研究者紹介システム

原田 幸弘
ハラダ ユキヒロ
大学院工学研究科 電気電子工学専攻
助教
電気通信工学関係
Last Updated :2022/09/16

研究者情報

所属

  • 【主配置】

    大学院工学研究科 電気電子工学専攻
  • 【配置】

    工学部 電気電子工学科

学位

  • 博士(工学), 神戸大学
  • 半導体量子構造と希土類元素を利用した光機能素子の開発

授業科目

ジャンル

  • 科学・技術 / 工学

コメントテーマ

  • 量子ドット

研究活動

研究分野

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

論文

  • Y. Nakayama, N. Nakagawa, Y. Matsuo, T. Kaizu, Y. Harada, T. Ishihara, T. Kita

    2022年02月01日, AIP Advances

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Yuta Nakayama, Yukihiro Harada, Takashi KIta

    SPIE, 2021年04月01日, Photonic Heat Engines: Science and Applications III

    研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Yuta NAKAYAMA, Nozomu NAKAGAWA, Yukihiro HARADA, Takashi KITA

    Society of Materials Science, Japan, 2020年10月15日, Journal of the Society of Materials Science, Japan, 69 (10), 727 - 732

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Graham R. Goldberg, Dae-Hyun Kim, Richard J. E. Taylor, David T. D. Childs, Pavlo Ivanov, Nobuhiko Ozaki, Kenneth L. Kennedy, Kristian M. Groom, Yukihiro Harada, Richard A. Hogg

    AIP Publishing, 2020年08月10日, Applied Physics Letters, 117 (6), 061106 - 061106

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Y. Nakayama, Y. Harada, T. Kita

    2020年07月28日, Applied Physics Letters, 117 (4), 041104-1 - 041104-5, 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Yuta Nakayama, Yukihiro Harada, Takashi Kita

    SPIE, 2020年02月24日, Photonic Heat Engines: Science and Applications II

    [査読有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Yukihiro Harada, Shigeo Asahi, Takashi Kita

    IOP Publishing, 2019年12月01日, Applied Physics Express, 12 (12), 125008 - 125008

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Yuta Nakayama, Yukihiro Harada, Takashi Kita

    The Optical Society, 2019年11月25日, Optics Express, 27 (24), 34961 - 34961

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Yuta NAKAYAMA, Kota TERADA, Yukihiro HARADA, Takashi KITA

    Society of Materials Science, Japan, 2019年10月15日, Journal of the Society of Materials Science, Japan, 68 (10), 762 - 766

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Y. Harada, N. Iwata, S. Asahi, and T. Kita

    2019年08月, Semiconductor Science and Technology, 34, 094003 - 1-5, 英語

    [査読有り]

  • Takashi Kita, Yukihiro Harada, Shigeo Asahi

    Springer Singapore, 2019年, Green Energy and Technology

    [査読有り]

  • Shigeo Asahi, Kazuki Kusaki, Yukihiro Harada, Takashi Kita

    Development of high-efficiency solar cells is one of the attractive challenges in renewable energy technologies. Photon up-conversion can reduce the transmission loss and is one of the promising concepts which improve conversion efficiency. Here we present an analysis of the conversion efficiency, which can be increased by up-conversion in a single-junction solar cell with a hetero-interface that boosts the output voltage. We confirm that an increase in the quasi-Fermi gap and substantial photocurrent generation result in a high conversion efficiency.

    Nature Publishing Group, 2018年12月01日, Scientific Reports, 8 (1), pp. 872 - 1-8, 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Y. Harada, T. Matsuo, S. Asahi, T. Kita

    2018年11月, Proceedings of the 35th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 126 - 128, 英語

    研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Hot-Carrier Generation in a Solar Cell Containing InAs/GaAs Quantum-Dot Superlattices as a Light Absorber

    D. Watanabe, N. Iwata, S. Asahi, Y. Harada, T. Kita

    2018年07月, Applied Physics Express, Vol. 11 (No. 1), pp.082303 - 1-4, 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • T. Wilson, N. P. Hylton, Y. Harada, P. Pearce, D. Alonso-Álvarez, A. Mellor, R. D. Richards, J. P. R. David, N. J. Ekins-Daukes

    2018年04月, Scientific Reports, 8, 6457 - 1-10, 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • R. C. Plantenga, V. R. Kortan, T. Kaizu, Y. Harada, T. Kita, M. E. Flatte, P. M. Koenraad

    Small numbers of nitrogen dopants dramatically modify the electronic properties of GaAs, generating spatially localized resonant states within the conduction band, pair and cluster states in the band gap, and very large shifts in the conduction-band energies with nonlinear concentration dependence. Cross-sectional scanning tunneling microscopy provides the local electronic structure of single nitrogen dopants at the (110) GaAs surface, yielding highly anisotropic spatial shapes when the empty states are imaged. Measurements of the resonant states relative to the GaAs surface states and their spatial extent allow an unambiguous assignment of specific features to nitrogen atoms at different depths below the cleaved (110) surface. Multiband tight-binding calculations around the resonance energy of nitrogen in the conduction band match the imaged features, verifying that the Green's function method can accurately describe the isolated isovalent nitrogen impurity. The spatial anisotropy is attributed to the tetrahedral symmetry of the bulk lattice and will lead to a directional dependence for the interaction of nitrogen atoms. Additionally, the voltage dependence of the electronic contrast for two features in the filled state imaging suggests these features could be related to a locally modified surface state.

    AMER PHYSICAL SOC, 2017年10月, PHYSICAL REVIEW B, 96 (15), pp. 155210 - 1-8, 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • InAs/GaAs量子ドット超格子を用いたホットキャリア型太陽電池の基礎特性

    渡部 大樹, 原田 幸弘, 喜多 隆

    2017年09月, 材料 別冊, 66 (9), pp. 629 - 633, 日本語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • T. Kada, S. Asahi, T. Kaizu, Y. Harada, R. Tamaki, Y. Okada, T. Kita

    We studied the effects of the internal electric field on two-step photocarrier generation in InAs/GaAs quantum dot superlattice (QDSL) intermediate-band solar cells (IBSCs). The external quantum efficiency of QDSL-IBSCs was measured as a function of the internal electric field intensity, and compared with theoretical calculations accounting for interband and intersubband photoexcitations. The extra photocurrent caused by the two-step photoexcitation was maximal for a reversely biased electric field, while the current generated by the interband photoexcitation increased monotonically with increasing electric field intensity. The internal electric field in solar cells separated photogenerated electrons and holes in the superlattice (SL) miniband that played the role of an intermediate band, and the electron lifetime was extended to the microsecond scale, which improved the intersubband transition strength, therefore increasing the two-step photocurrent. There was a trade-off relation between the carrier separation enhancing the two-step photoexcitation and the electric-field-induced carrier escape from QDSLs. These results validate that long-lifetime electrons are key to maximising the two-step photocarrier generation in QDSL-IBSCs.

    NATURE PUBLISHING GROUP, 2017年07月, SCIENTIFIC REPORTS, 7, pp. 5865 - 1-10, 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Sho Watanabe, Shigeo Asahi, Tomoyuki Kada, Kazuki Hirao, Toshiyuki Kaizu, Yukihiro Harada, Takashi Kita

    We studied the effects of miniband formation on the photocurrent generated by two-step intersubband absorption in an intermediate-band solar cell incorporating an InAs/GaAs quantum dot superlattice (QDSL). The two-step photocarrier generation increases with the electronic state coupling of InAs QDSLs in the intrinsic layer. Because carriers that are excited into the superlattice minibands spatially separate in an internal electric field, the electron-hole recombination rate for the photoexcited carriers decreases, and therefore, the electron lifetime increases. The long-lived electrons in the intermediate states of the QDSL miniband increase the intersubband absorption strength. We confirmed a systematic sensitive change in the two-step photocurrent generation depending on the miniband formation controlled by the temperature. Published by AIP Publishing.

    AMER INST PHYSICS, 2017年05月, APPLIED PHYSICS LETTERS, 110 (19), pp. 193104 - 1-5, 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • T. Tanibuchi, T. Kada, S. Asahi, D. Watanabe, T. Kaizu, Y. Harada, T. Kita

    We studied time-resolved photocarrier transport through InAs/GaAs quantum dot superlattice (QDSL) solar cells (SCs) using time-of-flight spectroscopy with an optical probe QD structure beneath the QDSL. Carriers optically pumped in the top p-GaAs layer were transported through the intrinsic layer, including the QDSLs, before arriving at the probe QDs. The photoexcited carrier density significantly influenced the time-resolved photoluminescence (PL) of the QDSLs and probe QDs. The time-resolved PL profile of the probe QDs indicated that excitation densities in excess of 25nJ/cm(2) drastically decreased the rise time, suggesting rapid carrier transport through the QDSLs. This was also confirmed by QDSL carrier transport dynamics, for which the PL intensity of the excited states decayed rapidly above this excitation power density, 25nJ/cm(2), while the ground state remained constant. These results demonstrate that filling the ground states of QDSLs and starting to populate the excited state miniband accelerates carrier transport in QDSL SCs. Furthermore, according to two-step photon absorption measurements taken with a 1.3-mu m infrared laser light source, electrons play a key role in the generation of extra photocurrent by sub-band-gap photon irradiation.

    AMER PHYSICAL SOC, 2016年11月, PHYSICAL REVIEW B, 94 (19), pp. 195313 - 1 -9, 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Masaya Suwa, Takaya Andachi, Toshiyuki Kaizu, Yukihiro Harada, Takashi Kita

    We studied the polarization anisotropy of electroluminescence (EL) and net modal gain characteristics of laser device structures containing 40 stacked InAs/GaAs quantum dot (QD) layers. The electronic coupling between the closely stacked QDs enhanced the transverse-magnetic (TM) polarization component owing to the heavy-and light-hole mixing. Thereby, the [110]-waveguide devices exhibited a laser oscillation of not only the transverse-electric (TE) but also the TM component. Laser oscillation occurred at 1137nm from the first excited state for the 300-mu m-long cavity, while it occurred at 1167 nm from the ground state for the 1000-mu m-long cavity. The polarization anisotropy of the EL intensity strongly depended on the injection current density. The polarized EL intensity was almost isotropic at low injection current density. As the injection current density was increased, the TE component was gradually enhanced, which resulted in a markedly TE-dominant anisotropy above the threshold current density for laser oscillation. The net modal gains evaluated using the Hakki-Paoli method also exhibited a TE-enhanced characteristic with increasing injection current density. As the EL spectra of the TE component have an inhomogeneous broadening narrower than that of the TM component, the TE-mode intensity is likely to be enhanced by the concentration of the injected carriers. Published by AIP Publishing.

    AMER INST PHYSICS, 2016年10月, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 120 (13), pp. 134313 - 1-6, 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • 量子ドット超格子太陽電池における2段階光励起電流生成ダイナミクスの電界依存特性

    加田 智之, 朝日 重雄, 原田 幸弘, 喜多 隆

    2016年09月, 日本材料学会会誌「材料」, 65 (9), pp. 647 - 651, 日本語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Yukihiro Harada, Naofumi Kasamatsu, Daiki Watanabe, Takashi Kita

    We report the time-resolved photoluminescence spectroscopy of nanoseconds-scale hot-carrier (HC) cooling dynamics in InAs/GaAs quantum dot superlattices (QDSLs). We demonstrate supra 1000-K time-averaged carrier temperature in the InAs/GaAs QDSLs from one-dimensional density of states restricting the phase space and energy-momentum conservation in the carrier scattering processes. The InAs/GaAs QDSLs HC energy dissipation rate was much smaller than that for InAs/GaAs multiple quantum wells and nearly excitation-photon-density independent, implying reduced efficiency of carrier-carrier scattering.

    AMER PHYSICAL SOC, 2016年03月, PHYSICAL REVIEW B, 93 (11), pp. 115303 - 1-5, 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Y. Ogawa, Y. Harada, T. Baba, T. Kaizu, T. Kita

    We have conducted rapid thermal annealing (RTA) for improving the two-dimensional (2D) arrangement of electronic states in the epitaxial nitrogen (N) delta-doped layer in GaAs. RTA rearranged the N-pair configurations in the GaAs (001) plane and reduced the number of non-radiative recombination centers. Furthermore, a Landau shift, representing the 2D delocalized electronic states in the (001) plane, was observed at around zero magnetic field intensity in the Faraday configuration. (C) 2016 AIP Publishing LLC.

