solar Cells Incorporating a Voltage Booster Hetero-InterfaceOral presentation
- The 27th Photovoltaic Science and Engineering Conference, Nov. 2017, English, Otsu, International conferenceEfficient Two-Step Photocurrent in Intermediate Band Solar Cells Using Highly Homogeneous InAs/GaAs Quantum-Dot SuperlatticeOral presentation
- 第36回電子材料シンポジウム, Nov. 2017, Japanese, Domestic conferenceAnti-Stokes photoluminescence in Yb-doped yttrium aluminum garnetPoster presentation
- 第78回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2017, Japanese, Domestic conference低温キャップInAs/GaAs量子ドット超格子中間バンド型太陽電池における熱脱出の抑制Oral presentation
- 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成29年度第1回研究会, Sep. 2017, Japanese, Domestic conference低温キャップInAs/GaAs量子ドット超格子中間バンド型太陽電池における2段階光吸収の増強Oral presentation
- 第78回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2017, Japanese, Domestic conferenceInAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池におけるバンド内遷移の偏光特性Oral presentation
- 29th International Conference on Defects in Semiconductors, Jul. 2017, English, International conferenceTwo-energy-scales of localized states on photoluminescence thermal quenching in GaAsBiOral presentation
- 29th International Conference on Defects in Semiconductors, Jul. 2017, English, Matsue, International conferenceStokes and Anti-Stokes Photoluminescence in Nitrogen ð-Doped Layer in GaAsOral presentation
- 8th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, Jul. 2017, English, International conferenceSelective excitation of bulk GaAs1-xBix to assess the effects of short and long-range disorder on minority carrier transport propertiesOral presentation
- International Workshop on Advanced Smart Materials and Engineering for Nano- and Bio-Technologies, Jul. 2017, English, International conferencePhotoluminescence spectroscopy of isoelectronic impurity doped GaAs[Invited]Invited oral presentation
- 8th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, Jul. 2017, English, International conferenceDensity-of-states of localized states in GaAsBiOral presentation
- 応用物理学会関西支部平成29年度第1回講演会, May 2017, Japanese, Domestic conferenceレーザー冷却に向けたYbドープ酸化物の作製Poster presentation
- 第64回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2017, Japanese, Domestic conferenceGaAs中のエピタキシャル窒素膜における反ストークス発光Oral presentation
- 第27回光物性研究会, Dec. 2016, Japanese, Domestic conferenceGaAs中のデルタドーピング窒化層を利用した光によるフォノン制御Poster presentation
- Energy, Materials, and Nanotechnology Meeting on Epitaxy, Sep. 2016, English, International conferenceTwo-dimensional delocalized electronic states of epitaxial N d-doped layer in GaAs[Invited]Invited oral presentation
- HEMP 2016: Hot Electrons and Solar Energy, Sep. 2016, English, International conferenceNanosecond-scale hot-carrier cooling dynamics in one-dimensional InAs/GaAs quantum dot superlattices[Invited]Invited oral presentation
- 第77回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2016, Japanese, Domestic conferenceInAs/GaAs量子ドット中間バンド型太陽電池における電子の熱脱出過程の解明Oral presentation
- 33rd International Conference on the Physics of Semiconductors, Aug. 2016, English, Beijing, International conferenceSpatial Electronic Structure of an Isovalent Nitrogen Center in GaAsOral presentation
- 第35回電子材料シンポジウム, Jul. 2016, Japanese, Domestic conferenceThermal carrier-escape process from the intermediate band in InAs/GaAs quantum dot solar cellsPoster presentation
- UK Semiconductors 2016, Jul. 2016, English, Sheffield, International conferencePolarization-Insensitive Intraband Transition in InAs/GaAs Quantum Dot SuperlatticesOral presentation
- 2016 Compound Semiconductor Week, Jun. 2016, English, Toyama, International conferenceTwo-Dimensional Energy Dispersion in Thermally Annealed Epitaxial Nitrogen Atomic Sheet in GaAsOral presentation
- 2016 Compound Semiconductor Week, Jun. 2016, English, Toyama, International conferencePolarization Anisotropy of Electroluminescence and Net-Modal Gain in Highly Stacked InAs/GaAs Quantum-Dot Laser DevicesOral presentation