    AMER INST PHYSICS, 2016年03月, Appl. Phys. Lett., 108 (11), pp. 111905 - 1-4, 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Polarization anisotropy of electroluminescence and net-modal gain in highly stacked InAs/GaAs quantum-dot laser devices

    Toshiyuki Kaizu, Masaya Suwa, Takaya Andachi, Yukihiro Harada, Takashi Kita

    IEEE, 2016年, 2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS), 英語

    [査読有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Transverse-magnetic laser oscillation from highly stacked InAs/GaAs quantum dots

    Toshiyuki Kaizu, Masaya Suwa, Takaya Andachi, Yukihiro Harada, Takashi Kita

    We studied electroluminescence and net-modal gain in 40-stacked InAs/GaAs quantum dot (QD) laser devices. Since the electronic coupling between the QDs enhanced the transverse-magnetic (TM) component, the [110] waveguide devices exhibited a laser oscillation in the TM component as well as the transverse-electric (TE) component.

    IEEE, 2016年, 2016 INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE (ISLC), 英語

    [査読有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Two-Dimensional Energy Dispersion in Thermally Annealed Epitaxial Nitrogen Atomic Sheet in GaAs

    Yasuhiro Ogawa, Yukihiro Harada, Kaizu Toshiyuki, Takashi Kita

    IEEE, 2016年, 2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS), 英語

    [査読有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • 近接積層InAs/GaAs量子ドット半導体光アンプの光導波モード解析

    諏訪 雅也, 大橋 知幸, 安達 貴哉, 海津 利行, 原田 幸弘, 喜多 隆

    2015年09月, Journal of the Society of Materials Science, 64 (9), pp. 685 - 689, 日本語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • T. Kada, S. Asahi, T. Kaizu, Y. Harada, T. Kita, R. Tamaki, Y. Okada, K. Miyano

    We studied the two-step photon absorption (TSPA) process in InAs/GaAs quantum-dot superlattice (QDSL) solar cells. TSPA of subband-gap photons efficiently occurs when electrons are pumped from the valence band to the states above the inhomogeneously distributed fundamental states of QDSLs. The photoluminescence (PL)-excitation spectrum demonstrates an absorption edge attributed to the higher excited states of the QDSLs in between the InAs wetting layer states and the fundamental states of QDSLs. When the absorption edge of the excited state was resonantly excited, the superlinear excitation power dependence of the PL intensity demonstrated that the electron and hole created by the interband transition separately relax into QDSLs. Furthermore, time-resolved PL measurements demonstrated that the electron lifetime is extended by thereby inhibiting recombination with holes, enhancing the second subband-gap absorption.

    AMER PHYSICAL SOC, 2015年05月, PHYSICAL REVIEW B, 91 (20), pp. 201303 - 1-6, 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Takashi Kita, Yuta Ishizu, Kazuma Tsuji, Yukihiro Harada, Yoshitaka Chigi, Tetsuro Nishimoto, Hiroyuki Tanaka, Mikihiro Kobayashi, Tsuguo Ishihara, Hirokazu Izumi

    We studied energy transfer from AlN to doped Gd3+ ions as a function of the post-thermal annealing temperature. Gd-doped AlN thin films were deposited on fused-silica substrates using a reactive radio-frequency magnetron sputtering technique. The film is a c-axis oriented polycrystal. The intra-orbital electron transition in Gd3+ showed an atomically sharp luminescence at 3.9 eV (318nm). The photoluminescence (PL) excitation spectrum exhibited a resonant peak, indicating efficient energy transfer from the host AlN crystal to Gd3+ ions. The PL intensity increases approximately ten times by thermal annealing. The PL decay lifetime becomes long with annealing, and mid-gap luminescence relating to the crystal defects in AlN was also found to be reduced by annealing. These results suggest that energy dissipation of excited carriers in AlN was suppressed by annealing, and the efficiency of energy transfer into Gd3+ was improved. (C) 2015 AIP Publishing LLC.

    AMER INST PHYSICS, 2015年04月, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 117 (16), pp. 193105 - 1-5, 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Tomoyuki Kada, Taizo Tanibuchi, Shigeo Asahi, Toshiyuki Kaizu, Yukihiro Harada, Takashi Kita, Ryo Tamaki, Yoshitaka Okada, Kenjiro Miyano

    We studied the two-step photon absorption (TSPA) process in InAs/GaAs quantum-dot superlattice (QDSL) solar cells. The photoluminescence (PL) and its excitation spectrum (PLE) showed the contribution of the higher excited states (ESs) forming the miniband of the QDSLs above the in homogeneously distributed ground states (GSs). TSPA of subbandgap photons efficiently occurs when electrons are pumped from the valence band (VB) to the higher ESs. When the higher ESs were resonantly excited, the superlinear excitation power dependence of the PL intensity appeared. Moreover, time-resolved PL showed that the electron lifetime is extended. These results demonstrate that the excited electron and hole separately relax into QDSLs, and thereby, enhancing the second sub-bandgap absorption.

    IEEE, 2015年, 2015 IEEE 42ND PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC), 英語

    [査読有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Daiki Watanabe, Naofumi Kasamatsu, Yukihiro Harada, Takashi Kita

    We propose a high-conversion-efficiency solar cell (SC) utilizing the hot carrier (HC) population in an intermediate-band (IB) of a quantum dot superlattice (QDSL) structure. The bandgap of the host semiconductor in this device plays an important role as an energy-selective barrier for HCs in the QDSLs. According to theoretical calculation using the detailed balance model with an air mass 1.5 spectrum, the optimum IB energy is determined by a trade-off relation between the number of HCs with energy exceeding the conduction-band edge and the number of photons absorbed by the valence band-IB transition. Utilizing experimental data of HC temperature in InAs/GaAs QDSLs, the maximum conversion efficiency under maximum concentration (45 900 suns) has been demonstrated to increase by 12.6% as compared with that for a single-junction GaAs SC. (C) 2014 AIP Publishing LLC.

    AMER INST PHYSICS, 2014年10月, APPLIED PHYSICS LETTERS, 105 (17), pp. 1 - 5, 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Takashi Kita, Masaya Suwa, Toshiyuki Kaizu, Yukihiro Harada

    The polarized optical gain characteristics of highly stacked InAs/GaAs quantum dots (QDs) with a thin spacer layer fabricated on an n(+)-GaAs (001) substrate were studied in the sub-threshold gain region. Using a 4.0-nm-thick spacer layer, we realized an electronically coupled QD superlattice structure along the stacking direction, which enabled the enhancement of the optical gain of the [001] transverse-magnetic (TM) polarization component. We systematically studied the polarized electroluminescence properties of laser devices containing 30 and 40 stacked InAs/GaAs QDs. The net modal gain was analyzed using the Hakki-Paoli method. Owing to the in-plane shape anisotropy of QDs, the polarization sensitivity of the gain depends on the waveguide direction. The gain showing polarization isotropy between the TM and transverse-electric polarization components is high for the [110] waveguide structure, which occurs for higher amounts of stacked QDs. Conversely, the isotropy of the [similar to 110] waveguide is easily achieved even if the stacking is relatively low, although the gain is small. (C) 2014 AIP Publishing LLC.

    AMER INST PHYSICS, 2014年06月, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 115 (23), 233512 - 1-5, 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Y. Ishizu, K. Tsuji, Y. Harada, T. Kita, Y. Chigi, T. Nishimoto, H. Tanaka, M. Kobayashi, T. Ishihara, H. Izumi

    We studied the efficient indirect excitation of Gd3+ ions in AlN thin films. C-axis oriented polycrystalline thin films of Al0.997Gd0.003N/AlN were grown on fused silica substrates using a reactive radio-frequency magnetron sputtering technique. The intra-orbital electron transition in Gd3+ showed a narrow luminescence line at 3.9 eV. The photoluminescence (PL) excitation (PLE) spectrum exhibited a peak originating from efficient indirect energy transfer from the band edge of AlN to Gd3+ ions. The PLE peak shifted and the PL intensity showed a dramatic change when the AlN band gap was varied by changing the temperature. Energy scanning performed by changing the band-gap energy of AlN with temperature revealed several resonant channels of energy transfer into the higher excited states of Gd3+. (C) 2014 AIP Publishing LLC.

    AMER INST PHYSICS, 2014年05月, J. Appl. Phys., 115 (17), 173508 - 1-6, 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Naofumi Kasamatsu, Tomoyuki Kada, Aiko Hasegawa, Yukihiro Harada, Takashi Kita

    We studied time-resolved carrier recombination in InAs/GaAs quantum dot (QD) solar cells. The electric field in a p-i-n diode structure spatially separates photoexcited carriers in QDs, strongly affecting the conversion efficiency of intermediate-band solar cells. The radiative decay lifetime is dramatically reduced in a strong electric field (193 kV/cm) by efficient recombination due to strong carrier localization in each QD and significant tunneling-assisted electron escape. Conversely, an electric field of the order of 10 kV/cm maintains electronic coupling in the stacked QDs and diminishes tunneling-assisted electron escape. (C) 2014 AIP Publishing LLC.

    AMER INST PHYSICS, 2014年02月, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 115 (8), 083510 - 1-5, 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Yukihiro Harada, Masuki Yamamoto, Takeshi Baba, Takashi Kita

    We have grown an epitaxial two-dimensional nitrogen (N) atomic sheet in GaAs by using the site-controlled N delta-doping technique. We observed a change of the electronic states in N delta-doped GaAs from the isolated impurity centers to the delocalized impurity band at 1.49 eV with increasing N-doping density. According to the excitation-power-and temperature-dependent photoluminescence (PL) spectra, the emission related to localized levels below the impurity band edge was dominant at low excitation power and temperature, whereas the effects of the localized levels can be neglected by increasing the excitation power and temperature. Furthermore, a clear Landau shift of the PL-peak energy was observed at several Tesla in the Faraday configuration, in contrast to the case in the impurity limit. (C) 2014 AIP Publishing LLC.

    AMER INST PHYSICS, 2014年01月, APPLIED PHYSICS LETTERS, 104 (4), 041907 - 1~4, 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Yusuke Bessho, Yukihiro Harada, Takashi Kita, Eiji Taguchi, Hidehiro Yasuda

    We have developed a technique to control the stacking direction of InAs/GaAs quantum dots (QDs) grown on GaAs(001) by varying the direction of the In flux. Transmission-electron microscope images of the stacked QDs reveal that the stacking direction tilts along the [110] direction according to the projection of the In flux direction on the (-110) and does not tilt in the [-110] direction. This anisotropic tilting behavior of the stacked QDs is considered to be caused by an anisotropic migration of In atoms on the (001) growth front. The linear polarization feature of the edge-emitted photoluminescence (PL) demonstrates a strong anisotropy of the strain distribution attributable to the tilted direction of the stacked QDs. According to multidirectional observations of the polarized PL, anisotropic valence band mixing was caused by strain symmetry lowering owing to the tilted stacking direction. (C) 2013 AIP Publishing LLC.

    AMER INST PHYSICS, 2013年07月, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 114 (3), 033517 - 1-5, 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Yukihiro Harada, Tsuyoshi Maeda, Takashi Kita

    We studied state-filling-dependent intraband carrier dynamics in InAs/GaAs self-assembled quantum dots using two-color photoexcitation spectroscopy. The photoluminescence (PL) intensity was observed to be dramatically reduced by selectively pumping carriers from the intermediate state to the continuum state located above the conduction band edge, and the PL-intensity reduction decreased with an increase in the continuous-wave excitation power. We analyzed the observed state-filling-dependent intraband carrier dynamics by detailed modeling of carrier excitation and relaxation processes in which the two-photon absorption for the interband transition, Pauli blocking, and saturable absorption for the intraband transition is considered. © 2013 AIP Publishing LLC.

    2013年06月14日, Journal of Applied Physics, 113 (22), 223511 - 1-5, 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Akihiro Takahashi, Tatsuya Ueda, Yusuke Bessho, Yukihiro Harada, Takashi Kita, Eiji Taguchi, Hidehiro Yasuda

    We have studied the electronic states of closely stacked InAs/GaAs quantum dots (QDs) with a 4.0-nm spacer layer using linearly polarized photoluminescence (PL) and time-resolved PL measurements. An increase in the stacking-layer number (SLN) leads to an increase in the linear polarization anisotropy in the (001) plane; the [-110]-polarization component becomes dominant. These SLN-dependent polarization characteristics result from the valence-band mixing induced by the vertically coupled electronic states. The PL spectrum of the stacked QDs shows clear blueshifts with an increase in the excitation power because of the band filling. In addition, the radiative recombination lifetime has been found to obey the T-1/2 dependence, which directly confirms the one-dimensional translational motion of excitons in the closely stacked QDs.

    AMER PHYSICAL SOC, 2013年06月, PHYSICAL REVIEW B, 87 (23), 2353323 - 1-6, 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Yukihiro Harada, Tsuyoshi Maeda, Takashi Kita

    We have studied time-resolved intraband transition from the intermediate state to the continuum state of the conduction band in InAs/GaAs self-assembled quantum dots embedded in a one-dimensional photonic cavity structure using a two-color photoexcitation spectroscopy. The photonic gap was tuned to enhance the excitation from the intermediate state to the conduction band, whose energy is selected to be less than the interband transition energy between the intermediate state and the quantized hole state. The photoluminescence intensity was observed to be dramatically reduced by selectively pumping carriers in the intermediate state. This effect has been analyzed by modeling detailed carrier relaxation process. © 2013 Copyright SPIE.

    2013年, Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 8620, 862008 - 1-7, 英語

    [査読有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Carrier Dynamics in Intermediate States of InAs/GaAs Quantum Dots Embedded in Photonic Cavity Structure

    Takashi Kita, Tsuyoshi Maeda, Yukihiro Harada

    We have studied time-resolved intra band transition from the intermediate state to the continuum state of the conduction band in InAs/GaAs self-assembled quantum dots (QDs) embedded in a one-dimensional photonic cavity structure using a two-color photoexcitation spectroscopy. The photonic gap was tuned to enhance the excitation from the intermediate state to the conduction band, whose energy is selected to be less than the interband transition energy between the intermediate state and the quantized hole state. The photoluminescence intensity was observed to be dramatically reduced by selectively pumping carriers in the intermediate state. This effect has been analyzed by modeling detailed carrier relaxation process.

    IEEE, 2013年, 2012 IEEE 38TH PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC), VOL 2, 英語

    [査読有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Masaya Suwa, Akihiro Takahashi, Tatsuya Ueda, Bessho Yusuke, Yukihiro Harada, Takashi Kita

    We have controlled the electronic states of closely-stacked InAs/GaAs quantum dots with a 4.0 nm spacer layer and investigated the optical gain characteristics. With an increase in the stacking-layer number (SLN), the [001] transverse-magnetic (TM) polarization component increases as well as the linear polarization anisotropy in the (001) plane becomes remarkable. These SLN-dependent polarization characteristics result from the valence-band mixing induced by the vertically-coupled electronic states in stacked QDs. We have systematically studied polarized electroluminescence properties of a semiconductor-optical amplifier devise containing 30-stacked InAs/GaAs QDs. The net modal gain was analyzed by using the Hakki-Paoli method. The injection current dependence of the gain spectra shows a state filling effect and a change in the contribution of the TM polarization component. The polarization insensitive gain feature within +/-1 dB has been achieved in the low injection current condition. (C) 2013 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim

    WILEY-V C H VERLAG GMBH, 2013年, PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 11, 10 (11), 1492 - 1495, 英語

    [査読有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Takashi Kita, Tsuyoshi Maeda, Yukihiro Harada

    We have studied the time-resolved intraband transition from the intermediate state to the continuum state of the conduction band in InAs/GaAs self-assembled quantum dots ( QDs) embedded in a one-dimensional photonic cavity structure using two-color photoexcitation spectroscopy. The resonant energy of the photonic cavity was tuned to enhance the intraband transition with an energy smaller than the interband transition energy between the intermediate state and the quantized hole states. The interband photoluminescence intensity was observed to be drastically reduced due to the pumping out of carriers in the intermediate state using near-infrared laser light. We proposed a model describing the carrier relaxation process in the InAs/GaAs QD system, where the two-photon absorption and the Pauli blocking in QDs are considered.

    AMER PHYSICAL SOC, 2012年07月, PHYSICAL REVIEW B, 86 (3), 035301 - 1-7, 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Yukihiro Harada, Takashi Kita, Kazunari Matsuda, Yoshihiko Kanemitsu, Henri Mariette

    We have studied the broadened emission lines of CdTe/Cd0.75Mn0.25Te tilted superlattices (TSLs) in contrast to the sharp emission lines of the nonmagnetic CdTe/Cd0.74Mg0.26Te TSLs by using near-field scanning optical microscopy. The broadening of the photoluminescence (PL) spectra reflect the statistical fluctuation in the magnetization of Mn spins in the exciton magnetic polaron (EMP). The EMP PL strongly depends on the temperature; the line width of the EMP PL spectrum becomes narrow and the spatial distribution of the EMP PL intensity has been found to be reduced with rising the temperature from 5 to 11 K, because of annihilation of the EMP. (C) 2011 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim

    WILEY-V C H VERLAG GMBH, 2012年, PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 2, 9 (2), 英語

    [査読有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Ippei Tsubaki, Yukihiro Harada, Takashi Kita

    Recently, there has been an increasing interest in broad-band light sources to develop a biomolecular imaging technique called optical coherence tomography (OCT). We fabricated superluminescent diodes (SLDs) using three kinds of quantum dot (QD) layers with different emission wavelength in the active region. The emission wavelength was controlled by reducing the strain in QDs by using In0.1Ga0.9As strain-reducing layer. The SLD device showed a broad electroluminescence spectrum with the center wavelength of 1104 nm and the spectral line-width of 122 nm at the injection of 40 mA, which corresponds to the theoretical axial resolution of 4.4 mu m. To estimate the actual resolution of the OCT system using fabricated SLD, we measured the interference signal in the Michelson interferometer. An axial resolution of 5.4 mu m, which is close to the theoretical limit, was obtained. (C) 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim

    WILEY-V C H VERLAG GMBH, 2012年, PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 12, 9 (12), 2473 - 2476, 英語

    [査読有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Intermediate Band Photovoltaics Based on Interband-intraband Transitions Using In0.53Ga0.47As/InP Superlattice

    W G Hu, Y Harada, A Hasegawa, T Inoue, O Kojima, T Kita

    2011年11月, Progress in Photovoltaics:Research and Applications, Vol. 19, Issue8, pp. 1~9, 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Y Harada, T Kubo, T Inoue, O Kojima, T Kita

    We studied the spatial localization of excitons bound to nitrogen (N) pairs in N delta-doped GaAs to make clear origin of bound exciton lines. An extremely high uniformity of the emission wavelength was achieved for the exciton bound to the N pairs because of the uniform strain field in the N delta-doped layer fabricated in the (001) plane in the atomically controlled way. The magneto-photoluminescence spectra in the Faraday configuration showed a mixing of the bright-and dark-exciton components in the exciton fine structure and diamagnetic shift. The spatial distribution of the excitons localized at different N pairs was estimated using the diamagnetic shift coefficient and confirmed by the radiative lifetime of the bright-exciton component. According to the estimated spatial distribution of bound-exciton wave function, it was found that the exciton for the 1.444-eV line is localized stronger than that for the 1.493-eV line. The strong electron confinement for the 1.444-eV line results in the reduction of exciton-phonon interaction. (C) 2011 American Institute of Physics. [doi:10.1063/1.3654015]

    AMER INST PHYSICS, 2011年10月, J. Appl. Phys, 110 (8), 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Muhammad Usman, Tomoya Inoue, Yukihiro Harda, Gerhard Klimeck, Takashi Kita

    Recent experimental measurements, without any theoretical guidance, showed that isotropic polarization response can be achieved by increasing the number of quantum-dot (QD) layers in a QD stack. Here we analyze the polarization response of multilayer QD stacks containing up to nine QD layers by linearly polarized photoluminescence (PL) measurements and by carrying out a systematic set of multimillion atom simulations. The atomistic modeling and simulations allow us to include correct symmetry properties in the calculations of the optical spectra, a factor critical to explain the experimental evidence. The values of the degree of polarization (DOP) calculated from our model follows the trends of the experimental data. We also present detailed physical insight by examining strain profiles, band edges diagrams, and wave function plots. Multidirectional PL measurements and calculations of the DOP reveal a unique property of InAs QD stacks that the TE response is anisotropic in the plane of the stacks. Therefore, a single value of the DOP is not sufficient to fully characterize the polarization response. We explain this anisotropy of the TE modes by orientation of hole-wave functions along the [(1) over bar 10] direction. Our results provide a new insight that isotropic polarization response measured in the experimental PL spectra is due to two factors: (i) TM001-mode contributions increase due to enhanced intermixing of HH and LH bands, and (ii) TE110-mode contributions reduce significantly due to hole-wave function alignment along the [(1) over bar 10] direction. We also present optical spectra for various geometry configurations of QD stacks to provide a guide to experimentalists for the design of multilayer QD stacks for optical devices. Our results predict that the QD stacks with identical layers will exhibit lower values of the DOP than the stacks with nonidentical layers.

    AMER PHYSICAL SOC, 2011年09月, PHYSICAL REVIEW B, 84 (11), 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Yuichiro Ikeuchi, Tomoya Inoue, Masaki Asada, Yukihiro Harada, Takashi Kita, Eiji Taguchi, Hidehiro Yasuda

    We studied polarization anisotropy observed in photoluminescence from closely stacked InAs/GaAs quantum dots (QDs). As the number of stacked layers was increased, the anisotropy in the (001) plane became drastically larger and the [001]-polarization component became larger than the [110] component when observed from the [(1) over bar 10] direction. However, the polarization intensity of the [(1) over bar 10] component remained stronger than that of the [001] component in the stacked QDs. Such varied polarization anisotropies depending on the observation direction have been found to result from the valence-band mixing in the vertically coupled electronic states. (C) 2011 The Japan Society of Applied Physics

    JAPAN SOC APPLIED PHYSICS, 2011年06月, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 4 (6), 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Yukihiro Harada, Osamu Kojima, Takashi Kita, Osamu Wada

    We have studied the detailed fine structure splitting of the photoluminescence lines exhibiting the superlinear excitation power dependence in nitrogen delta-doped GaAs. The symmetric splitting energy observed between the 1.493 and 1.509 eV lines suggests that these two lines originate from the same impurity center because the mixing of the bright- and dark-exciton components depends on the electron-hole exchange energy and the local-strain field. The excitation power dependence of these two lines indicates that the 1.509 eV line is attributed to the biexciton luminescence corresponding to the 1.493 eV line. (C) 2011 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim

    WILEY-V C H VERLAG GMBH, 2011年02月, PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 248 (2), 464 - 467, 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Y Harada, O Kojima, T Kita, O Wada

    We have studied sharp emission lines created by interacting between the GaAs host-matrix conduction-band edge and nitrogen-related localized levels in nitrogen delta-doped GaAs by using magneto-photoluminescence spectroscopy. According to the decreased diamagnetic coefficient of 75 mu eV/T-2 at the 1.515-eV line, the interaction between the conduction-band edge and localized levels has been confirmed. Furthermore, we have observed a linear polarization anisotropy for these emission lines. This polarization splitting demonstrates that the electronic states of the nitrogen pair couple with the GaAs conduction-band edge. (C) 2010 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim

    WILEY-V C H VERLAG GMBH, 2011年, Physica Status Solidi C, 8 (2), 英語

    [査読有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Yukihiro Harada, Yoshiki Horiuchi, Osamu Kojima, Takashi Kita, Osamu Wada

    We have studied the magnetic-field evolution of the fine structure splitting of the exciton bound to nitrogen (N) pairs in GaAs in the Faraday configuration. With applying the magnetic field, the photoluminescence (PL) spectrum splits into several signals and changes their intensities. The observed magneto-PL spectra indicate the mixing between the split exciton states having the orthogonal linear polarization components in the zero-magnetic field, which demonstrates the characteristic Zeeman effects of the anisotropic exciton structure bound to the N pairs.

    AMER INST PHYSICS, 2011年, PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 30TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, 1399, 英語

    [査読有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • W. G. Hu, Y. Harada, T. Inoue, O. Kojima, T. Kita

    Two-photon transition modelling is developed to study quantum mechanism and simulate device operation in intermediate band solar cell (IBSC). The interband-intranband transition, the detailed balance and carrier transport are coupled with each other. IB formation mechanism is studied within one-band envelope-function framework (Kronig-Penney type). Well-designed GaInAs/InP superlattice structures have been proved to separate IB from valence band (VB) and conduction band (CB), which is the precondition of IBSC operations. Further, we calculate two-photon absorption spectra and firstly combine quantum transitions into recent drift-diffusion and detail balanced model. With this model, we have studied a novel IBSC consist of In0.53Ga0.47As/InP superlattices (SLs). Our results show the interband-intraband transition determines the conversion efficiency. With well-designed quantum structure, the efficiency in 1.2 μm thick SLs is 46.13% under the maximum concentration. However, as the well or barrier thickness increases to 10 nm, the absorption peak of the intraband transition gradually redshifts and narrows, so the efficiency correspondingly decreases to below 40%. © 2011 IEEE.