- 32nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Jun. 2016, English, Munich, International conferenceEnhancement of Two-Step Photon Absorption Due to Miniband Formation in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Solar CellOral presentation
- 第63回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2016, Japanese, Domestic conference急速熱アニールしたGaAs中のエピタキシャル窒素膜の輻射再結合寿命Oral presentation
- 17th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures, Mar. 2016, English, Nara, International conferenceTime-Resolved Photoluminescence of Thermally-Annealed Nitrogen Atomic Sheet in GaAsOral presentation
- 第63回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2016, Japanese, Domestic conferenceInAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池におけるミニバンド形成が2段階光吸収に与える影響Oral presentation
- 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成27年度第1回研究会, Nov. 2015, Japanese, Domestic conferenceポリマー薄膜中のコロイドPbS量子ドットにおけるパリティ選択則の緩和Oral presentation
- 日本物理学会2015年秋季大会, Sep. 2015, Japanese, Domestic conferenceポリマー膜中のPbSコロイド量子ドットにおける磁気光学応答のヒステリシス特性Poster presentation
- 第76回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2015, Japanese, Domestic conferenceInAs/GaAs量子ドット超格子を利用したホットキャリア型太陽電池Oral presentation
- 第76回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2015, Japanese, Domestic conferenceInAs/GaAs量子ドット超格子におけるホットキャリア冷却過程Oral presentation
- 5th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, Sep. 2015, English, Taiwan, International conferenceEpitaxial Nitrogen Atomic Sheet in GaAs Grown by Nitorogen δ-Doping Technique[Invited]Invited oral presentation
- 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成27年度第1回研究会, Jul. 2015, Japanese, Domestic conference急速熱アニールによるGaAs中のエピタキシャル窒素シートにおける2次元物性の制御Oral presentation
- 21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems/17th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Jul. 2015, English, Sendai, International conferenceRelaxation of Parity Selection Rules in Colloidal PbS Quantum Dots Embedded in Polymer FilmsOral presentation
- 34th Electronic Materials Symposium, Jul. 2015, Japanese, Domestic conferenceHot-Carrier Distribution in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices and Its Application to Solar CellsPoster presentation
- 21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems/17th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Jul. 2015, English, Sendai, International conferenceEnhancement of Two Dimensionality in Epitaxial Nitrogen Atomic Sheet in GaAs by Rapid Thermal AnnealingOral presentation
- 34th Electronic Materials Symposium, Jul. 2015, Japanese, Domestic conferenceAnnealing effects on the delocalized electronic states of epitaxial two-dimensional nitrogen atomic sheet in GaAsPoster presentation
- 42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Jun. 2015, English, New Orleans, International conferenceTwo-Step Photocarrier Generation in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Intermediate Band Solar CellOral presentation
- 11th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed Matter and Nano Materials, Montreal, May 2015, English, Montreal, International conferenceHot-Carrier Cooling Dynamics in InAs/GaAs Quantum Dot SuperlatticesOral presentation
- 第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015, Japanese, Domestic conferenceポリマー薄膜中のコロイドPbS量子ドットにおける励起緩和過程の偏光異方性Oral presentation
- 日本物理学会第70回年次大会(2015年), Mar. 2015, Japanese, Domestic conferenceInAs/GaAs量子ドット超格子におけるホットキャリアダイナミクスOral presentation
- 第62回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2015, Japanese, Domestic conferenceGaAs中のエピタキシャル二次元窒素膜におけるアニール効果Oral presentation
- 第24回光物性研究会, Dec. 2014, Japanese, Domestic conferenceポリマー薄膜中のコロイドPbS量子ドットにおける励起緩和過程の偏光異方性Poster presentation
- 第24回光物性研究会, Dec. 2014, Japanese, Domestic conferenceInAs/GaAs量子ドット太陽電池におけるキャリア脱出の影響Poster presentation
- 第24回光物性研究会, Dec. 2014, Japanese, Domestic conferenceGaAs中のエピタキシャル2次元窒素シート非局在電子状態の発光ダイナミクスPoster presentation
- 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成26年度第2回研究会, Nov. 2014, Japanese, Domestic conference低次元量子構造を利用したホットキャリア型太陽電池の提案Oral presentation