    2011年, Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 002625 - 002628, 英語

    [査読有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Yukihiro Harada, Takashi Kita, Osamu Wada, Hiroaki Ando

    We have theoretically studied the emission-line width in Mn-composition modulated Cd1-xMnxTe quantum wires by using the multiband effective mass theory and fluctuation-dissipation theorem. The calculated emission-line width exhibits a broadening because of a statistical fluctuation in the magnetization of Mn spins in the exciton magnetic polaron. The line width is sensitive to both the temperature and the magnetic field in the Voigt configuration, which exhibits remarkable anisotropy depending on the external magnetic field direction. The anisotropic behavior is a typical feature of the one-dimensional system resulting from heavy-hole and light-hole mixing.

    AMER INST PHYSICS, 2010年02月, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 107 (4), 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Yukihiro Harada, Takashi Kita, Osamu Wada, Hiroaki Ando, Henri Mariette

    We theoretically studied anisotropic linear optical polarization properties in CdTe/Cd(0.75)Mn(0.25)Te quantum wires (QWRs) by using the multi-band effective mass method. In this QWR system. the spatial distribution of the Mn composition influences both the lateral quantum confinement and the sp-d exchange coupling. The calculated expectation value of the hole spin demonstrates that the hole spin is reoriented along the external magnetic field when applying the magnetic field parallel to the QWR. The hole-spin reorientation causes anisotropic behavior in the Zeeman shift and the linearly polarized optical transitions, which sensitively depends on the Mn spatial distribution. Such characteristic features appeared in the QWR have been demonstrated experimentally and compared with the theoretical calculations. (C) 2009 Elsevier B.V. All rights reserved.

    ELSEVIER SCIENCE BV, 2009年12月, JOURNAL OF LUMINESCENCE, 129 (12), 1448 - 1453, 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Yukihiro Harada, Takashi Kita, Osamu Wada, Hiroaki Ando, Henri Mariette

    Anisotropic magneto-optical effects in CdTe/CdMnTe quantum wire structures have been studied theoretically by using the multiband effective-mass method. The Mn spatial distribution influences not only the lateral quantum confinement of the carrier wave function but also the exchange coupling of spins between the carrier and Mn ions. The anisotropic configuration between the spin of holes confined in the wire and the Mn spin oriented by the magnetic field causes anisotropy in the magnetic-field dependence of the valence-band structure, and this results in the anisotropic Zeeman shift and linear polarization properties of the optical transition depending on the spin configuration.

    AMER PHYSICAL SOC, 2008年08月, PHYSICAL REVIEW B, 78 (7), 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Takashi Kita, Yukihiro Harada, Osamu Wada

    We have studied the fine structure polarization splitting of exciton emission lines related to isoelectronic centers in an nitrogen-doped GaAs. The nitrogen doping has been performed in atomically controlled way using the (3 X 3) nitrogen stable surface of GaAs(001), which forms a series of distinct, strong, narrow bandwidth luminescence lines. The localized bound excitons have been found to consist of four signals, which can be selected by linear polarization. Magnetic-field-induced change in the splitting shows a quadratic dependence of the bright exciton splitting owing to the in-plane Zeeman interaction. Our calculations of the optical selection characteristics considering both the J-J coupling and local-field effects demonstrate the polarization splitting depending on the symmetry of the isoelectronic center.

    AMER PHYSICAL SOC, 2008年05月, PHYSICAL REVIEW B, 77 (19), 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • EXCITON FINE STRUCTURE OF NITROGEN ISOELECTRONIC CENTERS IN GaAs

    Yukihiro Harada, Takashi Kita, Osamu Wada

    We have studied the exciton fine structures of nitrogen isoelectronic centers in GaAs. Atomically controlled nitrogen doping into GaAs realizes a series of distinct, strong, narrow bandwidth bound-exciton luminescences. The exciton fine structure has been found to consist of four signals, which can be selected by the linear polarization. Our calculations have succeeded in reproducing the optical selection characteristics when considering both the J-J coupling and local-field effects in the C(2 nu) symmetry.

    IEEE, 2008年, 2008 IEEE 20TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM), 231 - 233, 英語

    [査読有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Anisotropic magnetic-field evolution of valence-band states in one-dimensional diluted magnetic semiconductors

    Yukihiro Harada, Takashi Kita, Osamu Wada, Hiroaki Ando

    We have theoretically studied the anisotropic magnetic-field evolution of the valence-band states in CdMnTe quantum wires by using a multiband effective-mass method. The Zeeman diagram depends on the direction of the magnetic field against the wire direction. The optical transition probability has been found to show a dramatic change in the polarization because of the valence-band mixing. The calculated magneto-optical properties are carefully compared with experimental results observed in CdTe/CdMnTe tilted superlattices.

    AMER INST PHYSICS, 2007年, PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS A AND B, 893, 1245 - +, 英語

    [査読有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Valence-band mixing induced by sp-d exchange interaction in CdMnTe quantum wires

    Y Harada, T Kita, O Wadal, L Marsal, H Mariette, H Ando

    Anisotropic magneto-optical effects have been studied theoretically by using multi-band effective mass method. We focus on a model of an ideal CdMnTe quantum wire surrounded by infinite potential barriers. The mixing of heavy- and light-hole bands is caused by both the one-dimensional quantum confinement and the sp-d exchange interaction. As a result of the valence-band mixing characteristic to the one-dimensional diluted magnetic semiconductor, the Zeeman splitting in the magnetic field parallel to the wire direction becomes smaller than that in the perpendicular magnetic field. (c) 2006 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

    WILEY-VCH, INC, 2006年, PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3 NO 3, 3 (3), 667 - +, 英語

    [査読有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Yukihiro Harada, Takashi Kita, Osamu Wada, Hiroaki Ando

    Anisotropic magnetic-field evolution of the valence-band states in ideal Cd1-x Mnx Te quantum wire structures have been studied theoretically by using multiband effective-mass method. The heavy- and light-hole bands show significant mixing owing to both the one-dimensional quantum confinement and the p-d exchange interaction. Because of the anisotropy of the initial quantization condition determined by the one-dimensional confinement, the Zeeman diagram of the valence bands exhibits anisotropic characteristics depending on the direction of the external magnetic field. According to the magnetic-field evolution of the valence-band states, the optical transition probability shows a dramatic change in the polarization. © 2006 The American Physical Society.

    2006年, Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 74 (24), 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Y. Harada, T. Kita, O. Wada, H. Ando

    Highly sensitive control of anisotropic optical polarization in CdMnTe quantum wires has been studied theoretically using multi-band effective mass method. A magnetic field dramatically changes the transition probability via the sp-d exchange interaction. © 2006 Optical Society of America.

    2006年, Conference on Lasers and Electro-Optics and 2006 Quantum Electronics and Laser Science Conference, CLEO/QELS 2006, 英語

    [査読有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • T. Kita, S. Nagahara, R. Naganuma, Y. Harada, O. Wada, L. Marsal, H. Mariette

    We have studied anisotropic exchange interactions in (CdTe)(0.5)(Cd0.75Mn0.25Te)(0.5) tilted superlattices fabricated by fractional monolayer growth onto a 1 degrees off vicinal surface. Compositionally modulated wire structures in the (0 0 1) plane have been confirmed by polarized PL measurements, which shows the lateral quantization perpendicular to the wire direction. The Zeeman shift in the Voigt configuration depends on the direction of the external magnetic field in the (0 0 1) plane. Linear-polarization measurements of the magneto-PL reveal reorientation of the hole spin in the CdTe-rich wire into the external field direction. Moreover, in the magnetic field parallel to the wire direction, valence-band mixing occurs, which results in the anisotropic Zeeman shift. (C) 2004 Elsevier B. V. All rights reserved.

    ELSEVIER SCIENCE BV, 2005年02月, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 275 (1-2), E2221 - E2224, 英語

    [査読有り]

    研究論文(学術雑誌)

  • Hole-spin reorientation in (CdTe)(0.5)(Cd0.75Mn0.25Te)(0.5) tilted superlattices grown on Cd0.74Mg0.26Te(001) vicinal surface

    T Kita, S Nagahara, Y Harada, O Wada, L Marsal, H Mariette

    We have studied anisotropic exchange interaction in (CdTe)(0.5)(Cd0.75Mn0.25Te)(0.5) tilted superlattices fabricated by fractional monolayer growth onto a 1 degrees off vicinal surface. The Zeeman shift in the Voigt configuration depends on the direction of the external magnetic field in the (001) plane. When applying the external magnetic field parallel to the wire direction, linear polarization of the magneto-PL reveals reorientation of hole spins into the external field direction. Moreover, in the parallel magnetic field the valence-band mixing occurs for fields larger than similar to 3.5 T, which results in anisotropic Zeeman shifts.

    AMER INST PHYSICS, 2005年, Physics of Semiconductors, Pts A and B, 772, 1353 - 1354, 英語

    [査読有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Y. Harada, R. Naganuma, T. Kita, O. Wada, H. Mariette, H. Ando

    We have studied hole-spin reorientation in CdTe/CdMnTe nano-wire structures grown on CdMgTe (001) vicinal surface. Experimental results have been compared with calculations based on ideal CdMnTe QWR model, using multiband effective mass method.

    2005年, IQEC, International Quantum Electronics Conference Proceedings, 2005, 265 - 266, 英語

    [査読有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)

  • Y. Harada, T. Kita, O. Wada, L. Marsal, H. Mariette, H. Ando

    Anisotropic magneto-optical effects have been studied theoretically by using multi-band effective mass method. We focus on a model of an ideal CdMnTe quantum wire surrounded by infinite potential barriers. The mixing of heavy- and light-hole bands is caused by both the one-dimensional quantum confinement and the sp-d exchange interaction. As a result of the valence-band mixing characteristic to the one-dimensional diluted magnetic semiconductor, the Zeeman splitting in the magnetic field parallel to the wire direction becomes smaller than that in the perpendicular magnetic field. © 2006 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA.

    2006年, Physica Status Solidi C: Conferences, 3 (3), 667 - 670, 英語

    [査読有り]

    研究論文(国際会議プロシーディングス)

MISC

  • 半導体量子ドット超格子におけるホットキャリアダイナミクス

    原田 幸弘

    2017年07月, 電気評論, 642, 67 - 71, 日本語

    [招待有り]

    記事・総説・解説・論説等(商業誌、新聞、ウェブメディア)

  • 中間バンド型高効率太陽電池―量子ナノ構造中における光キャリアダイナミックス―

    喜多 隆, 原田 幸弘

    2014年05月, 応用物理, 83, 348 - 355, 日本語

    [査読有り]

    記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)

講演・口頭発表等

  • Route to High Conversion Efficiency Solar cell

    Shigeo Asahi, Yukihiro Harada, Takashi Kita

    The 6th International Conference on New Energy and Future Energy Systems, 2021年11月

  • Anti-Stokes photoluminescence of GaAs:Er,O for laser cooling in photonic crystal nano-cavity

    Y. Nakayama, M. Ogawa, Y. Harada, J. Tatebayashi, T. Kita, F. Fujiwara

    第40回電子材料シンポジウム, 2021年10月

  • エピタキシャル成長を利用した固体レーザー冷却用高品質Yb:Y-Al-O厚膜の作製

    中山雄太, 薩井篤, 松尾祐治, 原田幸弘, 喜多隆

    第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月

  • Lateral Photoconductivity of Multiple-Stacked InAs/GaAs Quantum Dot Structure for Photoconductive Antenna Device

    T. Kaizu, I. Kohama, Y. Minami, T. Kitada, Y. Harada, O. Kojima, T. Kita, O. Wada

    Compound Semiconductor Week (CSW) 2021, 2021年05月

  • Yb-doped Yttrium Aluminum Perovskite for Radiation Balanced Laser Application

    Y. Nakayama, Y. Harada, T. Kita

    SPIE Photonics West 2021, 2021年03月

  • 光伝導アンテナ応用へ向けた多重積層InAs/GaAs量子ドットの光学特性評価

    海津利行, 小濱一晟, 南康夫, 北田貴弘, 原田幸弘, 小島磨, 喜多隆, 和田修

    第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月

  • 光伝導アンテナ応用へ向けた多重積層InAs/GaAs量子ドットの電気特性評価

    南康夫, 新免歩, 北田貴弘, 原田幸弘, 海津利行, 小島磨, 喜多隆, 和田修

    第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月

  • 相分離したYb添加Y-Al-O透明薄膜における結晶相間エネルギー移動

    中山雄太, 原田幸弘, 石原嗣生, 喜多隆

    第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月

  • Anti-Stokes Photoluminescence Caused by Energy Transfer in Ytterbium-Doped Yttrium Aluminum Perovskite