- 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成26年度第2回研究会, Nov. 2014, Japanese, Domestic conferenceポリマー中に埋め込まれたPbSコロイド量子ドットにおける磁気発光強度のヒステリシス特性Oral presentation
- International Symposium on Recent Progress of Photonic Devices and Materials, Nov. 2014, English, International conferenceTwo-dimensional electronic states of epitaxial nitrogen atomic sheet in GaAs[Invited]Invited oral presentation
- International Symposium on Recent Progress of Photonic Devices and Materials, Nov. 2014, English, Kobe University, International conferencePhotoluminescence Decay Dynamics in Epitaxial Two-Dimensional Nitrogen Atomic Sheet in GaAsOral presentation
- WCPEC-6, Nov. 2014, English, Kyoto International Conference Center, International conferenceHot Carrier Intermediate Band Solar Cell Using Low-Dimensioned Quantum StructuresOral presentation
- International Symposium on Recent Progress of Photonic Devices and Materials, Nov. 2014, English, Kobe University, International conferenceControl of Electronic States Colloidal PbS Quantum Dots Embedded in Polymer FilmsOral presentation
- 第75回応用物理学会学術講演会, Sep. 2014, Japanese, Domestic conference低次元量子構造を利用したホットキャリア中間バンド型太陽電池Oral presentation
- 第75回応用物理学会学術講演会, Sep. 2014, Japanese, Domestic conferenceGaAs中のエピタキシャル二次元窒素膜の電子状態 (II)Oral presentation
- 第75回応用物理学会学術講演会, Sep. 2014, Japanese, Domestic conferenceGaAs中のエピタキシャル二次元窒素膜における発光ダイナミクスOral presentation
- 32nd International Conference on Physics of Semiconductors, Aug. 2014, English, International conferenceTwo-dimensional electronic states of epitaxial nitrogen atomic sheet in GaAs grown by nitrogen delta-doping techniqueOral presentation
- 33rd Electronic Materials Symposium, Jul. 2014, Japanese, Domestic conferenceEnhancement of interaction among nitrogen pair centers in epitaxial two-dimensional nitrogen atomic sheet in GaAsPoster presentation
- 第61回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2014, Japanese, 青山学院大学, Domestic conferenceGaAs中のエピタキシャル二次元窒素膜の電子状態Oral presentation
- EMN Fall Meeting, Dec. 2013, English, Orland, Florida, USA, International conferenceIntraband Carrier Dynamics in Self-Assembled Quantum Dots for Infrared Optical Devices[Invited]Invited oral presentation
- 第23回光物性研究会, Dec. 2013, Japanese, 大阪市立大学, Domestic conferenceInAs/GaAs量子ドットにおけるbound-to-continuum型サブバンド間遷移の吸収係数Poster presentation
- 第23回光物性研究会, Dec. 2013, Japanese, 大阪市立大学, Domestic conferenceGaAs中におけるエピタキシャル2次元窒素膜の磁気発光特性Poster presentation
- 日本物理学会2013年秋季大会, Sep. 2013, Japanese, 徳島大学, Domestic conference積層方向を制御した InAs/GaAs量子ドットの発光偏光特性Poster presentation
- 2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Sep. 2013, English, Doshisya University, International conferenceElectron Localization in GaAs:N Grown by Using δ-Doping TechniqueOral presentation
- The 40th International Symposium on Compound Semiconductors, May 2013, English, Kobe, International conferencePolarization Controlled Emisson from Closely Stacked InAs/GaAs Quantum DotsOral presentation
- ISCS2013, May 2013, English, Kobe, International conferenceEnergy Relaxation of Photoexcited Electrons in Direct Si-Doped InAs/GaAs Quantum DotsOral presentation
- ISCS2013, May 2013, English, Kobe, International conferenceEffect of State Filling on Intraband Carrier Dynamics in InAs/GaAs quantum DotsOral presentation
- 第60回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2013, Japanese, 神奈川工科大学, Domestic conference窒素を高濃度デルタドープしたGaAsの磁気光学特性Oral presentation
- 第60回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2013, Japanese, 神奈川工科大学, Domestic conference斜め積層InAs/GaAs量子ドットの端面発光特性Oral presentation
- 第60回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2013, Japanese, 神奈川工科大学, Domestic conferenceSi直接ドーピングInAs/GaAs量子ドットのキャリア緩和過程Oral presentation
- SPIE Photonics West 2013, Feb. 2013, English, California, United States, International conferenceIntraband Carrier Dynamics in InAs/GaAs Quantum Dots Studied by Two-Color Excitation SpectroscopyOral presentation
- 第23回光物性研究会, Dec. 2012, Japanese, 大阪市立大学, Domestic conference窒素デルタドーピングによるGaAs電子状態の制御Poster presentation
- 4th International Workshop on Quantum Nanostructure Solar Cells/8th Seminar on Quantum Nanostructure Materials, Dec. 2012, English, Kobe Ubiversity, International conferenceIntermediate-Band Solar Cells using InGaAs/InP Superlattices[Invited]Invited oral presentation
- 第23回光物性研究会, Dec. 2012, Japanese, 大阪市立大学, Domestic conferenceIn0.53Ga0.47As/InP超格子における2段階光吸収を利用した中間バンド型太陽電池Poster presentation
- 日本物理学会2012年秋季大会, Sep. 2012, Japanese, 横浜国立大学, Domestic conference光共振器構造中のInAs/GaAs量子ドットにおけるサブバンド間遷移ダイナミクスOral presentation
- 第73回応用物理学会学術講演会, Sep. 2012, Japanese, 愛媛大学・松山大学, Domestic conference光共振器構造中のInAs/GaAs量子ドットにおける2段階光吸収の増強Oral presentation
- 第73回応用物理学会学術講演会, Sep. 2012, Japanese, 愛媛大学・松山大学, Domestic conferenceSiダイレクトドーピングによるInAs量子ドットのフェルミ準位の変化Oral presentation
- The17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Sep. 2012, English, MBE, Nara, International conferenceMiniband Formation in Closely-Stacked InAs GaAs Quantum DotsOral presentation
- 第73回応用物理学会学術講演会, Sep. 2012, Japanese, 愛媛大学・松山大学, Domestic conferenceInフラックスによるInAs/GaAs量子ドットの積層方向の制御Oral presentation
- 第73回応用物理学会学術講演会, Sep. 2012, Japanese, 愛媛大学・松山大学, Domestic conferenceInAs供給量を制御した近接積層InAs/GaAs量子ドットの発光特性Oral presentation
- The17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Sep. 2012, English, MBE, Nara, International conferenceEffects of Excess Electrons on Recombination Lifetime in Directly Si-doped InAs GaAs Quantum DotsOral presentation
- The17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Sep. 2012, English, MBE, Nara, International conferenceControl of Stacking Direction of InAs GaAs Quantum DotsOral presentation
- The17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Sep. 2012, English, MBE, Nara, International conferenceControl of Electronic Structure of GaAs Using Nitrogen δ-doping TechniqueOral presentation
- 第2回光科学異分野横断萌芽研究会, Aug. 2012, Japanese, 岡崎コンファレンスセンター, Domestic conferenceGaAs中の配列制御された窒素ペアに束縛された励起子の光物性Oral presentation
- The 10th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Mattsr, Nanostructured and Molecular Materials, Jul. 2012, English, EXCON, Groningen, Netherlands, International conferenceStrong Electron-Hole Correlation in Bound Exciton in Nitrogen δ-Doped GaAsOral presentation
- The 10th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Mattsr, Nanostructured and Molecular Materials, Jul. 2012, English, Groningen, Netherlands, International conferenceIntraband Optical Response in InAsGaAs Quantum DotsOral presentation
- 31st Electronic Materials Symposium, Jul. 2012, Japanese, ラフォーレ修善寺, Domestic conferenceDelocalization of electronic states formed by nitrogen pairs in GaAsPoster presentation
- International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications, Jun. 2012, English, ICOOPMA, Nara, International conferenceExtremely Uniform Excitonic States in Nitrogen δ-Doped GaAs[Invited]Invited oral presentation
- 38th IEEE Photovoltaic Specialist Conference, Jun. 2012, English, IEEE, Austin, United States of America, International conferenceCarrier Dynamics in Intermediate States of InAs/GaAs Quantum Dots Embedded in Photonic Cavity Structure[Invited]Invited oral presentation
- 第59回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2012, Japanese, 日本応用物理学会, 東京都, Domestic conference窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子発光線幅の温度依存性Oral presentation
- 第59回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2012, Japanese, 応用物理学会, 新宿区, Domestic conference近接積層InAs/GaAs量子ドットの光物性Oral presentation
- 第59回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2012, Japanese, 応用物理学会, 新宿区, Domestic conferenceGaAsエピタキシャル界面への窒素のデルタドーピングと高均一発光特性Invited oral presentation
- 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference PVSECPVSEC-21, Dec. 2011, English, Fukuoka, International conferenceSuppression of Nonradiative Recombination Process in Directly Si-Doped InAs Quantum DotsPoster presentation
- 第22回光物性研究会, Dec. 2011, Japanese, 光物性研究会組織委員, 熊本市, Domestic conferenceGaAs中の窒素ペアに束縛された励起子における励起子-格子相互作用Poster presentation