    Y. Nakayama, Y. Harada, T. Kita

    第39回電子材料シンポジウム, 2020年10月

  • 量子ドット超格子を利用した高効率太陽電池

    原田幸弘

    応用物理学会KOSENスチューデントチャプター第1回VR学術講演会, 2020年07月

    [招待有り]

    公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等

  • 2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池におけるバンド内遷移特性

    原田幸弘, 草木和輝, 朝日重雄, 喜多隆

    第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月, 日本語

    口頭発表(一般)

  • 多重積層InAs/GaAs量子ドットを用いた光伝導アンテナの作製

    海津利行, 北田貴弘, 南康夫, 原田幸弘, 小島磨, 喜多隆, 和田修

    第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月, 日本語

    口頭発表(一般)

  • Yb添加YAG-YAM共晶透明薄膜におけるAnti-Stokes PL過程と理想レーザー冷却効率

    中山雄太, 中川望夢, 原田幸弘, 喜多隆

    第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月

    口頭発表(一般)

  • Enhancement of laser cooling efficiency in rare-earth-doped oxide at elevated high temperature

    Y. Nakayama, Y. Harada, T. Kita

    SPIE Photonics West 2020, 2020年02月, 英語

    [招待有り]

    口頭発表(招待・特別)

  • 量子構造太陽電池における光励起キャリアダイナミクス

    原田幸弘

    第十三回紀州吉宗セミナー, 2020年01月, 日本語

    [招待有り]

    公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等

  • Yb:YAG薄膜からの強いAnti-Stokes発光とレーザー冷却特性

    中川望夢, 中山雄太, 原田幸弘, 喜多隆

    第30回光物性研究会, 2019年12月, 日本語

    ポスター発表

  • (Yb:Y)AGセラミックスにおけるAnti-Stokes PL過程

    中山雄太, 原田幸弘, 喜多隆

    第30回光物性研究会, 2019年12月, 日本語

    ポスター発表

  • 光物性の基礎

    原田幸弘

    第3回ISYSE研究会, 2019年11月, 日本語

    [招待有り]

    公開講演,セミナー,チュートリアル,講習,講義等

  • Hot-Carrier Extraction from InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices Embedded in GaAs Solar Cells

    Y. Harada, N. Iwata, S. Asahi, T. Kita

    第38回電子材料シンポジウム, 2019年10月, 英語

    ポスター発表

  • Efficient Laser Cooling in Rare-Earth Doped Oxides at High Temperature

    Y. Nakayama, Y. Harada, T. Kita

    第38回電子材料シンポジウム, 2019年10月, 英語

    ポスター発表

  • Excitation Energy Dependence of Hot-Carrier Extraction Process in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Solar Cells

    Y. Harada, N. Iwata, S. Asahi, T. Kita

    7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, 2019年09月, 英語

    口頭発表(一般)

  • Laser Cooling Utilizing Anti-Stokes Photoluminescence in Yb-Doped Yttrium Aluminum Garnet

    Y. Nakayama, Y. Harada, T. Kita

    7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, 2019年09月, 英語

    ポスター発表

  • InAs/GaAs量子ドット超格子におけるホットキャリア生成過程

    原田幸弘, 松井麻斗, 喜多隆

    第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月, 日本語

    口頭発表(一般)

  • (Y:Yb)AGにおける高温でのAnti-Stokes発光増強メカニズム

    中山雄太, 原田幸弘, 喜多隆

    第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月, 日本語

    口頭発表(一般)

  • Hot-Carrier Extraction in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Solar Cells

    Y. Harada, N. Iwata, D. Watanabe, S. Asahi, T. Kita

    46th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2019年07月, 英語, Chicago, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Efficient Hot-Carrier Generation in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices

    Y. Harada, N. Iwata, D. Watanabe, S. Asahi, T. Kita

    Optics&Photonics International Congress 2019, 2019年04月, 英語, Yokohama, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • InAs/GaAs量子ドット超格子を用いたホットキャリア型太陽電池における開放電圧の向上

    原田 幸弘, 岩田 尚之, 朝日 重雄, 喜多 隆

    第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月, 日本語, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • (Y:Yb)AGにおける高温でのanti-Stokes発光増強

    中山 雄太, 安藤 達人, 寺田 康太, 原田 幸弘, 喜多 隆

    第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月, 日本語, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • Voltage boost effect in two-step photon up-conversion solar cell with partial absorptivity

    Y. Harada, S. Asahi, T. Kita

    第37回電子材料シンポジウム, 2018年10月, 日本語, 国内会議

    ポスター発表

  • Laser Cooling in Yb-Doped Yttrium Aluminum Compounds

    Y. Nakayama, T. Ando, K. Terada, Y. Harada, T. Kita

    第37回電子材料シンポジウム, 2018年10月, 日本語, 国内会議

    ポスター発表

  • Optimal Band Gap Energies for Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells with Partial Absorptivity

    Y. Harada, T. Matsuo, S. Asahi, T. Kita

    35th European PV Solar Energy Conference and Exhibition, 2018年09月, 英語, Belgium, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • InAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池におけるホットキャリア電流取り出し特性

    岩田 尚之, 渡部 大樹, 原田 幸弘, 朝日 重雄, 喜多 隆

    第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月, 日本語, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • 2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池における理論変換効率の入射光スペクトル形状依存性

    原田 幸弘, 松尾 哲弘, 朝日 重雄, 喜多 隆

    第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月, 日本語, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • Yb添加Fttrium-Aluminum化合物によるもの固体レーザー冷却

    中山 雄太, 安藤 達人, 寺田 康太, 原田 幸弘, 喜多 隆

    平成30年度半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会, 2018年07月, 日本語, 奈良先端科学技術大学院大学, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • Optimization of Excitation Wavelengh in YAG:Yb for Laser cooling

    Y. Nakayama, K. Terada, Y. harada, K. Kita

    The 12th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed Matter and Nano Materials, 2018年07月, 英語, Nara, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Exciton Hopping Dynamics in GaAsBi

    Y.Harada, T. Wilson, N.P. Hylton, J.P. David, R.D. Richards, T. Kita, N.J. Ekins-Daukes

    9th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, 2018年07月, 英語, Kyoto, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • 入射光スペクトル形状を考慮した2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池の理論変換効率

    松尾 哲弘, 原田 幸弘, 朝日 重雄, 喜多 隆

    応用物理学会関西支部平成30年度第1回講演会, 2018年05月, 日本語, 神戸大学, 国内会議

    ポスター発表

  • Polarization Dependent Photocurrent in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Solar Cells

    Y. Harada, J. Yamada, D. Watanabe, S. Asahi, T. Kita

    International Conference on Nanophotonics and Nano-optoelectronics 2018, 2018年04月, 英語, Yokohama, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • 吸収率を考慮した2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池の理論変換効率

    原田 幸弘, 朝日 重雄, 喜多 隆

    第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月, 日本語, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • YAG:Ybにおけるanti-Stokes発光の励起波長依存性

    中山 雄太, 寺田 康太, 原田 幸弘, 喜多 隆

    第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月, 日本語, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • InAs/GaAs量子ドット超格子を用いたホットキャリア型太陽電池動作実証

    岩田 尚之, 渡部 大樹, 原田 幸弘, 朝日 重雄, 喜多 隆

    第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月, 日本語, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • InAs/GaAs量子ドット超格子を用いたホットキャリア型太陽電池の動作評価

    岩田 尚之, 渡部 大樹, 原田 幸弘, 朝日 重雄, 喜多 隆

    応用物理学会関西支部平成29年度第3回講演会, 2018年02月, 日本語, 国内会議

    ポスター発表

  • YAG:YbにおけるAnti-Stokes発光

    中山 雄太, 原田 幸弘, 喜多 隆

    第28回光物性研究会, 2017年12月, 日本語, 国内会議

    ポスター発表

  • Two-Step Photn Up-Conversion Solar Cells Incorporating a Voltage Booster Hetero-Interface

    S. Asahi, K. Kusaki, Y. Harada, T. Kita

    The 27th Photovoltaic Science and Engineering Conference, 2017年11月, 英語, Otsu, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Efficient Two-Step Photocurrent in Intermediate Band Solar Cells Using Highly Homogeneous InAs/GaAs Quantum-Dot Superlattice

    K. Hirao, S. Asahi, T. Kaizu, Y. Harada, T. Kita

    The 27th Photovoltaic Science and Engineering Conference, 2017年11月, 英語, Otsu, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Anti-Stokes photoluminescence in Yb-doped yttrium aluminum garnet

    Y. Nakayama, Y. Harada, T. Kita

    第36回電子材料シンポジウム, 2017年11月, 日本語, 国内会議

    ポスター発表

  • 低温キャップInAs/GaAs量子ドット超格子中間バンド型太陽電池における熱脱出の抑制

    平尾 和輝, 朝日 重雄, 海津 利行, 原田 幸弘, 喜多 隆

    第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月, 日本語, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • 低温キャップInAs/GaAs量子ドット超格子中間バンド型太陽電池における2段階光吸収の増強

    平尾 和輝, 朝日 重雄, 海津 利行, 原田 幸弘, 喜多 隆

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成29年度第1回研究会, 2017年09月, 日本語, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • InAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池におけるバンド内遷移の偏光特性

    原田 幸弘, 山田 淳也, 渡部 大樹, 朝日 重雄, 喜多 隆

    第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月, 日本語, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • Two-energy-scales of localized states on photoluminescence thermal quenching in GaAsBi

    Y. Harada, T. Wilson, N. P. Hylton, A. Mellor, P. Pearce, R. D. Richards, J. P. David, N. J. Ekins-Daukes

    29th International Conference on Defects in Semiconductors, 2017年07月, 英語, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Stokes and Anti-Stokes Photoluminescence in Nitrogen ð-Doped Layer in GaAs

    Y. Harada, Y. Ogawa, T. Kaizu, T. Kita

    29th International Conference on Defects in Semiconductors, 2017年07月, 英語, Matsue, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Selective excitation of bulk GaAs1-xBix to assess the effects of short and long-range disorder on minority carrier transport properties

    T. Wilson, N. P. Hylton, D. Alonso-Álvarez, A. Mellor, Y. Harada, P. Pearce, R. D. Richards, J. P. David, N. J. Ekins-Daukes

    8th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, 2017年07月, 英語, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Photoluminescence spectroscopy of isoelectronic impurity doped GaAs

    Y. Harada

    International Workshop on Advanced Smart Materials and Engineering for Nano- and Bio-Technologies, 2017年07月, 英語, 国際会議

    [招待有り]

    口頭発表(招待・特別)

  • Density-of-states of localized states in GaAsBi

    Y. Harada, T. Wilson, N. P. Hylton, A. Mellor, P. Pearce, R. D. Richards, J. P. David, N. J. Ekins-Daukes

    8th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, 2017年07月, 英語, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • レーザー冷却に向けたYbドープ酸化物の作製

    中山 雄太, 尾崎 勝也, 石原 嗣生, 原田 幸弘, 喜多 隆

    応用物理学会関西支部平成29年度第1回講演会, 2017年05月, 日本語, 国内会議

    ポスター発表

  • GaAs中のエピタキシャル窒素膜における反ストークス発光

    原田 幸弘, 小川 泰弘, 海津 利行, 喜多 隆

    第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017年03月, 日本語, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • GaAs中のデルタドーピング窒化層を利用した光によるフォノン制御

    小川 泰弘, 原田 幸弘, 海津 利行, 喜多 隆

    第27回光物性研究会, 2016年12月, 日本語, 国内会議

    ポスター発表

  • Two-dimensional delocalized electronic states of epitaxial N d-doped layer in GaAs

    Y. Harada, Y. Ogawa, T. Kaizu, T. Kita

    Energy, Materials, and Nanotechnology Meeting on Epitaxy, 2016年09月, 英語, 国際会議

    [招待有り]

    口頭発表(招待・特別)

  • Nanosecond-scale hot-carrier cooling dynamics in one-dimensional InAs/GaAs quantum dot superlattices

    Y. Harada, N. Kasamatsu, D. Watanabe, T. Kita

    HEMP 2016: Hot Electrons and Solar Energy, 2016年09月, 英語, 国際会議

    [招待有り]