- 8th International Conference on Flow Dynamics, Nov. 2011, English, ICFD organizing committee, 仙台市, International conferenceOptical Properties of Quantum Dot SuperlatticesPoster presentation
- 平成23年度第1回半導体エレクトロニクス部門委員会研究会, Oct. 2011, Japanese, 材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会, 神戸市, Domestic conference光共振器を有する中間バンド型太陽電池の光吸収増強効果Oral presentation
- 平成23年度第1回半導体エレクトロニクス部門委員会研究会, Oct. 2011, Japanese, 材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会, 神戸市, Domestic conference近接積層量子ドット成長を利用した偏波無依存光応答の実現Oral presentation
- 第72回応用物理学会学術講演会, Sep. 2011, Japanese, 日本応用物理学会, 山形市, Domestic conference窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子発光線の起源Oral presentation
- 第72回応用物理学会学術講演会, Sep. 2011, Japanese, 応用物理学会, 山形市, Domestic conference近接積層に伴う量子ドットのフォトルミネッセンス偏光特性Oral presentation
- Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, Sep. 2011, English, Austria, International conferencePhotoluminescence Polarization Anisotropy in Closely Stacked InAs/GaAs Quantum DotsOral presentation
- 日本物理学会2011年秋季大会, Sep. 2011, Japanese, 日本物理学会, 富山市, Domestic conferenceGaAs中の窒素ペアに束縛された励起子分子の磁気光学特性Poster presentation
- 第72回応用物理学会学術講演会, Sep. 2011, Japanese, 日本応用物理学会, 山形市, Domestic conferenceGaAs中の窒素ペアに束縛された励起子のフォノンサイドバンド発光Oral presentation
- 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sep. 2011, English, SSDN組織委員会, Aichi, International conferenceEffect of Capping Layer Growth on Bound Exciton Luminescence in Nitrogen δ-Doped GaAsPoster presentation
- 37th IEEE Photovoltaic Specialist Conference, Jul. 2011, English, Seattle, International conferenceTwo-Photons Transition in Intermediate Band Solar CellsOral presentation
- 第30回電子材料シンポジウム, Jul. 2011, Japanese, EMS組織委員, 大津市, Domestic conferenceElectronic states in multiply stacked InAs/GaAs quantum dots studied by polarized photoluminescence spectroscopyPoster presentation
- 第30回電子材料シンポジウム, Jul. 2011, Japanese, EMS組織委員, 大津市, Domestic conferenceCapping layer dependence of bound exciton luminescence in nitrogen delta-doped GaAsPoster presentation
- 38th International Symposium on Compound Semiconductors, May 2011, English, ISCS組織委員会, Germany, International conferenceNear-Field Photoluminescence Spectroscopy of CdTe/Cd0.75Mn0.25Te Tilted SuperlatticesPoster presentation
- 38th International Symposium on Compound Semiconductors, May 2011, English, ISCS組織委員会, Berling, Germany, International conferenceDiamagnetic shift of exciton bound to the nitrogen pairs in GaAsOral presentation
- 第60回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2011, Japanese, 応用物理学会, 厚木市, Domestic conference窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子発光線のキャップ層成長条件依存性Oral presentation
- 第58回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2011, Japanese, 日本応用物理学会, 厚木市, Domestic conference窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子発光線のキャップ層成長条件依存性Oral presentation
- 第58回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2011, Japanese, 応用物理学会, 厚木市, Domestic conference近接多層積層量子ドットのフォトルミネッセンス偏光特性Oral presentation
- 「ナノ構造・物性」第3回研究会, Mar. 2011, Japanese, 神戸大学自然科学系融合研究環ナノエンジニアリング研究チーム, ナノ学会ナノ構造・物性部会, 神戸市, Domestic conferenceGaAs中の窒素ペアに束縛された励起子の輻射再結合寿命Oral presentation
- 第59回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2011, Japanese, 応用物理学会, 厚木市, Domestic conferenceGaAs 中の窒素ペアに束縛された励起子の磁気光学特性Oral presentation
- 第58回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2011, Japanese, 日本応用物理学会, 厚木市, Domestic conferenceGaAs中の窒素ペアに束縛された励起子の磁気光学特性Oral presentation
- 第21回光物性研究会, Dec. 2010, Japanese, 光物性研究会組織委員, 大阪市, Domestic conference窒素をデルタドープしたGaAsにおける励起子微細構造の反磁性シフトPoster presentation
- 第22回光物性研究会, Dec. 2010, Japanese, 光物性研究会組織委員会, 大阪市, Domestic conferenceGaAs中の窒素等電子トラップ束縛励起子の発光ダイナミクスPoster presentation
- 日本材料学会平成22年度第2回半導体エレクトロニクス部門研究会, Nov. 2010, Japanese, 日本材料学会, 堺市, Domestic conference量子ドットの多層積層化に伴う偏光異方性の発現と制御Oral presentation
- The 6th International Workshop on Nano-scale Spectroscopy and Nanotechnology, Oct. 2010, English, NSS organizing committee, 神戸市, International conferenceIn-Plane Polarization Anisotropy in Vertically Stacked InAs Quantum DotsOral presentation