    口頭発表(招待・特別)

  • InAs/GaAs量子ドット中間バンド型太陽電池における電子の熱脱出過程の解明

    平尾 和輝, 渡辺 翔, 朝日 重雄, 海津 利行, 原田 幸弘, 喜多 隆

    第77回応用物理学会秋季学術講演会, 2016年09月, 日本語, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • Spatial Electronic Structure of an Isovalent Nitrogen Center in GaAs

    R. Plantenga, V. Kortan, T. Kaizu, Y. Harada, T. Kita, M. Flatte, P. Koenraad

    33rd International Conference on the Physics of Semiconductors, 2016年08月, 英語, Beijing, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Thermal carrier-escape process from the intermediate band in InAs/GaAs quantum dot solar cells

    K. Hirao, S. Asahi, S. Watanabe, T. Kaizu, Y. Harada, T. Kita

    第35回電子材料シンポジウム, 2016年07月, 日本語, 国内会議

    ポスター発表

  • Polarization-Insensitive Intraband Transition in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices

    Y. Harada, J. Yamada, D. Watanabe, S. Asahi, T. Kita

    UK Semiconductors 2016, 2016年07月, 英語, Sheffield, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Two-Dimensional Energy Dispersion in Thermally Annealed Epitaxial Nitrogen Atomic Sheet in GaAs

    Y. Ogawa, Y. Harada, T. Kaizu, T. Kita

    2016 Compound Semiconductor Week, 2016年06月, 英語, Toyama, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Polarization Anisotropy of Electroluminescence and Net-Modal Gain in Highly Stacked InAs/GaAs Quantum-Dot Laser Devices

    T. Kaizu, M. Suwa, T. Andachi, Y. Harada, T. Kita

    2016 Compound Semiconductor Week, 2016年06月, 英語, Toyama, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Enhancement of Two-Step Photon Absorption Due to Miniband Formation in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Solar Cell

    S. Watanabe, S. Asahi, T. Kada, T. Kaizu, Y. Harada, T. Kita

    32nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 2016年06月, 英語, Munich, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • 急速熱アニールしたGaAs中のエピタキシャル窒素膜の輻射再結合寿命

    小川 泰弘, 原田 幸弘, 海津 利行, 喜多 隆

    第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年03月, 日本語, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • Time-Resolved Photoluminescence of Thermally-Annealed Nitrogen Atomic Sheet in GaAs

    Y. Ogawa, Y. Harada, T. Kaizu, T. Kita

    17th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures, 2016年03月, 英語, Nara, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • InAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池におけるミニバンド形成が2段階光吸収に与える影響

    渡辺 翔, 朝日 重雄, 加田 智之, 海津 利行, 原田 幸弘, 喜多 隆

    第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年03月, 日本語, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • ポリマー薄膜中のコロイドPbS量子ドットにおけるパリティ選択則の緩和

    廣田 舞, 芝川 忠慶, 原田 幸弘, 喜多 隆

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成27年度第1回研究会, 2015年11月, 日本語, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • ポリマー膜中のPbSコロイド量子ドットにおける磁気光学応答のヒステリシス特性

    原田 幸弘, 芝川 忠慶, 廣田 舞, 喜多 隆, 櫻井 敬博, 太田 仁

    日本物理学会2015年秋季大会, 2015年09月, 日本語, 国内会議

    ポスター発表

  • InAs/GaAs量子ドット超格子を利用したホットキャリア型太陽電池

    渡部 大樹, 原田 幸弘, 海津 利行, 喜多 隆

    第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年09月, 日本語, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • InAs/GaAs量子ドット超格子におけるホットキャリア冷却過程

    原田 幸弘, 笠松 直史, 渡部 大樹, 喜多 隆

    第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年09月, 日本語, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • Epitaxial Nitrogen Atomic Sheet in GaAs Grown by Nitorogen δ-Doping Technique

    Y. Harada, T. Baba, Y. Ogawa, T. Kaizu, T. Kita

    5th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, 2015年09月, 英語, Taiwan, 国際会議

    [招待有り]

    口頭発表(招待・特別)

  • 急速熱アニールによるGaAs中のエピタキシャル窒素シートにおける2次元物性の制御

    小川 泰弘, 原田 幸弘, 海津 利行, 喜多 隆

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成27年度第1回研究会, 2015年07月, 日本語, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • Relaxation of Parity Selection Rules in Colloidal PbS Quantum Dots Embedded in Polymer Films

    M. Hirota, T. Shibakawa, Y. Harada, T. Kita

    21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems/17th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, 2015年07月, 英語, Sendai, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Hot-Carrier Distribution in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices and Its Application to Solar Cells

    D. Watanabe, N. Kasamatsu, Y. Harada, T. Kita

    34th Electronic Materials Symposium, 2015年07月, 日本語, 国内会議

    ポスター発表

  • Enhancement of Two Dimensionality in Epitaxial Nitrogen Atomic Sheet in GaAs by Rapid Thermal Annealing

    Y. Harada, Y. Ogawa, T. Baba, T. Kaizu, T. Kita

    21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems/17th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, 2015年07月, 英語, Sendai, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Annealing effects on the delocalized electronic states of epitaxial two-dimensional nitrogen atomic sheet in GaAs

    Y. Ogawa, Y. Harada, T. Baba, T. Kaizu, T. Kita

    34th Electronic Materials Symposium, 2015年07月, 日本語, 国内会議

    ポスター発表

  • Two-Step Photocarrier Generation in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Intermediate Band Solar Cell

    T. Kada, T. Tanibuchi, S. Asahi, T. Kaizu, Y. Harada, T. Kita, R. Tamaki, Y. Okada, K. Miyano

    42nd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2015年06月, 英語, New Orleans, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Hot-Carrier Cooling Dynamics in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices

    Y. Harada, N. Kasamatsu, D. Watanabe, T. Kita

    11th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed Matter and Nano Materials, Montreal, 2015年05月, 英語, Montreal, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • ポリマー薄膜中のコロイドPbS量子ドットにおける励起緩和過程の偏光異方性

    廣田 舞, 芝川 忠慶, 原田 幸弘, 喜多 隆

    第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015年03月, 日本語, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • InAs/GaAs量子ドット超格子におけるホットキャリアダイナミクス

    原田 幸弘, 渡部 大樹, 笠松 直史, 喜多 隆

    日本物理学会第70回年次大会(2015年), 2015年03月, 日本語, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • GaAs中のエピタキシャル二次元窒素膜におけるアニール効果

    原田 幸弘, 小川 泰弘, 馬場 健, 海津 利行, 喜多 隆

    第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015年03月, 日本語, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • ポリマー薄膜中のコロイドPbS量子ドットにおける励起緩和過程の偏光異方性

    廣田 舞, 芝川 忠慶, 原田 幸弘, 喜多 隆

    第24回光物性研究会, 2014年12月, 日本語, 国内会議

    ポスター発表

  • InAs/GaAs量子ドット太陽電池におけるキャリア脱出の影響

    笠松 直史, 加田 智之, 渡部 大樹, 原田 幸弘, 喜多 隆

    第24回光物性研究会, 2014年12月, 日本語, 国内会議

    ポスター発表

  • GaAs中のエピタキシャル2次元窒素シート非局在電子状態の発光ダイナミクス

    馬場 健, 原田 幸弘, 海津 利行, 喜多 隆

    第24回光物性研究会, 2014年12月, 日本語, 国内会議

    ポスター発表

  • 低次元量子構造を利用したホットキャリア型太陽電池の提案

    渡部 大樹, 笠松 直史, 原田 幸弘, 喜多 隆

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成26年度第2回研究会, 2014年11月, 日本語, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • ポリマー中に埋め込まれたPbSコロイド量子ドットにおける磁気発光強度のヒステリシス特性

    芝川 忠慶, 廣田 舞, 原田 幸弘, 喜多 隆

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成26年度第2回研究会, 2014年11月, 日本語, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • Two-dimensional electronic states of epitaxial nitrogen atomic sheet in GaAs

    Y. Harada, T. Baba, T. Kaizu, T. Kita

    International Symposium on Recent Progress of Photonic Devices and Materials, 2014年11月, 英語, 国際会議

    [招待有り]

    口頭発表(招待・特別)

  • Photoluminescence Decay Dynamics in Epitaxial Two-Dimensional Nitrogen Atomic Sheet in GaAs

    T. Baba, Y. Harada, T. Kaizu, T. Kita

    International Symposium on Recent Progress of Photonic Devices and Materials, 2014年11月, 英語, Kobe University, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Hot Carrier Intermediate Band Solar Cell Using Low-Dimensioned Quantum Structures

    D. Watanabe, N. Kasamatsu, T. Kada, S. Asahi, Y. Harada, T. Kita

    WCPEC-6, 2014年11月, 英語, Kyoto International Conference Center, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Control of Electronic States Colloidal PbS Quantum Dots Embedded in Polymer Films

    M. Hirota, T. Shibakawa, Y. Harada, T. Kita

    International Symposium on Recent Progress of Photonic Devices and Materials, 2014年11月, 英語, Kobe University, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • 低次元量子構造を利用したホットキャリア中間バンド型太陽電池

    渡部 大樹, 笠松 直史, 原田 幸弘, 喜多 隆

    第75回応用物理学会学術講演会, 2014年09月, 日本語, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • GaAs中のエピタキシャル二次元窒素膜の電子状態 (II)

    原田 幸弘, 馬場 健, 海津 利行, 喜多 隆

    第75回応用物理学会学術講演会, 2014年09月, 日本語, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • GaAs中のエピタキシャル二次元窒素膜における発光ダイナミクス

    馬場 健, 原田 幸弘, 海津 利行, 喜多 隆

    第75回応用物理学会学術講演会, 2014年09月, 日本語, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • Two-dimensional electronic states of epitaxial nitrogen atomic sheet in GaAs grown by nitrogen delta-doping technique

    Y. Harada, T. Baba, T. Kita

    32nd International Conference on Physics of Semiconductors, 2014年08月, 英語, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Enhancement of interaction among nitrogen pair centers in epitaxial two-dimensional nitrogen atomic sheet in GaAs

    T. Baba, Y. Harada, T. Kaizu, T. Kita

    33rd Electronic Materials Symposium, 2014年07月, 日本語, 国内会議

    ポスター発表

  • GaAs中のエピタキシャル二次元窒素膜の電子状態

    原田 幸弘, 馬場 健, 喜多 隆

    第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014年03月, 日本語, 青山学院大学, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • Intraband Carrier Dynamics in Self-Assembled Quantum Dots for Infrared Optical Devices

    Y. Harada, T. Maeda, T. Kita

    EMN Fall Meeting, 2013年12月, 英語, Orland, Florida, USA, 国際会議

    [招待有り]

    口頭発表(招待・特別)

  • InAs/GaAs量子ドットにおけるbound-to-continuum型サブバンド間遷移の吸収係数

    原田 幸弘, 前田 剛志, 喜多 隆

    第23回光物性研究会, 2013年12月, 日本語, 大阪市立大学, 国内会議

    ポスター発表

  • GaAs中におけるエピタキシャル2次元窒素膜の磁気発光特性

    馬場 健, 山本 益輝, 原田 幸弘, 喜多 隆

    第23回光物性研究会, 2013年12月, 日本語, 大阪市立大学, 国内会議

    ポスター発表

  • 積層方向を制御した InAs/GaAs量子ドットの発光偏光特性

    原田 幸弘, 別所 侑亮, 喜多 隆, 田口 英次, 保田 英洋

    日本物理学会2013年秋季大会, 2013年09月, 日本語, 徳島大学, 国内会議

    ポスター発表

  • Electron Localization in GaAs:N Grown by Using δ-Doping Technique

    Y. Harada, M. Yamamoto, T. Baba, T. Kita

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia, 2013年09月, 英語, Doshisya University, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Polarization Controlled Emisson from Closely Stacked InAs/GaAs Quantum Dots

    M. Suwa, A. Takahashi, T. Ueda, Y. Bessho, Y. Harada, T. Kita

    The 40th International Symposium on Compound Semiconductors, 2013年05月, 英語, Kobe, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Energy Relaxation of Photoexcited Electrons in Direct Si-Doped InAs/GaAs Quantum Dots

    R. Hasegawa, Y. Harada, T. Kita

    ISCS2013, 2013年05月, 英語, Kobe, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Effect of State Filling on Intraband Carrier Dynamics in InAs/GaAs quantum Dots

    Y. Harada, T. Maeda, T. Kita

    ISCS2013, 2013年05月, 英語, Kobe, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • 窒素を高濃度デルタドープしたGaAsの磁気光学特性

    原田 幸弘, 山本 益輝, 馬場 健, 喜多 隆

    第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013年03月, 日本語, 神奈川工科大学, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • 斜め積層InAs/GaAs量子ドットの端面発光特性

    原田 幸弘, 別所 侑亮, 喜多 隆, 田口 英次, 保田 英洋

    第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013年03月, 日本語, 神奈川工科大学, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • Si直接ドーピングInAs/GaAs量子ドットのキャリア緩和過程

    長谷川 隆一, 原田 幸弘, 喜多 隆

    第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013年03月, 日本語, 神奈川工科大学, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • Intraband Carrier Dynamics in InAs/GaAs Quantum Dots Studied by Two-Color Excitation Spectroscopy

    H. Harada, T. Maeda, T. Kita

    SPIE Photonics West 2013, 2013年02月, 英語, California, United States, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • 窒素デルタドーピングによるGaAs電子状態の制御

    山本 益輝, 原田 幸弘, 喜多 隆

    第23回光物性研究会, 2012年12月, 日本語, 大阪市立大学, 国内会議

    ポスター発表

  • Intermediate-Band Solar Cells using InGaAs/InP Superlattices

    Y. Harada, W. G. Hu, T. Kita

    4th International Workshop on Quantum Nanostructure Solar Cells/8th Seminar on Quantum Nanostructure Materials, 2012年12月, 英語, Kobe Ubiversity, 国際会議

    [招待有り]

    口頭発表(招待・特別)

  • In0.53Ga0.47As/InP超格子における2段階光吸収を利用した中間バンド型太陽電池

    原田 幸弘, 胡 衛国, 喜多 隆

    第23回光物性研究会, 2012年12月, 日本語, 大阪市立大学, 国内会議

    ポスター発表

  • 光共振器構造中のInAs/GaAs量子ドットにおけるサブバンド間遷移ダイナミクス

    原田 幸弘, 前田 剛志, 喜多 隆

    日本物理学会2012年秋季大会, 2012年09月, 日本語, 横浜国立大学, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • 光共振器構造中のInAs/GaAs量子ドットにおける2段階光吸収の増強

    原田 幸弘, 前田 剛志, 喜多 隆

    第73回応用物理学会学術講演会, 2012年09月, 日本語, 愛媛大学・松山大学, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • SiダイレクトドーピングによるInAs量子ドットのフェルミ準位の変化

    長谷川 隆一, 井上 知也, 原田 幸弘, 喜多 隆

    第73回応用物理学会学術講演会, 2012年09月, 日本語, 愛媛大学・松山大学, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • Miniband Formation in Closely-Stacked InAs GaAs Quantum Dots

    A Tahahashi, Y Ikeuchi, T Ueda, Y Harada, T Kita

    The17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 2012年09月, 英語, MBE, Nara, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • InフラックスによるInAs/GaAs量子ドットの積層方向の制御

    別所 侑亮, 原田 幸弘, 喜多 隆, 田口 英次, 保田 英洋

    第73回応用物理学会学術講演会, 2012年09月, 日本語, 愛媛大学・松山大学, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • InAs供給量を制御した近接積層InAs/GaAs量子ドットの発光特性

    高橋 章浩, 池内 佑一郎, 小西 康太, 上田 竜也, 原田 幸弘, 喜多 隆

    第73回応用物理学会学術講演会, 2012年09月, 日本語, 愛媛大学・松山大学, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • Effects of Excess Electrons on Recombination Lifetime in Directly Si-doped InAs GaAs Quantum Dots

    R Hasegawa, T Inoue, Y Harada, O Kojima, T Kita

    The17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 2012年09月, 英語, MBE, Nara, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Control of Stacking Direction of InAs GaAs Quantum Dots

    Y Bessho, Y Harada, T Kita, E Taguchi, H Yasuda

    The17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 2012年09月, 英語, MBE, Nara, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Control of Electronic Structure of GaAs Using Nitrogen δ-doping Technique

    M Yamamoto, K Kimura, Y Harada, T Kita

    The17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 2012年09月, 英語, MBE, Nara, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • GaAs中の配列制御された窒素ペアに束縛された励起子の光物性

    原田 幸弘, 喜多 隆

    第2回光科学異分野横断萌芽研究会, 2012年08月, 日本語, 岡崎コンファレンスセンター, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • Strong Electron-Hole Correlation in Bound Exciton in Nitrogen δ-Doped GaAs

    Y Harada, T Kubo, T Inoue, O Kojima, T Kita

    The 10th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Mattsr, Nanostructured and Molecular Materials, 2012年07月, 英語, EXCON, Groningen, Netherlands, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Intraband Optical Response in InAsGaAs Quantum Dots

    T Maeda, Y Harada, T Kita

    The 10th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Mattsr, Nanostructured and Molecular Materials, 2012年07月, 英語, Groningen, Netherlands, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Delocalization of electronic states formed by nitrogen pairs in GaAs

    M. Yamamoto, K. Kimura, Y. Harada, T. Kita

    31st Electronic Materials Symposium, 2012年07月, 日本語, ラフォーレ修善寺, 国内会議

    ポスター発表

  • Extremely Uniform Excitonic States in Nitrogen δ-Doped GaAs

    Y Harada, T Kita

    International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications, 2012年06月, 英語, ICOOPMA, Nara, 国際会議

    [招待有り]

    口頭発表(招待・特別)

  • Carrier Dynamics in Intermediate States of InAs/GaAs Quantum Dots Embedded in Photonic Cavity Structure

    T Kita, T Maeda, Y Harada

    38th IEEE Photovoltaic Specialist Conference, 2012年06月, 英語, IEEE, Austin, United States of America, 国際会議

    [招待有り]

    口頭発表(招待・特別)

  • 窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子発光線幅の温度依存性

    原田 幸弘, 久保 輝宣, 井上 知也, 小島 磨, 喜多 隆

    第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月, 日本語, 日本応用物理学会, 東京都, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • 近接積層InAs/GaAs量子ドットの光物性

    高橋 章浩, 池内 佑一郎, 小西 康太, 別所 侑亮, 原田 幸弘, 喜多 隆, 田口 英次, 保田 英洋

    第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月, 日本語, 応用物理学会, 新宿区, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • GaAsエピタキシャル界面への窒素のデルタドーピングと高均一発光特性

    喜多 隆, 原田 幸弘

    第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年03月, 日本語, 応用物理学会, 新宿区, 国内会議

    口頭発表(招待・特別)

  • Suppression of Nonradiative Recombination Process in Directly Si-Doped InAs Quantum Dots

    R Hasegawa, T Inoue, T Tanaka, H Harada, O Kojima, T Kita

    21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference PVSECPVSEC-21, 2011年12月, 英語, Fukuoka, 国際会議

    ポスター発表

  • GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子における励起子-格子相互作用

    原田 幸弘, 久保 輝宣, 井上 知也, 小島 磨, 喜多 隆

    第22回光物性研究会, 2011年12月, 日本語, 光物性研究会組織委員, 熊本市, 国内会議

    ポスター発表

  • Optical Properties of Quantum Dot Superlattices

    T Kita, O Kojima, Y Harada

    8th International Conference on Flow Dynamics, 2011年11月, 英語, ICFD organizing committee, 仙台市, 国際会議

    ポスター発表

  • 光共振器を有する中間バンド型太陽電池の光吸収増強効果

    前田 剛志, 小島 磨, 原田 幸弘, 喜多 隆

    平成23年度第1回半導体エレクトロニクス部門委員会研究会, 2011年10月, 日本語, 材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会, 神戸市, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • 近接積層量子ドット成長を利用した偏波無依存光応答の実現

    小西 康太, 池内 佑一郎, 原田 幸弘, 喜多 隆, 田口 栄次, 保田 英洋

    平成23年度第1回半導体エレクトロニクス部門委員会研究会, 2011年10月, 日本語, 材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会, 神戸市, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • 窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子発光線の起源

    原田 幸弘, 久保 輝宣, 井上 知也, 小島 磨, 喜多 隆

    第72回応用物理学会学術講演会, 2011年09月, 日本語, 日本応用物理学会, 山形市, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • 近接積層に伴う量子ドットのフォトルミネッセンス偏光特性

    池内 佑一郎, 麻田 将貴, 井上 知也, 原田 幸弘, 喜多 隆, 田口 栄次, 保田 英洋

    第72回応用物理学会学術講演会, 2011年09月, 日本語, 応用物理学会, 山形市, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • Photoluminescence Polarization Anisotropy in Closely Stacked InAs/GaAs Quantum Dots

    T Kita, T Inoue, Y Harada

    Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, 2011年09月, 英語, Austria, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子分子の磁気光学特性

    原田 幸弘, 久保 輝宣, 井上 知也, 小島 磨, 喜多 隆

    日本物理学会2011年秋季大会, 2011年09月, 日本語, 日本物理学会, 富山市, 国内会議

    ポスター発表

  • GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子のフォノンサイドバンド発光

    原田 幸弘, 久保 輝宣, 井上 知也, 小島 磨, 喜多 隆

    第72回応用物理学会学術講演会, 2011年09月, 日本語, 日本応用物理学会, 山形市, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • Effect of Capping Layer Growth on Bound Exciton Luminescence in Nitrogen δ-Doped GaAs

    Y Harada, T Kubo, T Inoue, O Kojima, T Kita

    2011 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2011年09月, 英語, SSDN組織委員会, Aichi, 国際会議

    ポスター発表

  • Two-Photons Transition in Intermediate Band Solar Cells

    W G Hu, Y Harada, T Inoue, O Kojima, T Kita

    37th IEEE Photovoltaic Specialist Conference, 2011年07月, 英語, Seattle, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Electronic states in multiply stacked InAs/GaAs quantum dots studied by polarized photoluminescence spectroscopy

    IKEUCHI Yuichiro, ASADA Masaki, INOUE Tomoya, HARADA Yukihiro, KOJIMA Osamu, KITA Takashi

    第30回電子材料シンポジウム, 2011年07月, 日本語, EMS組織委員, 大津市, 国内会議

    ポスター発表

  • Capping layer dependence of bound exciton luminescence in nitrogen delta-doped GaAs

    Harada Yukihiro, KUBO Terutada, INOUE Tomoya, KOJIMA Osamu, KITA Takashi

    第30回電子材料シンポジウム, 2011年07月, 日本語, EMS組織委員, 大津市, 国内会議

    ポスター発表

  • Near-Field Photoluminescence Spectroscopy of CdTe/Cd0.75Mn0.25Te Tilted Superlattices

    Y Harada, T Kita, K Matsuda, Y Kanemitsu, H Mariette

    38th International Symposium on Compound Semiconductors, 2011年05月, 英語, ISCS組織委員会, Germany, 国際会議

    ポスター発表

  • Diamagnetic shift of exciton bound to the nitrogen pairs in GaAs

    Harada Yukihiro, KUBO Terutada, INOUE Tomoya, KOJIMA Osamu, KITA Takashi

    38th International Symposium on Compound Semiconductors, 2011年05月, 英語, ISCS組織委員会, Berling, Germany, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • 窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子発光線のキャップ層成長条件依存性

    原田 幸弘, 久保 輝宜, 井上 知也, 小島 磨, 喜多 隆

    第60回応用物理学関係連合講演会, 2011年03月, 日本語, 応用物理学会, 厚木市, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • 窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子発光線のキャップ層成長条件依存性

    原田 幸弘, 久保 輝宣, 井上 知也, 小島 磨, 喜多 隆

    第58回応用物理学関係連合講演会, 2011年03月, 日本語, 日本応用物理学会, 厚木市, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • 近接多層積層量子ドットのフォトルミネッセンス偏光特性

    池内 佑一郎, 麻田 将貴, 井上 知也, 原田 幸弘, 小島 磨, 喜多 隆

    第58回応用物理学関係連合講演会, 2011年03月, 日本語, 応用物理学会, 厚木市, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子の輻射再結合寿命

    原田 幸弘, 久保 輝宜, 井上 知也, 小島 磨, 喜多 隆

    「ナノ構造・物性」第3回研究会, 2011年03月, 日本語, 神戸大学自然科学系融合研究環ナノエンジニアリング研究チーム, ナノ学会ナノ構造・物性部会, 神戸市, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • GaAs 中の窒素ペアに束縛された励起子の磁気光学特性