- 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会, Sep. 2010, Japanese, 応用物理学会, 長崎市, Domestic conferenceIII-V半導体中不純物制御と励起子物性Invited oral presentation
- The 30th International Conference on the Physics of Semiconductors, Jul. 2010, English, ICPS organizing committee, Seoul, Korea, International conferenceMagneto-Photoluminescence Spectroscopy of Exciton Fine Structure in Nitrogen d-Doped GaAsPoster presentation
- The 9th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed and Nano Materials, Jul. 2010, English, EXCON organizing committee, Brisbane, Australia, International conferenceBound Biexciton Luminescence in Nitrogen d-Doped GaAsPoster presentation
- The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, Jun. 2010, English, 応用物理学会, 高松市, International conferenceInteraction between Conduction-Band Edge and Nitrogen-Related Localized Levels in Nitrogen d-Doped GaAsOral presentation
- 37th International Symposium on Compound Semiconductors, Jun. 2010, English, ISCS組織委員会, 高松市, International conferenceInteraction between conduction-band edge and Nitrogen-related localized levels in Nitrogen d-doped GaAsOral presentation
- The International Conference on Nanophotonics 2010, May 2010, English, ICNP organizing committee, つくば市, International conferenceEmission properties of excitons strongly localized to nitrogen pairs in GaAs[Invited]Invited oral presentation
- 日本物理学会第65回年次大会, Mar. 2010, Japanese, 日本物理学会, 岡山市, Domestic conference窒素をデルタドープしたGaAsにおける発光スペクトルの反磁性シフトPoster presentation
- 第57回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2010, Japanese, 日本応用物理学会, 平塚市, Domestic conference窒素をデルタドープしたGaAs における電子状態の磁場依存性Poster presentation
- 第20回光物性研究会, Dec. 2009, Japanese, 光物性研究会組織委員会, 大阪市, Domestic conferenceGaAs中の窒素等電子束縛励起子における励起子ダイナミクスPoster presentation
- 第70回応用物理学会学術講演会, Sep. 2009, Japanese, 応用物理学会, 富山市, Domestic conference窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子分子発光Oral presentation
- 日本物理学会2009年秋季大会, Sep. 2009, Japanese, 日本物理学会, 熊本市, Domestic conferenceGaAs中の窒素等電子束縛励起子微細構造におけるポピュレーションPoster presentation
- 第28回電子材料シンポジウム, Jul. 2009, Japanese, 電子材料シンポジウム運営委員会, 大津市, Domestic conferenceMagnetic-field control of the exciton fine polarization splitting of nitrogen pair centers in GaAsPoster presentation
- 14th International Conference on Modulated Semiconductor structures, Jul. 2009, English, MSS組織委員会, 神戸市, International conferenceMagnetic-field control of exciton fine structure splitting in nitrogen -doped GaAsOral presentation
- Abstr. 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Jul. 2009, English, Kobe, International conferenceMagnetic-Field Control of Exciton Fine Structure Splitting in Nitrogen Delta-Doped GaAsOral presentation
- Abstr. 15th International Symposium on Intercalation Compounds, Mar. 2009, English, Beijing, International conferenceControl of Exciton Fine Structure of Nitrogen Nanospace in GaAsOral presentation
- Abstr. The 15th International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condenced Matter, Jul. 2008, English, Lyon, International conferenceFine structure of bound excitons in nitrogen-doped GaAsOral presentation
- Abstr. The 15th International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condenced Matter, Jul. 2008, English, Lyon, International conferenceAnisotropic Linear Polarization Luminescence in CdTe/CdMnTe Quantum WiresOral presentation
- Abstr. 8th International Conference on Excitonic Process in Condensed Matter, Jun. 2008, English, Kyoto,, International conferenceNear-Field Photoluminescence of Exciton Magnetic Polarons in CdTe/Cd0.75Mn0.25Te Quantum WiresOral presentation
- Proc. 20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, May 2008, English, Paris, International conferenceExciton Fine Structure of Nitrogen Isoelectronic CenterOral presentation
- 日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(B), 基盤研究(B), 神戸大学, Apr. 2023 - Mar. 2026ヘテロ界面に挿入した量子ドットによる赤外増感型光電変換の実現
- 日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(C), 基盤研究(C), 神戸大学, 01 Apr. 2022 - 31 Mar. 2025量子ドット超格子における電場増強効果を利用したホットキャリア型太陽電池
- Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (C), Grant-in-Aid for Scientific Research (C), Kobe University, 01 Apr. 2022 - 31 Mar. 2025Realization of integrated high sensitivity electric field sensor using quantum dot superlattice
- Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research, Grant-in-Aid for Scientific Research (A), Kobe University, 01 Apr. 2019 - 31 Mar. 2023Novel development of infrared sensitized photovoltaics based on control of intraband optical transition dipolep型とn型に挟まれたダイオード構造の真性層に、AlGaAs/GaAsヘテロ界面にInAs量子ドットを挿入した量子ナノ構造を作製し、電子のみを蓄積したヘテロ界面において価電子バンド-伝導バンド間光学遷移とバンド内光学遷移の連続した2段階の遷移による電子のエネルギーをアップコンバージョンによって増強されたバンド内光吸収に基づく赤外波長域に応答する光電変換特性を実現する。本年度は以下のように実施した。 (1)量子ナノ構造の作製と基礎光学特性評価:分子線エピタキシー技術を利用してGaAs(001)基板上にAlGaAs/GaAsヘテロ界面にInAs量子ドットを挿入した量子ナノ構造を内包するダイオード構造を作製し、ヘテロ界面にSi変調ドーピングによって電子密度を制御した量子構造を作製した。変調ドーピングによる界面電界の制御を明らかにして、光電流取り出し特性を詳細に明らかにした。 (2)バンド内光学遷移分極の制御:バンド内光学遷移強度は、光電場で誘起される電子分極の大きさと遷移始状態の電子占有率に比例する。量子ドットのサイズ、密度による光学応答への影響を明らかにするため電子で満たされた量子ドットにおけるプラズモン共鳴特性を明らかにして中赤外領域における光アンテナ効果を理論的に予測した。具体的には、量子ドットの形状・サイズに依存したプラズモン共鳴特性を計算し、8~16マイクロメートルの広範囲にわたる制御性を明らかにするとともに、量子ドット間のプラズモン共鳴状態の結合によるモード分散を明らかにした。 (3)光吸収係数の定量評価とアップコンバージョン光電流の最大化:デバイスを試作して光近赤外から中赤外に広がる広い波長範囲で光応答特性を明らかにし、ヘテロ界面電子濃度に依存すると予想されるバンド内光学遷移を確認した。
- Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research, Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory), Kobe University, 30 Jul. 2020 - 31 Mar. 2022Control of intraband optical transition sensitized in infrared wavelength region and application for ultra-high sensitive infrared sensorWe have developed an infrared sensing device with a quantum nano-structure of a heterointerface containing quantum dots. This device exhibits effective intraband photo-absorption at the hertointerface which is enhanced by quantum dots. The central part of our device is an Al0.3Ga0.7As/GaAs heterostructure containing InAs/GaAs quantum dots. In this device, the electrons that have been accumulated at the heterointerface are transferred to the conduction band of the Al0.3Ga0.7As barrier by absorbing infrared photons and the following drift due to the electric field at the interface. These intraband transitions at the heterointerface are sensitized by the quantum dots. According to theoretical calculations, strong localized plasmon modes enhances the electro-magnetic wave of the infrared signal light.
- Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (C), Grant-in-Aid for Scientific Research (C), Kobe University, Apr. 2019 - Mar. 2022Photoconductive devices based on quantum dot superlattice for THz generation and detection本年度は、量子ドット(QD)超格子を用いた光伝導アンテナ(PCA)デバイスに向けた結晶作製方法の開発、超高速分光法によるこの結晶の超高速キャリア緩和特性の確認、さらに基本的なPCAデバイスの作製を実行した。また、PCAにおける電場増強効果の可能性に関する理論検討を開始した。 結晶成長・デバイス作製関連では、まず分子線エピタキシによる低温成長(LT-)GaAs層の成長条件を確立した後、半絶縁性GaAs(001)基板上にInAs QDs(2.0分子層)とGaAs中間層(50 nm)を20層積層し、さらにLT-GaAs層(30 nm)を成長することによりデバイス結晶を得た。デバイス作製では、Ti/Au電極間ギャップ約5 μmのダイポール型PCA電極形成、およびメサエッチ加工を行った。メサ構造の採用により、暗電流の値を2桁抑制できることが判明し、デバイス特性評価に十分適用できるものと判断した。 結晶の光学特性評価に関しては、量子ドット超格子試料に対して反射型ポンププローブ法を適用し、キャリア緩和ダイナミクスを測定した。現在広く使用されている市販のLT-GaAsを用いたPCAとの性能の比較を行うために、超短パルスレーザーの波長を810 nmとして、室温において測定を行った。パルス幅が約100フェムト秒程度の超短パルスを照射して測定した結果、0.6ピコ秒程度のキャリア寿命を得、十分にPCAデバイスとして使用できる高速性を確認できた。 電場増強による最適化デバイス構造の検討に関しては、光励起キャリアによる、InAs量子ドットにおける電場増強効果を境界要素法によって解析した。GaAsホスト結晶に埋め込まれた半球状のInAs量子ドットにおいて、局在表面プラズモンに起因する電場増強効果を10E18/cm3程度の自由電子密度において10μm帯で確認した。
- Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research, Grant-in-Aid for Scientific Research (C), Kobe University, Apr. 2019 - Mar. 2022Demonstration of hot-carrier solar cell operation in quantum dot superlattice solar cellsWe studied the GaAs solar cells containing InAs/GaAs quantum dot superlattices for breaking through the conversion efficiency limit of single-junction solar cells. We demonstrated the hot-carrier generation and extraction processes in InAs/GaAs quantum dot superlattice solar cells with the excitation energy tuned below the GaAs band edge. Furthermore, we revealed the intraband transition properties of InAs/GaAs quantum dot superlattices.