    原田 幸弘, 久保 輝宜, 井上 知也, 小島 磨, 喜多 隆

    第59回応用物理学関係連合講演会, 2011年03月, 日本語, 応用物理学会, 厚木市, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子の磁気光学特性

    原田 幸弘, 久保 輝宣, 井上 知也, 小島 磨, 喜多 隆

    第58回応用物理学関係連合講演会, 2011年03月, 日本語, 日本応用物理学会, 厚木市, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • 窒素をデルタドープしたGaAsにおける励起子微細構造の反磁性シフト

    原田 幸弘, 久保 輝宣, 小島 磨, 喜多 隆

    第21回光物性研究会, 2010年12月, 日本語, 光物性研究会組織委員, 大阪市, 国内会議

    ポスター発表

  • GaAs中の窒素等電子トラップ束縛励起子の発光ダイナミクス

    久保 輝宜, 井上 知也, 原田 幸弘, 小島 磨, 喜多 隆

    第22回光物性研究会, 2010年12月, 日本語, 光物性研究会組織委員会, 大阪市, 国内会議

    ポスター発表

  • 量子ドットの多層積層化に伴う偏光異方性の発現と制御

    池内 佑一郎, 麻田 将貴, 井上 知也, 原田 幸弘, 小島 磨, 喜多 隆

    日本材料学会平成22年度第2回半導体エレクトロニクス部門研究会, 2010年11月, 日本語, 日本材料学会, 堺市, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • In-Plane Polarization Anisotropy in Vertically Stacked InAs Quantum Dots

    IKEUCHI Yuichiro, ASADA Masaki, INOUE Tomoya, HARADA Yukihiro, KOJIMA Osamu, KITA Takashi

    The 6th International Workshop on Nano-scale Spectroscopy and Nanotechnology, 2010年10月, 英語, NSS organizing committee, 神戸市, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • III-V半導体中不純物制御と励起子物性

    原田 幸弘, 喜多 隆

    2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会, 2010年09月, 日本語, 応用物理学会, 長崎市, 国内会議

    口頭発表(招待・特別)

  • Magneto-Photoluminescence Spectroscopy of Exciton Fine Structure in Nitrogen d-Doped GaAs

    HARADA Yukihiro, HORIUCHI Yoshiki, KOJIMA Osamu, KITA Takashi, WADA Osamu

    The 30th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2010年07月, 英語, ICPS organizing committee, Seoul, Korea, 国際会議

    ポスター発表

  • Bound Biexciton Luminescence in Nitrogen d-Doped GaAs

    HARADA Yukihiro, KOJIMA Osamu, KITA Takashi, WADA Osamu

    The 9th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed and Nano Materials, 2010年07月, 英語, EXCON organizing committee, Brisbane, Australia, 国際会議

    ポスター発表

  • Interaction between Conduction-Band Edge and Nitrogen-Related Localized Levels in Nitrogen d-Doped GaAs

    HARADA Yukihiro, KOJIMA Osamu, KITA Takashi, WADA Osamu

    The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, 2010年06月, 英語, 応用物理学会, 高松市, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Interaction between conduction-band edge and Nitrogen-related localized levels in Nitrogen d-doped GaAs

    Yukihiro Harada, Osamu Kojima, Takashi Kita, Osamu Wada

    37th International Symposium on Compound Semiconductors, 2010年06月, 英語, ISCS組織委員会, 高松市, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Emission properties of excitons strongly localized to nitrogen pairs in GaAs

    HARADA Yukihiro, KITA Takashi

    The International Conference on Nanophotonics 2010, 2010年05月, 英語, ICNP organizing committee, つくば市, 国際会議

    [招待有り]

    口頭発表(招待・特別)

  • 窒素をデルタドープしたGaAsにおける発光スペクトルの反磁性シフト

    原田 幸弘, 小島 磨, 喜多 隆, 和田 修

    日本物理学会第65回年次大会, 2010年03月, 日本語, 日本物理学会, 岡山市, 国内会議

    ポスター発表

  • 窒素をデルタドープしたGaAs における電子状態の磁場依存性

    原田 幸弘, 小島 磨, 喜多 隆, 和田 修

    第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年03月, 日本語, 日本応用物理学会, 平塚市, 国内会議

    ポスター発表

  • GaAs中の窒素等電子束縛励起子における励起子ダイナミクス

    原田 幸弘, 小島 磨, 喜多 隆, 和田 修

    第20回光物性研究会, 2009年12月, 日本語, 光物性研究会組織委員会, 大阪市, 国内会議

    ポスター発表

  • 窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子分子発光

    原田 幸弘, 堀内 義基, 小島 磨, 喜多 隆, 和田 修

    第70回応用物理学会学術講演会, 2009年09月, 日本語, 応用物理学会, 富山市, 国内会議

    口頭発表(一般)

  • GaAs中の窒素等電子束縛励起子微細構造におけるポピュレーション

    原田 幸弘, 小島 磨, 喜多 隆, 和田 修

    日本物理学会2009年秋季大会, 2009年09月, 日本語, 日本物理学会, 熊本市, 国内会議

    ポスター発表

  • Magnetic-field control of the exciton fine polarization splitting of nitrogen pair centers in GaAs

    Yukihiro Harada, Tomoya Inoue, Osamu Kojima, Takashi Kita, Osamu Wada

    第28回電子材料シンポジウム, 2009年07月, 日本語, 電子材料シンポジウム運営委員会, 大津市, 国内会議

    ポスター発表

  • Magnetic-field control of exciton fine structure splitting in nitrogen -doped GaAs

    Yukihiro Harada, Osamu Kojima, Takashi Kita, Osamu Wada

    14th International Conference on Modulated Semiconductor structures, 2009年07月, 英語, MSS組織委員会, 神戸市, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Magnetic-Field Control of Exciton Fine Structure Splitting in Nitrogen Delta-Doped GaAs

    Y Harada, O Kojima, T Kita, O Wada

    Abstr. 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, 2009年07月, 英語, Kobe, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Control of Exciton Fine Structure of Nitrogen Nanospace in GaAs

    T. Kita, Y Harada

    Abstr. 15th International Symposium on Intercalation Compounds, 2009年03月, 英語, Beijing, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Fine structure of bound excitons in nitrogen-doped GaAs

    T Kita, Y Harada, O Wada

    Abstr. The 15th International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condenced Matter, 2008年07月, 英語, Lyon, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Anisotropic Linear Polarization Luminescence in CdTe/CdMnTe Quantum Wires

    Y Harada, T Kita, O Wada, H. Ando, H Mariette

    Abstr. The 15th International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condenced Matter, 2008年07月, 英語, Lyon, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Near-Field Photoluminescence of Exciton Magnetic Polarons in CdTe/Cd0.75Mn0.25Te Quantum Wires

    Y Harada, T Kita, O Wada, K Matsuda, Y Kanemitsu, H Ando, H Mariette

    Abstr. 8th International Conference on Excitonic Process in Condensed Matter, 2008年06月, 英語, Kyoto,, 国際会議

    口頭発表(一般)

  • Exciton Fine Structure of Nitrogen Isoelectronic Center

    Y Harada, T Kita, O Wada

    Proc. 20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 2008年05月, 英語, Paris, 国際会議

    口頭発表(一般)

共同研究・競争的資金等の研究課題

  • 量子ドット超格子を用いた光導電型テラヘルツ発生・検知デバイスの実現

    和田 修, 小島 磨, 海津 利行, 原田 幸弘

    日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(C), 基盤研究(C), 神戸大学, 2019年04月 - 2022年03月

    本年度は、量子ドット(QD)超格子を用いた光伝導アンテナ(PCA)デバイスに向けた結晶作製方法の開発、超高速分光法によるこの結晶の超高速キャリア緩和特性の確認、さらに基本的なPCAデバイスの作製を実行した。また、PCAにおける電場増強効果の可能性に関する理論検討を開始した。 結晶成長・デバイス作製関連では、まず分子線エピタキシによる低温成長(LT-)GaAs層の成長条件を確立した後、半絶縁性GaAs(001)基板上にInAs QDs(2.0分子層)とGaAs中間層(50 nm)を20層積層し、さらにLT-GaAs層(30 nm)を成長することによりデバイス結晶を得た。デバイス作製では、Ti/Au電極間ギャップ約5 μmのダイポール型PCA電極形成、およびメサエッチ加工を行った。メサ構造の採用により、暗電流の値を2桁抑制できることが判明し、デバイス特性評価に十分適用できるものと判断した。 結晶の光学特性評価に関しては、量子ドット超格子試料に対して反射型ポンププローブ法を適用し、キャリア緩和ダイナミクスを測定した。現在広く使用されている市販のLT-GaAsを用いたPCAとの性能の比較を行うために、超短パルスレーザーの波長を810 nmとして、室温において測定を行った。パルス幅が約100フェムト秒程度の超短パルスを照射して測定した結果、0.6ピコ秒程度のキャリア寿命を得、十分にPCAデバイスとして使用できる高速性を確認できた。 電場増強による最適化デバイス構造の検討に関しては、光励起キャリアによる、InAs量子ドットにおける電場増強効果を境界要素法によって解析した。GaAsホスト結晶に埋め込まれた半球状のInAs量子ドットにおいて、局在表面プラズモンに起因する電場増強効果を10E18/cm3程度の自由電子密度において10μm帯で確認した。

  • 量子ドット超格子太陽電池におけるホットキャリア型太陽電池動作の実証

    原田 幸弘

    日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(C), 基盤研究(C), 神戸大学, 2019年04月 - 2022年03月

    本研究では、InAs/GaAs量子ドット超格子を内包する太陽電池において、幅広い励起波長域における高効率なホットキャリア電流取り出しを実現し、単接合型太陽電池の変換効率限界を突破するホットキャリア型太陽電池の学理の構築と高効率化技術の開発を目的とする。2019年度は、InAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池における、ホットキャリア電流と開放電圧の励起波長依存性を解明した。具体的な研究成果は以下の通りである。 〇InAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池において、ホスト結晶であるGaAsのバンドギャップエネルギー以下の入射光を用いて電流―電圧特性の励起波長依存性を低温(15 K)で測定し、ホットキャリア電流の取り出し過程を明らかにした。短絡電流密度と開放電圧の関係が励起波長に依存しなかった結果は、InAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池固有のホットキャリア電流の取り出し過程を電流―電圧特性から議論できることを示唆している。 〇9層近接積層InAs/GaAs量子ドットによって構成される量子ドット超格子の層数を増加させることによって、短絡電流密度と開放電圧が増加することを実証した。短絡電流密度は励起光強度にほぼ比例して増加したのに対して、開放電圧は励起光強度の増加に伴って飽和傾向を示した。開放電圧が励起波長に依存せずほぼ一定の電圧で飽和傾向を示した結果は、ホットキャリアとして量子ドット超格子から取り出された電子が隣接する量子ドット超格子に捕獲されていることを示唆している。以上の結果より、単接合型太陽電池の変換効率限界を突破するホットキャリア型太陽電池の実現に向けて、内部電場の最適化が必要な事が明らかになった。

  • 喜多 隆

    学術研究助成基金助成金/国際共同研究加速基金(国際共同研究強化(B)), 2018年10月 - 2021年03月

    競争的資金

  • 喜多 隆

    学術研究助成基金助成金/挑戦的研究(萌芽), 2018年06月 - 2020年03月

    競争的資金

  • 原田 幸弘

    学術研究助成基金助成金/若手研究(B), 2017年04月 - 2019年03月, 研究代表者

    競争的資金

  • 喜多 隆

    科学研究費補助金/基盤研究(B), 2016年04月 - 2019年03月

    競争的資金

  • 喜多 隆

    学術研究助成基金助成金/挑戦的萌芽研究, 2015年04月 - 2017年03月

    競争的資金

  • 喜多 隆

    学術研究助成基金助成金/挑戦的萌芽研究, 2013年04月 - 2015年03月

    競争的資金

  • 喜多 隆

    科学研究費補助金/基盤研究(B), 2012年04月 - 2015年03月

    競争的資金

  • 喜多 隆

    学術研究助成基金助成金/挑戦的萌芽研究, 2011年

    競争的資金

  • 原田 幸弘

    科学研究費補助金/若手研究(B), 2010年, 研究代表者

    競争的資金

  • 原田 幸弘

    科学研究費補助金/若手研究(スタートアップ), 2009年, 研究代表者

    競争的資金

産業財産権

  • 高変換効率太陽電池およびその調製方法

    喜多 隆, 原田 幸弘, 朝日 重雄, 渡部 大樹

    特願2014-113313, 2014年05月30日, 大学長, 特許6385720, 2018年08月17日

    特許権