- 学術研究助成基金助成金/国際共同研究加速基金(国際共同研究強化(B)), Oct. 2018 - Mar. 2021Competitive research funding
- 学術研究助成基金助成金/挑戦的研究(萌芽), Jun. 2018 - Mar. 2020Competitive research funding
- 学術研究助成基金助成金/若手研究(B), Apr. 2017 - Mar. 2019, Principal investigatorCompetitive research funding
- 科学研究費補助金/基盤研究(B), Apr. 2016 - Mar. 2019Competitive research funding
- 学術研究助成基金助成金/挑戦的萌芽研究, Apr. 2015 - Mar. 2017Competitive research funding
- 学術研究助成基金助成金/挑戦的萌芽研究, Apr. 2013 - Mar. 2015Competitive research funding
- 科学研究費補助金/基盤研究(B), Apr. 2012 - Mar. 2015Competitive research funding
- Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research, Grant-in-Aid for Young Scientists (B), Kobe University, 2010 - 2011, Principal investigatorImpurity centers in a semiconductor have been attracting a strong interest for the realization of the solid-state photon sources with the specific emission wavelength. In this work, we achieved an extremely high uniformity of the emission wavelength for the exciton bound to the nitrogen(N) pairs. We studied the spatial localization of excitons bound to N pairs in Nδ-doped GaAs. Furthermore, we studied the bound exciton-acoustic phonon coupling in Nδ-doped GaAs.Competitive research funding
- 学術研究助成基金助成金/挑戦的萌芽研究, 2011Competitive research funding
- 日本学術振興会, 科学研究費補助金/若手研究(スタートアップ), 研究活動スタート支援, 神戸大学, 2009 - 2010, Principal investigator高周波プラズマソースを用いた分子線エピタキシー法によって作製した、窒素をデルタドーブしたGaAsにおいて、窒素ペアに束縛された励起子の微細構造分裂の歪みと磁場による制御性を発光分光測定によって検討した。窒素の面密度を変化させた試料からの発光スペクトルと、電子-正孔間交換相互作用と歪みによる局所場効果、励起子ポピュレーションを考慮した計算結果を比較することによって、歪みによって励起子微細構造の分裂エネルギーと振動子強度が制御できることを明らかにした。さらに、Faraday配置とVoigt配置で測定した磁気発光スペクトルと、Zeeman相互作用を考慮した計算結果を比較することによって、C_<2v>対称性を保った場合における励起子微細構造の磁場依存性を明らかにした。Voigt配置における同一の直線偏光成分をもつ励起子微細構造の反交差的な振る舞いによって、直交する直線偏光成分をもつ励起子微細構造のエネルギー準位を縮退させることが可能であることが明らかになった。この結果は、不純物束縛励起子における、励起子分子-励起子のカスケード発光を用いたもつれ光子対生成の実現可能性を示唆するものである。また、励起子分子-励起子のカスケード発光を用いるためには同一の窒素ペアに束縛された励起子分子発光と励起子発光を観測する必要がある。そこで、各発光線の励起光強度依存性と励起子微細構造の分裂パターンを比較することによって、同一の窒素ペアに束縛された励起子分子と励起子による発光線が観測できていることを明らかにした。Competitive research funding
- 日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 特別研究員奨励費, 神戸大学, 2007 - 2008希薄磁性半導体量子細線におけるスピン交換相互作用を利用した光機能制御の研究CdTe/Cd_<0.75>Mn_<0.25>Te分数層超格子試料構造の形状とMn組成分布を反映した希薄磁性半導体量子細線の理論解析モデルを用いて、多バンド有効質量近似を用いた数値解析により価電子帯バンドミキシング効果と光学特性の磁場依存性を定量的に検証した。Mn組成の成長面内での空間分布がZeemanシフトと直線偏光度の磁場の印加方向異方性に及ぼす影響を明らかにすることで、バリア層に希薄磁性半導体を有する量子細線構造における磁気光学特性の特徴を抽出することができた。さらに、価電子帯バンドミキシングに起因する正孔スピンの磁場方向への再配列によって、CdTe/Cd_<0.75>Mn_<0.25>Te分数層超格子における磁気光学効果の磁場の印加方向異方性を高磁場領域(>3T)で定量的に説明できることが明らかになった。また、近接場光学顕微鏡を用いた分光測定を行い、単一のCdTe/Cd_<0.75>Mn_<0.25>Te量子細線における1次元起子とMnスピン間の相互作用の直接観測を行った。本研究により、単一のCdTe/Cd_<0.75>Mn_<0.25>Te量子細線からの発光線が7meV程度の半値幅を示し、また、発光強度の空間分布が測定温度の変化(5-11K)に敏感に依存することが明らかになった。この発光線幅の広がりは励起子磁気ポーラロン内のMnスピンの磁化の揺らぎに起因すると考えられるため、揺動散逸定理を適用した数値解析を行い、Mnスピンの磁化の揺らぎによって発光線幅が増大することを明らかにした。また、正孔スピンの磁場方向への再配列がMnスピンの磁化の揺らぎと発光線幅の磁場依存性に与える影響を予測した。以上の結果より、希薄磁性半導体量子細線における正孔スピンおよび光学特性の制御性について実験と理論の両アプローチから新たな知見を得ることができた。